据国外媒体报道，数家亚洲大型芯片厂商财报预期显示，本季度有望实现数年来的首次扭亏为盈，芯片下滑趋势或将结束。
三星电子本月初表示，其季度利润有望超市场预期，分析师对其预期为每股收益1.98万韩元(约合16.83美元)。
投行Macquarie Group对三星股票评级为“表现突出”(outperform)，将三星目标股价由84万韩元调高至90万韩元。该投行在研究报告中称，因三星上半年收益强劲，预计其股价将持续上涨。周一，三星股价在首尔股票交易所收盘于75.3万韩元(
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海力士 DRAM 内存芯片
尽管上周南亚科及华亚科法说会时，公司对于DRAM市场多抱持乐观看法，不过台湾创新存储器公司(TIMC)董事长宣明智26日上午参观台湾宽频通讯展时却表达保守看法，认为DRAM年年都要过冬，对DRAM景气没有那么乐观，针对DRAM产业再造合并时机已过，他则表示，该做的就做。
对于近期DRAM价格回稳，宣明智认为价钱回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目竞争情况下，DRAM价格杀到低于变动成本，目前DRAM市场价位回升，也颇为合理，宣明智表示，希望能大家都够抓住机会，掌握未来竞争条件，这样才能让整
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南亚科 DRAM 华亚科 TIMC
力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，对内存产业无疑是一枚深水炸弹，不论就技术自主、产能整合和产业创新等条件上，TFC都是力晶精心策划下的「政治正确」产物，从条件论而言，“经济部"很难直接拒绝TFC计划，尤其是现在台湾创新内存(TIMC)的技术来源尔必达(Elpida)在日本政府资金介入后，传出不让台湾地区政府投资的谣言不绝于耳，力晶在此时拿出TFC计划，就算不能获得政府补助，也达到破坏TIMC的目的，台湾内存产业整合大戏未来要如何演下去，在各厂底
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力晶 DRAM 内存
市场研究公司iSuppli称，今年第二、三季度DRAM内存芯片销售额和价格环比增幅创下过去5年来的最高记录，这表明市场正在复苏，这一趋势将至少持续到明年。
据国外媒体报道称，iSuppli发布的初步统计数字显示，第三季度全球DRAM芯片销售额环比增长了35%，第二季度环比增长了34%。iSuppli分析师迈克·霍华德发表声明称，这些数字表明DRAM市场确实在复苏中，价格的持续增长是DRAM内存芯片走出低迷的又一个迹象。
iSuppli表示，过去两个季度终结了DRAM内存芯片销
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内存芯片 DRAM
韩国海力士半导体预估，动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲，并指出合约价格可能在11月进一步扬升，12月时趋稳。
海力士公司主管在投资人电话会议中称，由于产业供应增长有限，2010年料出现DRAM短缺。
他们表示，低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
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海力士 DRAM DDR3
研究机构iSuppli表示，第2、第3季DRAM销售额与价格连续增长的幅度，至少创下5年来之最。该机构遂看好产业后市，2010年也将持续复苏。
据国外媒体报道，根据iSuppli初步预测，第3季全球DRAM销售额季增35%，第2季则增长34%;全球DRAM平均售价上涨21%，同样超越第2季增幅的19%。
iSuppli表示，就全年销售额来看，全球DRAM市场自2007年起连续衰退后，今年虽有第2、第3季的支撑，但由于首季表现太差，2009全年仍将下滑12.9%。
2007年全球DRA
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三星 DRAM
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 内存 存储
北卡罗莱纳州立大学的工程师声称已经开发出一种比人的指甲还要小的芯片，它可以加大目前DRAM内存芯片的容量50倍，理论上可以实现一个指甲大小的芯片寸1TB数据。
学校的材料科学与工程系教授Jagdish Narayan表示他通过添加镍、氧化镁，混合金属和陶瓷来完成了数据存储容量的改变，新的合金镍原子占用空间不到10平方纳米，最困难的挑战就是精确的纳米点和读取方式，目前通过使用脉冲层，研究人员就能够实现对过程的控制。
Jagdish Narayan认为，原型产品可在1-2年出现，而且价格并不比
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内存芯片 DRAM
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全数出货2Gb DDR3芯片，赶搭DDR3主流列车;华亚科则预计2010年第1季50纳米制程量产，2010年底旗下13万片12寸晶圆厂产能全转至50纳米制程，南亚科和华亚科2010年资本支出合计将达640亿元，主要用于50纳米制程。
南亚科和华亚科第3季营运表现明显好转，对于先
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南亚科 DRAM 50纳米 DDR3 68纳米
随着DRAM价格开始反弹，南亚科和华亚科财报亏损金额大幅减少，南亚科发言人白培霖指出，11月DRAM合约价可持续成长，更看好PC市场因为Vista因素，累计整整3年未换机的能量，加上近2年DRAM产业都没有新产能开出，将在2010年出现供不应求的情况，甚至重演1995年DRAM产业的黄金年代，当时1年的DRAM产值超过400亿美元，达到史上最高纪录。
白培霖指出，2009年DRAM合约价从8月开始，每个月以成长20%的速度往上调，11月DRAM合约价可持续成长近2个月DDR3几乎是持平，主要涨幅
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南亚科 DRAM DDR3
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
10月20日是台“经济部”「DRAM产业再造方案」送件的最后期限。立法院经济委员会关切DRAM前途的立委19日几乎一致要求，在政府国发基金还未投资之前，“经济部”的DRAM产业再造方案应赶快煞车，或「下车」、「了断」。
“经济部”「DRAM产业再造方案」迄今只有联电荣誉董事长宣明智主导的台湾创新存储器公司(TIMC)，以整合尔必达(Elpida)、茂德的营运计画书送至“经济部”，外传整合华邦电失利的南
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Elpida DRAM
晶圆代工产能吃紧?这句话若在6个月前说出，肯定会笑掉人家大牙，不过面对2009年第4季台系2大晶圆代工厂产能利用率仍近90%，加上设备供应商2008年底、2009年初停掉的生产线无法有效恢复，而台积电又包下不少新增机台订单后，在全球晶圆代工产能2010年的开出速度及幅度肯定不若预期下，2010年第2季晶圆代工产能会吃紧，已是有迹可寻。
从 2009年第1季全球半导体产业景气触底以来，我们已听过太多生产线开工不及，产线良率拉高不顺，产能开出不若预期的消息，如TFT面板厂、DRAM厂生产完全停工，台
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台积电 晶圆代工 DRAM IC设计
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科的DRAM整合策略再度大转弯，从原本坚持一定要送件，以争取与台湾创新存储器公司(TIMC)同等待遇的补助款，19日改口考虑不一定会送件;业者透露，原本台塑在计划书中提议要整合的对象为华邦电，但华邦电却表示无意参与这次的整合，让台塑内部相当头痛，于是提出腹案，考虑不提计划书，而改采诉诸媒体公论方式瓦解TIMC。
这次“经济部”提出的「DRAM产业再造方案」，目前仅有TIMC提出申请计划，外界相当期待台塑集团加入申请补助行列，随著最后申请截
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南亚科 DRAM 晶圆
日系DRAM大厂尔必达(Elpida) 2010会计年度第2季(7~9月)出现连亏8季以来的首度由亏转盈，营收960亿日圆(约10.66亿美元)，营业利益5亿日圆，加上日前1Gb容量 DDR2价格冲上2.5美元价位， DRAM厂营运状况大幅转好，更开始进入获利状态。业界预估，如果DRAM价格2美元以上的水平可以再维持1季，尔必达即不需要获得日本政府基金的补助款，届时美光向美国WTO告状一事，也不会成为困扰。2009年尔必达打算跳过50奈米制程，直接投资40奈米制程生产线，成本大幅降低，可正式与三星电子
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Samsung DRAM DDR2
动态随机存取内存(dram)介绍
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