- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 焊 场效应管 集成电路
- 美国耶鲁大学23日发表新闻公报称，该校及韩国光州科学技术研究院科学家最近合作制成世界上首个分子晶体管，制作分子晶体管的材料是单个苯分子。
研究人员说，苯分子在附着到黄金触点上后，就可以发挥硅晶体管一样的作用。研究人员能够利用通过触点施加在苯分子上的电压，操纵苯分子的不同能态，进而控制流经该分子的电流。
负责这项研究的耶鲁大学工程和应用科学系教授马克·里德说：“这就像推一个球滚过山顶，球就代表电流，而山的高度则代表苯分子的不同能态。我们能够调整山的高度，山低时允许电
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材料 晶体管 硅晶体管
- 晶体管图示仪是电路设计中常用的电子仪器，它能够显示晶体管的输入特性、输出特性和转移特性等多种曲线和参数。它不仅可以测量晶体二极管和三极管，还可以测量场效应管、隧道二极管、单结晶体管、可控硅和光耦
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CPLD 应用于 晶体管 图示仪
- 0 引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大，集电区体电阻
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芯片 设计 晶体管 平面 低频 大功率 TIP41C
- Intel近日宣布在化合物半导体晶体管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通过集成高K栅极获得了更快的晶体管切换速度，消耗能量却更少。Intel一直在研究将现在普遍适用的晶体管硅通道替换成某种化合物半导体材料，比如砷化镓铟(InGaAs)。目前，此类晶体管使用的是没有栅极介质的肖特基栅极(Schottky gate)，栅极漏电现象非常严重。
Intel现在为这种所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)加入了一个高K栅极介质，并且已经在硅晶圆基片上制造了一个原型设备，证明新技术可以和现有硅制造工艺相结
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Intel 晶体管 芯片
- 高温半导体方案的领导者 CISSOID 推出了新产品的行星家族高温晶体管和开关。汞是一种高温 80V 的小信号 N 沟道 MOSFET 晶体管，其保証的工作温度範围为摄氏负 55 度至 225 度。凭藉其极端温度的鲁棒性，其输入电容仅为 32pF，在225度其栅极洩漏限于 5.6μA，这 80V 的晶体管非常适合用于高温度传感器接口，如压电式传感器或执行一个保护放大器。
在225度这种逻辑级 MOSFET 可匯到 230mA，也可用于切换中或高电阻，例如：转换 3.3V/5V的逻辑信号
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CISSOID 晶体管
- 刚刚结束访华的英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁在北京表示，摩尔定律将继续有效，英特尔将遵循摩尔定律，继续推动产业的发展。
针对有人认为“没有必要去不断追求更强大的性能，产品功能够用就好，摩尔定律已经不再重要了”，欧德宁表示：“摩尔定律将继续有效。摩尔定律不仅仅是指推动性能提升，实际上指的是晶体管密度。更高的晶体管密度可以提高性能或集成度。对于智能手机或小型电子产品，我们提供片上系统(SoC)，把多个芯片集成到一个芯片上，这将给消费者带来诸多好处
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英特尔 摩尔定律 晶体管
- (首尔法新电)韩国科学家成功开发出一种全新的晶体管，其反应速度和能源效率比现有晶体管更快更好，令不需启动过程的电脑有望实现。韩国科学技术研究院(KIST)说，这种晶体管除了像现有晶体管般运用电流开关，也运用电子的顺时逆时旋转方向，来处理信息。
这种运用电子旋转方向来处理信息的半导体称为“自旋场效应晶体管”(spin-injected field effect transistors)，其概念于1990年代首次出现，被认为是可以取代传统氧化物晶体管的下一代半导体。
其
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微电子 晶体管
- 本文讲述了双晶体管正激有源钳位软开关电源的工作原理，并给出实际产品双晶体管的工作波形。该电路结构中，功率开关管的电压应力小，并工作于ZVS导通和关断，减小开关功耗，降低了EMI。
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设计 开关电源 有源 晶体管
- 几十年来，摩尔定律所阐述的生产力效益定律一直是半导体行业发展的驱动力。它催生了数字处理器、宽带和大容量存储器。这些技术大幅提升了PC、手机等产品的生产力。然而，经济学正给半导体行业带来革命性转变。未来，“新摩尔定律”将发挥重要作用。
产品研发从性能驱动转为经济学驱动
半导体产业是个相对年轻的产业。自摩尔定律预测芯片上晶体管的数量每18个月翻一番以来，半导体器件制造商一直追求生产力的提升。这一定律确实没错。如今消费应用的SoC可能集成了几亿个晶体管。然而，半导体产业正
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- 从时尚的消费电子产品，像苹果的iPhone、任天堂的Wii，到下一代医疗设备、汽车导航、工业系统，MEMS将极大地丰富人和电子设备互动的方式。“对于半导体公司，要么选择MEMS，要么退出市场!”Maxim集团总裁Vijay Ullal 在2009年旧金山的电子峰会上语出惊人，“因为，从200年前的工业革命迈出第一步开始，现代科技的演进就一直没停止，第二步是晶体管发明带来的计算革命，第三步就是传感器。”
事实上看好MEMS市场前景的大有人在，但是如何
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Maxim MEMS 晶体管 惯性传感器 电子车身稳定系统 200906
- 3-D Flash新创公司Schiltron Corporation与专门提供化学机械抛光设备及代工服务的领先供应商Entrepix合作发展使用现有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，从而利用简单直接的方式扩大产量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最关键工艺的步骤是化学机械设备(CMP)的达成。该公司的联合开发的努力已制造迄今为止最小的矽基薄膜电晶体(Silicon-base thin-film transistors) 。
晶体管结构和低温度预算工艺步骤(low
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Entrepix 晶体管 CMP 矽基薄膜电晶体
- 据外电报道，市场研究公司Frost & Sullivan的数字显示，2006年，印度半导体离散件市场规模将达2.9亿美元，与2005年的2.35亿美元的市场规模相比，增幅达23.4%。
Frost & Sullivan定义的离散件包括二极管、晶体管、半导体闸流管以及光电半导体产品。该公司表示，目前有十几家公司涉足印度的半导体离散件市场，该市场上的半导体离散件产品包括从中国和中国台湾地区进口，以及飞利浦、ST Micro和Agilent Technologies等公司生产的产品。
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半导体 晶体管
- 2009年世界电信和信息社会日大会在北京国际饭店举行，以下为英特尔中国有限公司董事总经理黄节做主题为“摩尔定律能走多远—无线宽带的实现和英特尔的创新之旅”的演讲。
“摩尔定律能走多远—无线宽带的实现和英特尔的创新之旅”
什么是摩尔定律呢?大约在1965年，在普尔顿.摩尔博士创建英特尔公司之前发现了这样一个规律，集成电路晶体管每隔18个月到24个月就会翻一番，这就是摩尔定律。摩尔定律和其他自然界的定律不一样，并不是能自动
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晶体管－场效应管介绍
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