引言
低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件，有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数，因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性能的好坏。低噪声放大器的设计主要包括输入、输出匹配网络和直流偏置网络的设计以及改善晶体管稳定的措施。
本文首先介绍放大器提高稳定性的源极串联负反馈原理，然后设计了一个L波段的低噪声放大器实例，并给出了放火器输入、输出回波损耗、增益、噪声系数等参数的仿真结果。
低噪声放大器的设计
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放大器 低噪声 LNA 晶体管
IBM研究人员在一篇新的论文中详细介绍了IBM所说的在纳米技术领域取得的重要技术突破。这项技术突破将推动处理器技术和光子领域的新发展。IBM研究人员详细介绍了他们如何控制碳纳米管晶体管的发光。
这将是开发和推动新的处理器的新方法。在纳米技术领域，IBM、惠普和英特尔都在通过自己的研究部门研究新的开发处理器的技术。
IBM研究人员称，在新兴的纳米技术领域的一项重大的技术突破将改变工程师和IT行业开发微处理器的方法和思路。IBM研究人员8月25日在《自然纳米技术》杂志上发表的论文中介绍了他们如
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IBM 纳米 处理器 晶体管
1 引言
1965 年，摩尔用三个集成电路产品集成度随时间的增长数据，外加1959 年的晶体管（集成度为1）和1965 年预计可推出的实验室产品（有64 个元件），用半对数坐标，外插预测到十年后集成电路的集成度将达到65,000 个元件。1975 年预测成真，随后被称为“摩尔定律”。近40 年来，“摩尔定律”作为半导体发展的指南针对整个产业的发展产生了重大影响。由此我们可以体会到总结规律、预测发展的重要意义。半导体产品是半导体技术的载体，也是半导体
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集成电路 晶体管 半导体 摩尔定律 可重构
1 引言
电源是各种电子设备必不可缺少的组成部分，其性能的优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。目前常用的直流稳压电源分线性电源和开关电源两大类，由于开关电源内部关键元器件工作在高频开关状态，本身消耗的能量很低，开关电源效率可达80％～90％，比普通线性稳压电源提高近一倍，目前已成为稳压电源的主流产品。
2 开关稳压电源的结构
图(1)画出了开关稳压电源的原理图及等效原理框图，它是由全波整流器，开关管Vi，激励信号，续流二极管VD，储能电感和滤波电容C
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开关电源 整流器 晶体管 滤波 LDO 稳压器
电子测量仪器按其工作原理与用途,大致划为以下几类。
1.多用电表
模拟式电压表、模拟多用表(即指针式万用表VOM)、数字电压表、数字多用表(即数字万用表DMM)都属此类。这是经常使用仪表。它可以用来测量交流/直流电压、交流/直流电流、电阻阻值、电容器容量、电感量、音频电平、频率、晶体管NPN或PNP电流放大倍数β值等。
2.示波器
示波器是一种测量电压波形的电子仪器,它可以把被测电压信号随时间变化的规律,用图形显示出来。使用示波器不仅可以直观而形象地观察被测物理量的变化全
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电子测量 示波器 信号发生器 晶体管 红外测试
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。
安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说："对我们的便携产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度是相当关键的参数。安森美半导体提供用于电源管理、开关和保护应用的微封装二极管和晶体管，使便携产品能集成更多功能，而无须增加终端产品的尺寸或降低能效。"
新的微封装晶体管
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安森美 分立器件 封装 晶体管 二极管
葡萄牙新里斯本大学（New University of Lisbon）的研究人员于日前成功研制了全球首款用纸层制成的晶体管，这种晶体管比采用氧化物半导体制成的普通薄膜晶体管（TFT）更具竞争力。
据负责此项研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，这种新型晶体管具备与采用氧化物半导体制成的薄膜晶体管一样的性能，纸质晶体管可以用在纸质显示屏、智能标签、生物程序和RFID（无线射频识别）电子标签等新型电子设备中。虽然目前业界十分看重采用生物高聚物的低成本电子产品
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晶体管 新里斯本大学 场效应晶体管
1．前言
随着集成电路业工艺的发展，单位面积晶体管的数量急剧增加。按传统的方法，能满足芯片功能和时序要求设计的IC设计工程师，产能约为100门/天，要完成 1200万门的芯片设计需要500人年。设计复用（Design Reuse）技术成为解决问题的有效方法。根据业界经验，任何模块如果不作任何修改就可以在10个或更多项目中复用，都应该开发成IP 。基于IP的数字IC设计方法是有效提高设计产能的关键技术。IP核又称IP （Intellectual Property）Core指具有独立知识产权的电路核
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集成电路 晶体管 IC设计 IP Core
意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于
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1947年贝尔实验室肖克莱等人发明晶体管，1958年仙童公司RobertNoyce(罗伯特·诺伊斯)和德州仪器JackKilby(杰克·基尔比)分别发明基于硅和基于锗的集成电路，1971年英特尔推出1KBDRAM(动态随机存储器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(静态随机存储器)，在集成电路的技术和工艺的每一次跃变过程中，都离不开半导体设备与材料的不断推陈出新。
支撑业是集成
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特瑞仕半导体株式会社开发了XCM517 系列内置晶体管600mA 同步整流双路降压DC/DC 转换器。
XCM517 系列是在一个封装组件中搭载两个XC9235/XC9236 系列的同步整流降压DC/DC 转换器而组成的实装芯片(IC)。工作电压范围从2.7V 到6.0V。内置时钟控制器分为1.2MHz 和3.0MHz 两种，可以根据具体应用来选择合适的工作频率。工作模式可选择PWM 控制模式或PWM/PFM 自动转换控制模式，即使是纹波控制难度较大的产品，也能实现从小负载到大负载的
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就像摩尔定律驱动半导体几何尺寸的缩小一样，有关解决半导体可靠性问题的活动也遵循一个似乎有点可以预测的周期。例如，技术演进到VLSI时，为了保持导线的电路速度，引入了铝线连接。此时，很快就发现了电子迁移这类的可靠性问题。一旦发现了问题所在，就会通过实验来对退化机制进行建模。利用这些模型，工艺工程师努力使新技术的可靠性指标达到最佳。随着技术的进一步成熟，焦点转移到缺陷的降低上面。而随着ULSI的引入，由于使用了应力硅、铜和低K介电材料等，又开始一轮新周期。
随着引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
先进的RF功率
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飞思卡尔 晶体管 RF LDMOS
2008年5月23日，意法半导体推出VIPer17开关式离线电源转换器。新产品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶体管和多项有助于节省外部组件和提高待机能效的先进功能，新转换器内置可调设置点，恒流开关操作，能够配合所有的市电电压，最高可适用于12W的开关电源（SMPS）设计。
通过集成一个高压启动电流电源以及必要的保护功能，VIPer17不再需要外部感应元件和启动电阻器。保护功能包括精确可调的过压和超载保护、延时过热保护和两级过流保护。故障检测电路激活转换器的自动重启功能，以防浪涌对电源或负载造
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近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明等镇流器节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来
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晶体管－场效应管介绍
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