晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
9011
50V
0.03A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9012
50V
0.5A
0.6W
*
*
PNP
9013
50V
0.5A
0.6W
*
*
NPN
9014
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9015
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
PNP
9018
30V
关键字：
晶体管 型号 元件 制造
自从1985年首款FPGA器件诞生以来，FPGA产业一方面修炼内功——从技术上来说，工艺从2μm发展到65nm，晶体管数量从8.5万个增长到10亿个以上;另一方面向外扩张——应用领域从最初的通信业不断向消费电子、汽车、工业控制等渗透，同时在不断“蚕食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式处理器的市场。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA产业的领导厂商也不再是20多年前的孤军奋战，在其周围，FPGA开发和应用的生态系统已然初步形成，大大促进了FPGA产业的发展。
“非传统”应用领域
关键字：
嵌入式系统 单片机 FPGA 晶体管 DSP MCU和嵌入式微处理器
Applied CEO Mike Splinter指出，在生态可持续发展方面，电子行业做的还太少，在半导体制造业必须开始朝一个目标努力。Splinter指出，半导体行业持续地关注电子产品的速度和性能，而不够重视能源使用效率。他说，未来的芯片架构必须关注功率优化。Splinter补充说，随着消费电子中半导体产品的使用，芯片在可持续发展上扮演着重要的角色。
在和印度半导体产业协会(India Semiconductor Association)的一位成员交谈时，Splinter说尤其在少数半导体制造
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消费电子 电子行业 晶体管 消费电子
断路器在汽车系统中很有用，既需要过电流检测防止有故障的负载、也需要过电压保护避免敏感电路不受高能负载突 ...
关键字：
集电极 晶体管 负载
序言随着便携式手持设备(如手机、PDA等)的功能不断增加，加上对较小体积与更长电池寿命的要求，使得锂电池成为许多此类设备的首选供电能源。本文将讨论线性充电技术与相关的离散调节元件，并重点讨论主要离散参数与选择标准。
锂离子电池充电周期为模拟充电电路中的主要功率损耗，以便选择正确的元件，我们必须了解锂离子(Li-Ion)电池的充电周期。图1 显示了单个锂离子电池的典型充电周期。预充电压阈值(VPRE)、上端电池电极电压阈值(VT)、以及再充电阈值(VRECHG)，取决于锂离子电池的种类及不同的生产商。而
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模拟技术 电源技术 0708_A 杂志_技术长廊 晶体管 锂离子 模拟IC 电源
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至1
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模拟技术 电源技术 Zetex 晶体管 电源功率 模拟IC 电源
近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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测试 测量 应用材料 晶体管 刻蚀 IC 制造制程
绝缘栅场效应管的结构和符号
三极管称电流控制元件；场效应管称电压控制元件。 场效应管具有输入电阻高（最高可达 10 15 Ω）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。
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场效应管 模拟电子 电子技术 模拟IC
飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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嵌入式系统 单片机 飞思卡尔 LDMOS 晶体管 嵌入式
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
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模拟技术 电源技术 安森美 晶体管 模拟IC 电源
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。 如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正
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电子 恩智浦 晶体管
恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑T
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VCEsat 单片机 恩智浦 晶体管 嵌入式系统
英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®系列多核处理器中，将置入数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有五种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45纳米处理器产品的第一批。 在台式机、笔记本和服务器领域，晶体管技术的提升使得公司能够继续创造出处理器计算速度的全新纪录
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晶体管 英特尔
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 RQG2003的功能总结如下： 业界最高的性能水
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功耗 晶体管 瑞萨
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流I
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场效应管
晶体管－场效应管介绍
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