场效应管(mosfet)检测方法与经验 文章
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场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(Metal Oxide Sem
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场效应管 二极管
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里第四部份似乎很相似，这样做可行么? 问题分析： 系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定的效果。然后，降低驱动电压，正常工作时候，RDSON会增大，系统效率会降低，MOSFET的温度会升高，
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MOSFET 芯片
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 驱动电路
1)静态工作点的测试 上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。 2)输入输出阻抗的测试 (1) 输入阻抗的测量 上图是伏安法测试放大电路的连接图。其在输入回路中串接一取样电阻R，输入信号调整在放大电路用晶体管毫对地的交流电压VS与Vi，这样求得两端的电压为VR=VS-V
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场效应管 放大器
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功
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MOSFET 功率放大电路
采用结型场效应管加大输入电压范围电路图采用结型场效应管加大输入电压范围电路意，图4所示电路的输出电流主要取决于IDSS。一般而言，不要在回路中串联电流取样元件。当电源直接安装在电路主板上时，输出短路的可能性...
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结型 场效应管 输入电压
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET™ F7制造技术，开关性能优异，能效出色，噪声辐射极低，耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A，主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置，例如电动助力转向系统(EPS)。
意法半导体的STripFET系列采用DeepGATE™技
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意法半导体 MOSFET
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、
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MOS管 MOSFET
摘要：文章对主流热插拔控制策略进行了比较分析，在介绍热插拔控制器TPS2491功能结构后，以24V电源背板总线数据采集卡为设计实例，详细介绍了基于TPS2491进行热插拔保护电路的设计过程，并对设计电路进行了测试验证，
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TPS2491 热插拔 保护电路 MOSFET
2010年，供应商发布了第一波基于GaN技术的功率半导体。但直到最近，这种产品的可用性依然不高，价格也高昂不下，GaN技术一直在寻找理想的应用空间。随着时间的推移，这些器件预计将逐步应用到电动汽车、移动设备的快速充电适配器、无线充电和其他系统中，GaN基功率半导体器件正在电源市场上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦!
言归正传，说到场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用
表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不
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场效应管
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
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