本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。上次为大家梳理了隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南，本文为第二部分，将带大家全面了解使用安森美(onsemi)隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计以及死区时间控制。电源建议以下是使用隔离式栅极驱动器电源时应注意的一些建议。VDD 和 VCC 的旁路电容对于实现可靠的隔离式栅极驱动器性能至关重要。建议选择具有适当电压额定值、温度系数和电容容差的低 ESR 和低 ESL 表面贴装多层陶瓷电容
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安森美 栅极驱动器
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关（例如 CoolGaN™）用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器
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英飞凌 栅极驱动器 开关电源
随着人们对智能化、自动化和环保终端设备的需求不断增长，工业和汽车的电气化程度越来越高。在这一趋势下，人们越来越注重确保电子系统不仅能符合电动汽车性能标准，而且能符合安全标准。特别是在汽车领域，在牵引逆变器系统中使用可配置的隔离式栅极驱动器正成为提高电动汽车性能和简化功能安全设计及认证的重要方法。随着汽车制造商转向牵引逆变器等电子系统，我们的安全标准也必须覆盖此类系统。传统的“产品安全”是指消除电击、火灾和机械危害的风险，而“功能安全”则专门指消除电子电气系统故障的风险。随着技术的飞速发展，许多设计人员不得
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TI 栅极驱动器
碳化硅（SiC）技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。为了实现SiC技术的愿景，开发人员必须从产品质量、供货情况和服务支持等各个方面仔细评估多家产品和供应商，并了解如何优化不同SiC功率组件到其最终系统的集成。不断扩展的应用范围SiC技术的使用量正在急剧上升。随着供应商的不断增加，产品的选择范围也日益丰富。碳化硅市场在过去三年中翻了一番，预计在未来10年内将增长20倍，市值超过100亿美元。碳
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Mouser 栅极驱动器
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
凭借其众多优点，三相无刷直流（BLDC）电机正在成为设计现代化电池供电型电机产品的首要选择。然而，为了让产品符合人体工学设计并延长电池的使用寿命，需要缩小产品的尺寸并减轻重量，这给产品设计带来了巨大挑战。为了帮助设计师满足终端市场的需求，英飞凌科技股份公司推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™ IMD700A和IMD701A。它们采用9 x 9 mm2 64引脚VQFN封装，能够让无线电动工具、园艺用品、无人机、电动自行车以及自动导引车拥有更高的集成度以及功率密度，从而满足用户需求。 MOTI
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英飞凌 电机控制器 栅极驱动器
运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）宣布扩大三相无感BLDC栅极驱动器的产品组合，新推出的A89332和A89332-1 旨在满足当今数据中心冷却系统不断变化的需求，为设计人员提供更灵活的选择方案。这些驱动器具有创新的集成式断电制动（(PLB)） (A89332) 和交流断电 (A89332-1) 功能，因而可实现更紧凑的高气流风扇设计，能够提高热效率、降低电力消耗和数据中心成本。当服务器风扇发生故障或损坏时，空气回
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BLDC 栅极驱动器
运动控制和节能系统传感技术以及功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）宣布推出针对汽车和工业应用的两款新型全桥栅极驱动器，这些器件具备直接控制 (A89505) 和脉宽调制 (A89506) 选项，可将关键功能向上集成（up-integrate）以简化系统设计，用固态驱动器代替机械继电器以提高性能和可靠性。凭借灵活的接口逻辑电路、降低EMI的可编程栅极驱动、电机电流反馈和多种诊断特性等内置功能，这些器件只需要很少的外部元件，采用 4x4mm QFN
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Allegro 全桥 栅极驱动器
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2]，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损，有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗，同时还提供免维护功能。通过提供增强功能（自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能）以支持车载ECU所需的高可
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栅极驱动器 MOSFET IPD ECU
近日，英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其 600V/650V 细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监 Steffen Metzge r表示，“这凸显了
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RDS 栅极驱动器
全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.进日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。与大多数其他碳化硅评估平台不同，GDEV提供快速连接插头引脚端子，可以快速、一致地比较不同的栅极驱动器电路。 GDEV支持800 V DC链接输入电压和高达200 kHz的开关频率。GDEV的典型市场和应用包括：&n
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GDEV 栅极驱动器
近日，各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器提供支持，可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗，同时可以在空间受限的电机驱动器、紧凑型电源或快速电池充电器内部的高温环境中运行。CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板
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栅极驱动器 半导体
近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前，许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是，高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声，影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
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碳化硅 栅极驱动器
Thomas Brand（ADI慕尼黑公司 现场应用工程师） 摘 要：探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。 关键词：IGBT；隔离式；栅极驱动器 在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器
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201909 IGBT 隔离式 栅极驱动器
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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栅极驱动器介绍
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