台“经济部”长施颜祥自APEC返回台湾，17日对媒体表达“经济部”对推动DRAM产业再造的最新看法。对于“立法院”经济暨能源委员会上周做出要求政府停止推动DRAM产业再造主决议，施颜祥表示将持续向立委说明DRAM产业尚有许多根本问题未解决，因此仍有必要进行改造。
施颜祥表示台湾DRAM业者每年要给国外的技术授权金高达新台币200亿~300亿元，产业再造方案必须解决存在于DRAM产业中很多不利因素。
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半导体 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程，成本结构再度领先竞争同业，而美光 (Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出，尔必达(Elpida)也将导入Extra 65纳米制程，之后跳40纳米制程，2010年全球DRAM产业成本进一步下滑。
三星目前56纳米制程DRAM产能比重超过一半，并已开始小量采用新一代的40纳米制程生产DDR3芯片，成本结构再度领先同业，市调机构预估，
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三星 40纳米 DRAM
电子产业正在逐渐复苏，但市场上仍存在一些不确定因素;有人认为2010年将欣欣向荣，也有人认为会出现更严重衰退…究竟2010年会是个什么样?以下是EETimes针对不同的市场领域，收集不同分析师看法所整理出的一些预测信息。
半导体
市场研究机构Databeans分析师SusieInouye表示：“一如预期，美国半导体市场是首个恢复年成长的地区，第三季营收较去年同期成长了8%;同时间全球半导体市场业绩表现还比08年同期衰退10%。”该机构预期全球半导体市场
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半导体 DRAM 晶圆代工
市场研究机构DIGITIMES Research指出，2007年以来，全球DRAM厂商在过度乐观的预期下，相继投入产能扩充竞赛，这也使得DRAM供过于求的阴影挥之不去;自此，DRAM价格持续下挫，过去八季中，除龙头厂商三星电子外，多数DRAM厂商也都难逃严重亏损的命运。
其中，德国DRAM制造商奇梦达更因不堪亏损，于2009年第一季宣布破产，自此退出DRAM市场。正因如此，新一代DRAM规格DDR3的推出，被视为全球DRAM产业再起的重要关键。
DIGITIMES Research指出，事
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奇梦达 DRAM DDR3
尽管台湾创新存储器公司TIMC在立院紧急喊卡，但最近与TIMC洽谈合作的日商尔必达，仍是与台湾的茂德、华邦电进行业务合作，如果加上力晶和瑞晶，也形成台日5家DRAM厂，联手抗韩的局面，尔必达系统厂商，未来的市占率和排名第二的韩国海力士，也只有百分之零点三的差距。至于尔必达与茂德、华邦电的合作，是否由宣明智穿针引线，他则是强调对方相当重视台湾业界。
全球DRAM大厂日商尔必达，连日来动作频频，接连与茂德和华邦电进行合作计画，加上力晶本来就是尔必达的合作厂商，又握有瑞晶六成四的股份，以尔必达为首的台
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TIMC 存储器 DRAM
台“经济部”力推「DRAM产业再造方案计画」，在宣布台湾创新存储器公司(TIMC)已获审查通过后，“立法院”经济委员会11日提出重要决议，要求“经济部”停止推动DRAM产业再造计画，等同禁止“经济部”协助TIMC获得国发基金投资。
值得注意的是，目前TIMC浮上台面投资金主包括矽品、京元电、兆丰金等，潜在投资者更囊括半导体产业和创投资金，但前提必须是TIMC要明确获得国发基金资金挹注，原本投资TIMC
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TIMC DRAM
据台湾媒体报道，11月上旬动态随机存取内存(DRAM)合约价出炉，DDR2 1Gb与DDR3 1Gb颗粒合约均价皆大涨超过15%，DDR2 2Gb合约均价涨幅也达13.9%，预估11月下旬DDR2合约价可望持续攀高，以合约市场为主的南科、华亚科预估受惠较大。
集邦科技昨最新报价，11月上旬DDR2 1Gb颗粒合约均价达2.38美元，比10月下旬大涨15.53%;DDR3 1Gb颗粒合约均价达2.25美元，大涨15.98%。
另DDR2 2Gb合约均价从36美元上涨到41美元，涨幅达13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
2009年DRAM产业没有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合约价持续大涨近20%，2GB DDR2模块甚至一度飙到50美元天价，足见PC OEM厂拉货力道没有休息迹象，DRAM厂为确保DDR2和DDR3买气同步增温，趁机向下游厂祭出搭售方式。DRAM厂认为，随着PC OEM厂第4季大量转进DDR3平台，未来DDR3现货及合约价将同步凌驾DDR2，而现货市场DDR3报价亦展开攻势，一举站上3美元大关。
DRAM价格11月上旬涨幅超乎预期，2GB DDR2模块涨势尤其猛烈，大涨19~21%，平均价
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DRAM DDR2 DDR3
茂德(ProMos)已和尔必达(Elpida)签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。
茂德表示，代工服务以尔必达最先进的1G DDR3产品为主，预计2010年上半完成试产，2010年下半大量生产。此外，尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月将使用多达3.5万片12寸晶圆为尔必达制造芯片，同时，采用65奈米制程技术。
茂德董事长暨总经理陈民良表示，尔必达在全球DRAM产业中以尖端制程技术的创新研发
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Elpida DRAM 晶圆 DDR3
根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
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三星 DRAM DDR3 DDR2
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
全球半导体产业受金融危机的冲击已经一年过去。此次危机是历史上最严重的一次，所以尽管各国政府都奋力相救，但是由于受损太严重，产业的完全康复仍需要过程与时间。
至此，产业链中各类公司今年前三个季度的财报都已纷纷出笼，正如ICInsight公司所言，如果依季度比较，工业恢复的过程十分明显。今年的Q1是惨不成睹，仍在下降轨迹，半导体的产能利用率在50%以下，各类投资几乎为零。到Q2时已经看到回升的迹象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3结束时，部分公司已经扭亏为盈，工业已经明显看到好转的局面，但是与去年
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半导体 DRAM
力晶在DRAM价格强劲回文件下，将恢复财务自主能力，力晶董事会2日通过，从明年开始停止纾困，全力正常恢复营运，可望从明年起针对银行正常还款。力晶对第四季价格仍保持每颗2美元至2.5美元的乐观预期，今年第四季将有机会转亏为盈。
力晶昨日领先各大DRAM厂，率先公布10月营收，由于产能满载，加上DRAM价格回文件，该公司10月营收达42.39亿元(新台币，以下同)、较9月大增28%，创下今年以来新高，预估11月、12月营收将会维持持续成长的动能。
力晶指出，在政府政策与银行团大力支持之下，透过
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力晶 DRAM 封测
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强越过2.5美元后，颇有朝3美元的实力，各厂全产能投片后，可望力拼单月损益两平，其中力晶旗下瑞晶第3季已转亏为盈，力晶董事长黄崇仁也表示，若报价维持在2.5美元水平，第4季也有机会挤身获利之林。
DRAM 产业在2008年此时受到供过于求严重失衡的影响，亏损严重到一度将存储器
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力晶 DRAM 晶圆
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5纳米 DRAM NAND
动态随机存取内存(dram)介绍
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