- 全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3模块，由于DDR3模块在现货市场货源奇缺，使得部分下游通路商亦跟进DRAM大厂，采取搭售策略，希望在DDR2与DDR3 模块世代交替的同时，避免产品价格严重背道而驰。
近期DRAM市场已呈现两极化发展，DDR3芯片市场缺货情况持续恶化，但DDR2芯片库存却是愈堆愈多，存储
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DRAM DDR3
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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海力士 DRAM 存储器
- 据国外媒体报道，由于计算机内存芯片供不应求可能有助于利润创下4年来新高，全球第二大内存芯片厂商海力士计划今年偿还逾1万亿韩元债务(约合8.88亿美元)。
海力士首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)日前在接受采访时表示，“我们的目标是，在进行必要投资的同时偿还巨额债务。目前，海力士有息债务约为7万亿韩元(约合62.16亿美元)。”
更少的债务和更高的利润有助于海力士吸引其他收购方。去年11月，晓星公司撤消了收购海力士的收购要约。分析师称，由于PC需求增长，今年
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DRAM 内存芯片 DDR3
- 2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道，由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑，多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道，台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计，今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度，DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始，力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。
另一家DRAM大厂
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DRAM DDR2 DDR3
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2009年DRAM产业在地狱和天堂里各走一遭，年初1颗DRAM均价还在0.5美元，当时生产成本还在2美元，可见亏损有多严重，各厂只好宣布停工、减产，巨额亏损的问题延伸至台、美、日DRAM厂大整合阶段，也演变成国与国之间的战争。但到了年底，DRAM厂又开始生龙活虎起来，中间历程看似短短 365天，但个中辛酸DRAM厂冷暖自知，未来各界看好DRAM产业有2年的好光景，终于摆脱地狱魔咒，前进在通往天堂的路上。
365天之间可以发生多少事?它可以让平均每天亏损新台币1亿元、每1季亏损超过百亿元的DRAM
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Microsoft DRAM DDR
- DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶，预计第1季底DDR3比重将达70%，速度超乎预期。不过，亦有业者认为，若大家都抢著把DDR2产能转走，说不定会意外让DDR2跌势止稳，反而有利于DDR2价格走势。
台 DRAM厂表示，原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会，因为DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存储器
- 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NAND Flash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NAND Flash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NAND Flash三哥宝座，并防止三星电子(Samsung Electronics)和东芝(
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存储器 DRAM NAND
- 韩国海力士半导体的债转股股东，将对出售的股份规模持灵活态度，这部分股票市值最高达35亿美元。这些股东计划在今年上半年挑选出一买家。
这些股东包括韩国外换银行和国有的韩国金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半导体28%的股权，将在1月29日前收到初步购买要约。海力士半导体是全球第二大存储芯片制造商。
韩国金融公司首席执行官Ryu Jae-han称，“谈到股票规模,可能仅会出售15%，不过这取决于股东委员会的决议。”该公司是去年末从韩国产业银
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海力士 DRAM
- 晶圆代工12寸高阶产能吃紧，加上8寸晶圆厂营运也维持高档，已传出上游硅晶圆厂交货不及，产能无法应付晶圆代工业者所需，确定2010年第 1季硅晶圆报价将调涨5~10%;加上目前晶圆代工第2季订单恐不俗，DRAM存储器晶圆厂也都陆续恢复产能，第2季可能再接力调涨约10%。
继大陆太阳能电池生产用硅晶圆传出调涨之后，晶圆代工厂用硅晶圆也确定涨价，目前2010年第1季涨价幅度介于5~10%之间。由于晶圆代工厂包括台积电在内高阶制程产能满载，更有吃紧之虞，包括硅晶圆大厂Shin-Etsu与代理商崇越、Su
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DRAM 晶圆代工
- DRAM业在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM厂商积极扩产应对。其中台塑集团的南科、华亚科最为积极，华亚科全年资本支出更比2009年呈倍数成长。
南科、华亚科已迈入50纳米制程技术阶段，南科暂定2010年资本支出约为5.9亿美元，比2009年增长逾45%。南科预计，在第二季度时，旗下月产能3万片的12英寸厂将全部以50纳米制程投片，第三季度所有产品都采用50纳米制程投片。
看好DDR3将成为2010年主流，南科计划逐步提升DDR3产品的比重，目标由2009年第四季度的30%-40%提
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Elpida 50纳米 DRAM 晶圆
- 编者点评(莫大康 SEMI China顾问)：国际上有许多市场分析公司与机构，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。为什么它们的预测值不同，有时差异还不小。据编者的看法任何预测都有三类，即乐观、中等和悲观。另外，由于每个市场分析公司其数据来源及分析的范围各不同，所以数据不一样是正常的。那该如何来观察与判断呢?通常要找品牌，即有些公司的数据相对可靠(经验值)，如半导体数据是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而设备材
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IC NAND DRAM
- 一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产，良率水平优于预期，确定2010年可一举进入40纳米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新台币120亿元，就可将旗下8万片12寸晶圆厂全数转到40纳米制程，与美光及南亚科、华亚科阵营对战烟硝味浓厚。
DRAM产业在50纳米制程是重要分水岭，除技术难度外，1台动辄逾新台币
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Elpida DRAM 50纳米
- 韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。
反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。
2007年1月，FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查，侦查是否有操纵价格的事实，之后已针对全球4家企业进行调查，其中2家位于韩国，另外2家分别在美国和日本，但FTC并未公布详细的企业名单。
韩国快闪记
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Hynix DRAM DRAM
- 华亚科办理6.4亿股的现金增资，南亚科和美光(Micron)等大股东按原持股比例认购现增额度，但近期传出美光向台塑集团摊牌，希望能增加认购比例，争取华亚科更多股权，惟台塑集团回决此提议，认为目前「等权共治」策略较佳。内存业者表示，在瑞晶股权落入尔必达(Elpida)手中后，华亚科主导权亦成为台、美双方角力战场，背后意义在于DRAM产能分配和潜在市占率。不过，针对美光要求提高华亚科持股一事，华亚科与南亚科均不予置评。
2009年台DRAM产业整合计划白忙1年，而茂德与海力士(Hynix)分手，亦使
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华亚科 DRAM DDR3
动态随机存取内存(dram)介绍
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