日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半
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GaN MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)扩大其SLLIMM™ nano系列电机驱动智能功率模块(IPM)产品阵容。除了使得应用总体尺寸最小化和设计复杂性最低化的多种可选封装外，新产品还集成更多的实用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。 新IPM模块的额定输出电流1A或2A，目标应用瞄准最高功率100W的电机驱动市场，例如冰箱压缩机、洗衣机或洗碗机的电机、排水泵、循环水泵、风扇电机、以及硬开关电路内工作频率小
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意法半导体 MOSFET
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此噪声测量主要指电子元件和器件、网络和系统的热噪声和特性的测量。 附加相位噪声测试技术及注意事项 本文简单介绍了相位噪声的定义，详细介绍了附加相位噪声的测试过程，给出了实际的测试结果，指出了附加相位噪声测试过程中的一些注意事项，希望对附加相位噪声测试人员有一定的借鉴意义。 用于4G-LTE频段噪声测试
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MOSFET 噪声
摘要 – 近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。PWM移相控制全桥转换器就是其中一个深受欢迎的软硬结合的开关电源拓扑，能够在大功率条件下达取得高能效。本文旨在于探讨MOSFET开关管在零压开关(ZVS)转换器内的工作特性。 1. 前言 零压开关移相转换器的市场定位包括电信设备电源、大型计算机或服务器以及其它的要求功率密度和能效兼备的电子设备。要想实现这个目标，就必须最大限度降低功率损耗和无功功率
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MOSFET ZVS
本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 其他MOS管符号 2、工作原理(以N沟道增强型为例) (1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，
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场效应管
增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 1. 结构和符号(以N沟道增强型为例) 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2. 工作原理(以N沟道增强型为例)
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场效应管
1.共源极电路 共源极电路可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:
2. 共漏极电路(源极输出器) 共漏极电路如图16-15 所示。该电路中除有源极电阻Rs提供的自偏压外，还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压
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场效应管 共源极电路
场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(Metal Oxide Sem
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场效应管 二极管
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里第四部份似乎很相似，这样做可行么? 问题分析： 系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定的效果。然后，降低驱动电压，正常工作时候，RDSON会增大，系统效率会降低，MOSFET的温度会升高，
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MOSFET 芯片
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 驱动电路
1)静态工作点的测试 上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。 2)输入输出阻抗的测试 (1) 输入阻抗的测量 上图是伏安法测试放大电路的连接图。其在输入回路中串接一取样电阻R，输入信号调整在放大电路用晶体管毫对地的交流电压VS与Vi，这样求得两端的电压为VR=VS-V
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场效应管 放大器
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功
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MOSFET 功率放大电路
采用结型场效应管加大输入电压范围电路图采用结型场效应管加大输入电压范围电路意，图4所示电路的输出电流主要取决于IDSS。一般而言，不要在回路中串联电流取样元件。当电源直接安装在电路主板上时，输出短路的可能性...
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结型 场效应管 输入电压
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
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