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场效应管(mosfet)检测方法与经验 文章 进入场效应管(mosfet)检测方法与经验技术社区

场效应管分类作用参数和管脚识别

  • 　　文章主要讲解场效应管分类作用参数和管脚识别的方法。　　概念:　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.　　特点:　　具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.　　作用:　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容
  • 关键字： 场效应管  

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分

  • 　　在《估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。　　本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。　　    　　图 1 将散热容加到&nb
  • 关键字： MOSFET  电路板  

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。　　热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。图 1 所示 
  • 关键字： MOSFET  

看懂MOSFET数据表，第2部分—连续电流额定值

  • 　　今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。　　例如，大多数部件中都有FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降
  • 关键字： MOSFET  

场效应管（MOSFET）检测方法与经验

  • 　　本文总结了场效应管(MOSFET)检测方法与经验　　一、用指针式万用表对场效应管进行判别　　(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔
  • 关键字： 场效应管  MOSFET  

看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值

  • 　　在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可，而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说：开关时间)。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。 　　自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被
  • 关键字： MOSFET  UIS  

一种宽范围可调的小型DC-DC降压变换器

  • 提出了一种小型可调压DC-DC降压变换器的结构。主电路由MOSFET管、电感器及滤波电容器构成。通过PWM波控制，由于PWM波的驱动能力较差，设计驱动电路通过与PWM发生器一同控制MOSFET管的通断。通过改变PWM波的占空比来改变输出电压以达到可调压的目的。该降压变换器设计简单、经济适用、体积较小，输出电压可调。主要由主电路和驱动电路组成。该变换器适用于较低压工作场合，输入电压在5V至20V之间，输出电压在3V至18V之间。对电路的工作原理和结构进行了深入分析，并通过实物制作验证其可行性。
  • 关键字： DC-DC降压  PWM  MOSFET  驱动电路  201601  

通俗话讲原理（六）：场效应管——不就是一个电控开关

  • 　　就要过年了，仔细想想怎么样也不能讲一个常用的mpn基本元件就讲两年吧!呵呵，无论如何抽空也要把最后一个常用的基本元件——场效应管给讲一下!　　场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦!　　好了，说到这里场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用　　    
  • 关键字： 场效应管  mpn  

快速定性判断场效应管、三极管的好坏的秘诀

  • 　　下面这篇文章主要介绍一下如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏希望对大家的学习有所帮助。　　一、定性判断场效应管的好坏　　先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。　　二、判断结型场效应管的电极　　将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空
  • 关键字： 场效应管，三极管  

意法半导体（ST）推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源

  • 　　意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。　　400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全
  • 关键字： 意法半导体  MOSFET  

【E问E答】如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏

  • 　　下面这篇文章主要介绍一下如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏，希望对大家的学习有所帮助。 　　一、定性判断场效应管的好坏 　　先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。 　　二、判断结型场效应管的电极 　　将万用表拨至R×
  • 关键字： 场效应管  三极管  

深度分析MOS场效应管在消费类电子中的电路设计

  • 　　当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。　　首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。　　在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
  • 关键字： MOS  场效应管  

如何通过配置负载点转换器提供负电压或隔离输出电压

  • 　　在温度高达 210 摄氏度或需要耐辐射解决方案的恶劣环境应用中，集成型降压解决方案可充分满足系统需求。有许多应用需要负输出电压或诸如 +12V 或 +15V 等隔离输出电压为 MOSFET 栅极驱动器电路供电或者为运算放大器实现偏置。我们将在本文中探讨如何使用 TPS50x01 配置降压转换器，提供负输出电压。此外，我们还将讨论如何通过提供高于输入压的电压来满足应用需求。　　TPS50601-SP和TPS50301-HT都是专为耐辐射、地质、重工业以及油气应用等恶劣环境开发的集成型同步降压转换器解决方
  • 关键字： MOSFET  TPS50601-SP  电压隔离  

场效应管工作原理

  • 　　下面分为几个方面给大家介绍一下场效应管工作原理，对于学习电子方面的同学，非常有帮助的。 　　场效应管工作原理(1) 　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击
  • 关键字： 场效应管  

意法半导体（ST）推出新款电源芯片，将大幅降低家电、照明及工业设备中的待机功耗

  • 　　横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出符合国际零待机功耗标准的新电源管理芯片，率先为白色家电(white good)、照明及工业设备提供唤醒功能智能管理方式。这也代表着电能吸血鬼(装置在被关掉或处于闲置状态时仍在消耗电能)将不复存在。 　　最大限度降低用电设备的待机耗电量(也称：电能吸血鬼)是设计人员长期努力的目标，这也推动了全世界启用IEA[1]等国际组织提出的节能建议，即在2010年和2013年前将电器待机功耗分别降至1W和0
  • 关键字： 意法半导体  MOSFET  
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场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍

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