Abstract― 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3
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晶体管 集成电路 DHBT 技术 双极 异质 射频 微波 测试系统
编者点评：芯片出货量达到创记录，Q1为445亿颗意味着什么?其实每年全球半导体业的增长或减少与芯片出货量及芯片的平均售价ASP有密切关系, 归纳公式是芯片的出货量变化+ASP变化即为半导体销售额的变化。如WSTS及IC Insight预测今年芯片出货量增长24%, 那么如果今年芯片的ASP有6%的增长, 则全年半导体销售额有24%+6%=30%的增长。这里要提醒通常ASP要增长是十分困难的, 因为按摩尔定律芯片中晶体管的成本是下降, 但是芯片中的复杂程度, 即晶体管的数量呈上升, 所以两者的迭加作用会
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摩尔定律 晶体管 芯片
据国外媒体报道，台积电研发副总裁蒋尚义日前在一次大会演讲中表示，按台积电现有芯片技术水平，摩尔定律将在10年后失效。
以下是演讲内容概要：
按台积电现有芯片技术，摩尔定律将在10年后失效，芯片上晶体管之间的间隔将从现在的40纳米缩小至7纳米左右。接下来则需要全新的技术来推动创新。
摩尔定律更有可能出于经济而非技术原因过时，蒋尚义简单计算了芯片制造业背后的经济学，将一代芯片上的晶体管数量翻一番，理论上意味着芯片厂商的赢利将增长100%。但由于芯片上某些部件无法缩减至同样大小，所以利润增
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台积电 摩尔定律 晶体管
各种类型低频放大器，主要特点是，工作频率范围宽，放大信号的中心频率从几十赫至几百千赫；这类放大器通常处于低频多级放大器的前几级，故称前置放大器，它的输入信号幅度很小，约几到几十毫伏或甚至更小，所以属于
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晶体管 低频 放大器
台积电董事长张忠谋在近来的多次演讲中，皆提及未来 2011~2014年半导体产业呈现温和成长态势。惟晶圆厂之间先进制程技术竞赛不停歇，台积电甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西时间13日的台积电技术论坛上，突然表态将跳过22奈米，直接切入20奈米，预计2012年第3季导入生产。虽然此举是台积电基于替客户创造价值而作的决定，但外界认为，这也是为了拉大与竞争对手Global Foundries的技术差距。
延续张忠谋对先进制程的看法，台积电研究发展资深副总经理蒋尚义随后在会中的演讲中表示，该公司将
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台积电 22nm 晶体管
塑料RFID标签将是第一款使用了打印的纳米管晶体管的产品。
无线射频识别(RFID)标签使得缴纳通行费和公共交通费变得轻而易举。但是由硅制成的标签还是太贵，无法替代无处不在的条形码通过远程扫描仍在篮子里的货物那样加快商场结账的速度。
卷轴：如果开发者能将价格降到1美分甚至更低，用滚筒式打印的塑料RFID标签或许可以替代条形码。
廉价的塑料RFID标签可能很快会改变这种情况。韩国顺天的研究人员已经利用一系列工业方法在塑料薄膜上打印了RFID标签：滚筒式打印、喷墨打印和硅橡胶冲压。他们使
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RFID 晶体管
SUMCO把它在俄亥俄州近Cincinnati的半导体生产线待售, 目前正在寻找买主, 可能不是谋求先进技术, 包括太阳能, 电池, 甚至数据中心。
该生产线有30年历史，工厂占地面积100英亩, 位于Cincinnati北面30英里, 它采用5-6英寸硅片或外延片, 进行分立器件生产，包括晶体管, 二极管, 闸流管及控制器。
生产线有200，000平方英尺，包括>70,000平方英尺的净化级别的100-10,000净化厂房。公司表示尽管是老厂房，但是经过逐年改造还是有大量的现代化和
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SUMCO 晶体管 二极管 闸流管及控制器
国产的隧道二极管全都是锗材料做成的，其峰值电压约为0.25伏左右，若这种锗的遂道二极管要与硅晶体管并联使用时，则遂道二极管BG2要串接反向二极管BG1（同了图5（a），反向二极管是一种变种的隧道二极管，其峰点电流
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使用 组合 晶体管 二极管 隧道
在摩尔定律引领下的集成电路生产正在逼近物理定律的极限，芯片产业迫切需要替代技术。目前尚处于研发状态中的各种新的芯片生产技术—分子计算、生物计算、量子计算、石墨烯等技术中，谁将最终胜出?
1965年，芯片产业的先驱戈登-摩尔(GordonMoore)发布了著名的摩尔定律：集成电路芯片的复杂程度每过两年就会增加一倍。此后的几十年来，在这一定律的指引下，芯片制造工艺的进步让芯片的晶体管尺寸得以不断缩小，从而使电气信号传输的距离更短，处理速度也更快。
对电子行业和消费者来说，摩尔定律意
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恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管
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NXP 晶体管 VCEsat
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方块放大器产品，适合各种不同的无线通信应用。于DC到6,000MHz频带工作，Avago的AVT-51663/53663增益方块可以作为宽带增益方块或驱动放大器使用，这些面向移动通信基础设施应用设计的增益方块也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、卫星电视和机顶盒等各种其他无线通信应
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Avago 放大器 晶体管 HBT
爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电
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晶体管 CMOS
CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225
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CISSOID MOSFET 晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的
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NXP 晶体管 MOSFET
法国研究人员最新开发出一种新型智能晶体管，它能够模仿神经系统的运行模式，对图像进行识别，帮助电脑完成更加复杂的任务。
法国国家科研中心和法国原子能委员会的研究人员在最新一期《先进功能材料》杂志上介绍说，普通晶体管功能单一，无法完成图像识别和处理等复杂任务。
他们此次开发的这种名为Nomfet的新型晶体管中，含有一种纳米微粒，它能像人脑的神经系统一样灵活调整电子信号。
参与研究的多米尼克·维尧姆介绍说，在信息处理的过程中，Nomfet还可以与周边晶体管互通有无，更好地对不
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晶体管 图像识别
晶体管－场效应管介绍
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