- 当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。为何选择 SiC？为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的
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安森美 SiC
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器，为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
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安森美 GaN PCB
- 与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗
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安森美 IGBT
- 在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。由于漏电流更小且带隙更大，器件可以在更宽的温度范围内工作，而不会发生故障或降低效率。它还具有化学惰性，所有这些优点进一步巩固了 SiC 在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯
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安森美 碳化硅
- 本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。上两期分别讲解了隔离式栅极驱动器的介绍与选型指南以及使用安森美(onsemi)隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计与死区时间控制，本文为第三部分，将为大家带来设计中的要点和PCB布局指南。设计驱动器VCC时，关于上电延迟有哪些注意事项？对于所使用的驱动器，要设计一个高能效且快速的电路，启动时间是一个重要因素。因此，启动时间必须要短。但是，启动时间受上电延迟的限制，上电延迟是指驱动器使能到首次栅极输出的时间。
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安森美 栅极驱动
- 三相永磁无刷直流（以下简称“BLDC”）电机控制需要一个电子换向电路，而传统的有刷直流电机是采用机械自换向的方式。与有刷直流电机不同，BLDC电机没有电刷，无需定期维护或更换，因而不易受到磨损。我们将简要介绍 BLDC 电机的结构和控制，然后介绍三种换向方法：● 梯形换向● 磁场定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我们会介绍一种创新的BLDC换向方法，可以以单个电机控制集成电路(IC)实施三种换向方法中的任何一种。BLDC结构BLDC
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安森美 电机控制
- 近日，安森美宣布，已成功收购格芯(GlobalFoundries) 位于美国纽约州东菲什基尔（East Fishkill，EFK）地区的300mm晶圆厂，自2022年12月31日起生效。该交易为安森美团队增加了1,000多名世界一流的技术专家和工程师。2019年4月，安森美与格芯宣布达成协议，收购格芯位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆，总价格为4.3亿美元（约合人民币29.35亿元），其中1亿美元已在签署最终协议时支付，3.3亿美元在2022年底支付。根据协议，安森美几年内可在该厂增
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- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了对格芯（GlobalFoundries）位于纽约州东菲什基尔（EFK）的300毫米工厂的收购。该交易为安森美团队带来了1000多名世界一流的技术专家和工程师人才。在过去的三年里，安森美一直致力于确保东菲什基尔（EFK）工厂及其员工的长远发展，大力投资于300毫米的生产能力，以加快公司在电源、模拟和感知产品的增长，并优化制造成本结构。东菲什基尔（EFK）工厂为安森美带来了先进的CMOS制造能力--包括生产图像传感
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安森美 格芯纽约东菲什基尔工厂
- 本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。上次为大家梳理了隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南，本文为第二部分，将带大家全面了解使用安森美(onsemi)隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计以及死区时间控制。电源建议以下是使用隔离式栅极驱动器电源时应注意的一些建议。VDD 和 VCC 的旁路电容对于实现可靠的隔离式栅极驱动器性能至关重要。建议选择具有适当电压额定值、温度系数和电容容差的低 ESR 和低 ESL 表面贴装多层陶瓷电容
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安森美 栅极驱动器
- 安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年业绩，亮点如下：● 第4季度收入21.036亿美元，同比增长14%● 第4季度公认会计原则(以下简称“GAAP”) 毛利率分别48.5%，同比增长343基点，非公认会计原则(以下简称“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增长321基点● 第4季度破纪录汽车行业收入9.89亿美元，同比增长54%● 第4季度GAAP和non-GAAP每股摊薄盈利分别为1
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- 自从布局4680大圆柱型锂离子电池以来，特斯拉一直努力研发电池干法电极制造工艺，但进展缓慢。然而，美国专利商标局（USPTO）新年里授予其的四项专利，意味特斯拉在这一领域的突破。四项专利中，两项于今年1月公布。一项是干电极薄膜和微颗粒非纤维性黏结剂，可以提高电池的使用寿命。一项是新型电极黏结剂，该黏结剂可以承受更高的工作电压而不被快速降解。当地时间2月2日，美国专利商标局又公布了特斯拉提交的两项与干法电极技术相关的专利申请。第一项是“用于储能设备的金属元素和碳混合物”，可以制造干电极薄膜。该薄膜包括金属锂
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- 凭借数十年的创新技术经验以及可靠高效的下一代功率半导体，安森美将为能源基础设施应用实现更高功率密度水平，降低功率损耗，并缩短开发时间 中国上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应安森美（onsemi）EliteSiC系列高度优化的最新碳化硅（SiC）产品，适用于能源基础设施应用。与同类竞品相比，这些新器件在现实条件下实现了更低的开关损耗，能够满足下一代能源基础设施系统的更高性能要求。随着脱碳转型的加速，全球能源需求逐步转向部署更多能源基础设施系统，
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- 目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。接下来，安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛将和您聊聊关于未来SiC在新能源汽车上的普及及应用。
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- 2023 年 1 月 30 日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可
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- 安森美(onsemi) 得益于在电动汽车/ 汽车功能电子化、自动驾驶、光伏、储能和工厂自动化等市场的战略布局和技术领先优势，近6个季度的财务业绩连创新高，2022 年第3 季度实现破纪录收入21.926 亿美元，其中汽车和工业市场收入占比达到68%。展望2023 年，我们仍会专注于这两大长期增长的市场，持续精益业务及流程改进，优化产能，提升客户体验及满意度，以智能电源和智能感知技术创新推动两倍的市场增长。碳化硅(“SiC”) 是未来功率半导体最主流的方向，是颠覆创新的关键技术之一。SiC 用于汽车主驱、车
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