- 功率器件一直都是由材料引导技术革新,硅材质的MOSFET已经应用多年,现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战,而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。
宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品,并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT,抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。
增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管作为宽频隙器件,其优势包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。 《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年,面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票,以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
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Vishay MOSFET 电子产品世界
- 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole Développement预计,从201
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美高森美 MOSFET SiC
- 开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
根据中国电源学会收集整理的数据,2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源,下同)产值达到855亿元,2009年达931亿元,
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开关电源 MOSFET
- 摘要:用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类,后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看,末级电流200mA是理想值。
前后级间耦合电容对听音影响较大,要求质量高些。
对于音频功率放大器而言,最好听的莫过于甲类放大器。根据频率分析的结果,由集成运算放大器构成的前级声音单薄、缺乏活力。所以,可不可以前级采用单管甲类放大器,后级采用甲乙类功率放大器?这样既兼顾听音需要,又兼顾效率的需要。目前,电子管音频功率放大器仍然占据
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FET 场效应管 功率放大器
- 1.前言
变频器在能源节约、电力环保方面意义重大,电动机驱动是电能消耗大户,约消耗全国65%发电量,近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用,其他家用电器例如变频冰箱,变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现,因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。
变频技术目前得到了广泛的应用,而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标,作为基础硬件,变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构,主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成,从图中可知,变频器电源
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AN8026 MOSFET
- 随着城市快节奏的发展,大多数人拥有自己的车,这也使得交通变得拥堵,而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源,不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能,但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战,汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗,许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能,而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机,当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
- Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器,带可调频率,整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制,可
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Allegro 双转换器 MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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供电处理器 凌力尔特 MOSFET 均流控制器 二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311,该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式,通过在副边检测信号以控制同步整流,无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。 LT8311 在 3.7V 至 30V
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凌力尔 MOSFET LT8311
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm x 2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出能接受 76V 输入的高效率降压型转换器 LTC3637,该器件可提供高达 1A 的连续输出电流。它在 4V 至 76V 的输入电压范围内工作,非常适用于电信、工业、航空电子和汽车应用。LTC3637 运用可编程峰值电流模式设计,在很宽的输出电流范围内优化效率。该器件提供高达&nbs
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Linear LTC3637 MOSFET
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
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