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台积电.晶圆代工 文章 进入台积电.晶圆代工技术社区

台积电洽购飞利浦子公司

  •   台湾《经济日报》周二援引未具名行业消息人士的话称,芯片代工龙头台积电正在就收购飞利浦电子旗下子公司飞利浦流明(Philips Lumileds Lighting Co.)一事进行洽谈,此举旨在增强台积电发光二极管(LED)业务。   报导称,台积电拒绝就此事置评。
  • 关键字: 台积电  LED  芯片代工  

台积电张忠谋重任CEO近百日:投行上调目标价

  •   9月19日,将是台积电董事长张忠谋重任CEO的第100天,在这100天内,他已经给了市场投资人一个大礼,而四大投行摩根大通夏鲍文、美林证券何浩铭、花旗陆行之及高盛吕东风,也都跟着调高台积电的目标股价。   根据台积电公布的最新财报,第三季合并营收约九百亿新台币,环比增长21%;第三季毛利率约为48%,大幅优于市场预期。今年资本支出预估也由年初的15亿美元上修至23亿美元,对半导体产业的复苏速度也比先前预期的更快,预估2011年产值即可恢复到2008年水准。   张忠谋一口气调高全球半导体产值、电子
  • 关键字: 台积电  晶圆  

台积电四季度将增加40/45nm制程300mm晶圆的产能

  •   据Digitimes报导,台积电公司计划未来数月内对40/45nm制程 300mm晶圆产品进行增产。尽管此前预计的四季度芯片销量有可能会下降3%左右,但台积电依然决定将40/45nm制程 300mm晶圆产品的产能提升1/3.按他们的计划,在今年剩下的四个月中台积电的45/40nm 300mm晶圆平均月产量将达4万片,而今年三季度的平均月产量则只有3万片。   今年三季度台积电只用上了93%的产能进行制造,而在剩下的几个月内他们的300mm产线显然要开足马力进行生产了。
  • 关键字: 台积电  晶圆  300mm  芯片  

全球DRAM业仅韩厂赚钱

  •   尽管近期DRAM价格大幅反弹,但估计2009年第3季仍仅有韩系两大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以赚钱,2010年再轮到美光(Micron)和尔必达(Elpida)转亏为盈,至于台厂方面,由于 2010年三星制程技术将晋级到40纳米,以目前台厂脚步,未来恐将会有多家大厂被迫淡出标准型DRAM市场。   DRAM价格虽已开始反弹,然复原最快厂商仍是三星,第2季已开始赚钱,预计第3季三星和海力士两大韩厂都可望进入获利,随著DRAM产业逐步复苏,美光和尔必达2
  • 关键字: 三星  DRAM  40纳米  晶圆代工  

台积电2009年­八月营收报告

  •   台湾积体电路制造股份有限公司今(10)日公布2009年八月营收报告,就非合并财务报表方面,营收约为新台币288亿8,800万元,较今年七月减少了4.6%,较去年同期减少了6.8%。累计2009年一至八月营收约为新台币1,687亿2,200万元,较去年同期减少了27.5%。   就合并财务报表方面,2009年八月营收约为新台币298亿2,700万元,较今年七月减少了4.3%,较去年同期减少了6.4%。累计2009年一至八月营收约为新台币1,747亿1,200万元,较去年同期减少了27.0%。
  • 关键字: 台积电  财务  

40nm工艺带来全新竞争力

  •   全球能源问题的集中爆发,让半导体产品的发展不再仅仅追求性能的提升,而是要综合考虑性能、功耗与成本的平衡点。与众多先进电源管理方案实现降低系统功耗相比,制程工艺的进步才是提升性能和降低功耗最根本的办法,转向更高制程无疑是提升半导体产品性能功耗比和市场竞争力最直接有效的办法。   市场研究机构Gartner Dataquest产业分析师Kay-Yang Tan表示,过去数十年来,集成器件制造商(IDM)在工艺技术及服务的创新方面扮演领航者的角色,未来也将继续在新一代产品的开发上扮演重要的角色。同时,专业
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台积电打入CPU代工市场 获Sun高端处理器订单

  •   经过一年半的合作,台积电终于拿下首颗高阶服务器处理器代工订单,正式进入CPU代工市场!美国Sun Microsystems最近在美国Hot Chips大会中,发表新款16核心Rainbow Falls系统处理器,该款处理器主要委由台积电40纳米制程代工,明年可望顺利量产投片,成为台积电明年营收成长的主要动力来源之一。   台积电与Sun在去年2月底宣布合作,Sun将把先前的服务器用UltraSPARC处理器,委由台积电以45/40纳米代工,未来世代的处理器也将交由台积电生产。另外,台积电也与Sun合
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LCD驱动IC设计公司砍单 晶圆代工、封测业乌云来了

  •   近日大陆晶圆代工厂华虹NEC受到LCD驱动IC客户投片减少波及,而部分台湾LCD驱动IC设计客户除了暂缓对台系晶圆代工厂增加投片,对于大陆晶圆代工厂释出的代工订单也大幅缩水。由于大陆LCD大尺寸显示器终端需求已被之前所备料的库存给满足了,因此上游晶圆代工、封测业者对于新一波订单恐极速下滑都「剉著等」。   华虹NEC与苏州和舰都是大陆主要替LCD驱动IC代工的晶圆厂,日前华虹NEC执行长邱慈云还亲自来台拜会客户,显见其对台系客户的重视。不过大陆半导体业者指出,由于多家大尺寸驱动IC客户遭到面板厂砍价
  • 关键字: 华虹NEC  LCD  驱动IC  晶圆代工  

晶圆代工大客户砍单力道不轻 台积电、联电4Q成长笼罩阴霾

  •   台积电于日前召开业务会议,对于2009年第4季客户投单状况已更趋明朗,由于手机芯片客户高通(Qualcomm)及FPGA(Field-Programmable Gate Arrays)芯片大客户赛灵思(Xilinx)、Altera纷缩减第4季订单,使得台积电、联电对于第4季营收成长幅度趋于谨慎观望,而在主流成熟制程方面,LCD驱动IC客户包括奇景、联咏已停止向晶圆代工厂增加订单,显示LCD终端需求恐已呈现疲软、甚至有崩盘之虞。   台积电全球业务会议日前召开,由于客户近期纷与台积电敲定第4季最新投片
  • 关键字: Qualcomm  手机芯片  FPGA  晶圆代工  

飞索澄清“暂停与武汉新芯的合作”纯属误解

  •   针对先前有媒体报导飞索暂停了与武汉新芯的合作,飞索公司企业营销总监John Nation昨日驳斥上述说法,并指出这是一场误解。事实上,飞索与中芯国际和武汉新芯的合作,都还在持续进行中,包括尽快移转43纳米的技术,还有一个大型工作团队正在努力进行65纳米的生产产能验证资格,为明年2010年第二季的合作量产做好准备。   飞索指出,该公司受到金融风暴和破产重整的影响,打乱了原先2008年的规划,65纳米的生产提早于2010年第二季前实现的计划已经落空,所以现阶段飞索只能自行利用内部已有设备生产。可是,预
  • 关键字: 飞索  晶圆代工  43纳米  65纳米  90纳米  

2012年晶圆代工将增长22% 3倍于产业均速

  •   据外电报道,全球半导体产业复苏脚步加快,野村半导体产业分析师徐袆成表示,配合IDM扩大委外释单,全球晶圆代工从今年到2012年的营收年复合增长将大升22%,是半导体产业增长速度的3倍,更将是半导体供应链中最赚钱的产业。   台积电和联电在SOI技术与先进制程等占优势,是这一波IDM扩大委外释单的主要受惠者。   明年第二季度起,各产品线都会开始赚钱,且获利增长力度将延续到2012年。
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  

晶圆代工景气回升 武汉新芯受益

  •   虽然其合作伙伴飞索半导体申请破产,武汉新芯与飞索65纳米,43纳米的技术研发及专利授权方面,仍在持续进行当中。   武汉新芯于2006年6月28日开工建设,为中国中部地区第一条12英寸集成电路生产线,由湖北省、武汉市、东湖高新区三级财政共同投资,并委托中芯国际经营管理。   据中国经济网记者了解,武汉新芯的12英寸晶圆厂有能力供应多种先进制程的产品,产品线包括90纳米至43纳米制程的存储芯片和闪存产品。武汉生产线产能可以加工客户订单的需求,预期还有多笔订单会陆续进来。目前90纳米的产品线,月产能3
  • 关键字: 飞索  晶圆代工  65纳米  43纳米  90纳米  

亚太晶圆代工厂2009年下半扮演资本支出复苏推手

  •   SEMI World Fab Forecast最新出炉报告,2009年前段半导体业者设备支出下滑,其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而,资本支出在2009年第2季便已呈现落底,目前在整个产业供应链也已经看到稳定回升的讯号,其中晶圆代工厂2009年下半年扮演资本支出复苏推手,存储器晶圆厂、后段封测则跟进。   晶圆代工厂台积电宣布,增加2009年资本支出回复到2008年19亿美元的水平,比起原本的预测提高了26%左右。随后,台积电第2季的投资法人说明会上,台积电又进一步
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  NAND  

台积电28纳米明年1Q试产 迎击IBM阵营

  •   台积电28纳米制程再迈大步,预计最快2010年第1季底进入试产,2011年明显贡献营收,台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单,目前28纳米制程技术最大竞争对手,仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered),双方竞争更趋激烈。   台积电表示,已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图,预计2010年第3季进行试产,至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
  • 关键字: 台积电  28纳米  gate-last  

台积电将低功耗高k金属栅工艺纳入28纳米技术蓝图

  •   台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。   台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言,低耗电氮氧化硅(简称28LP)工艺预计于2010年第一季底进行试产,高效能高介电层/金属闸(简称28HP)工艺则预计于2010年第二季底开始试产,而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)工艺的试产时程
  • 关键字: 台积电  28纳米  HKMG  
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