IT之家 6 月 28 日消息，美光在业绩演示文稿中表示，其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运：译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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美光 内存 晶圆厂
据韩媒报导，随着AI应用热度不减，三星电子日前告知戴尔、慧与（HPE）等主要客户，将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15～20％。 台系内存模块大厂闻讯分析，三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨，以期拉抬目前略显疲软的现货价行情，但合约价实际成交价格，仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分别是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根据外电报导指出，三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格，调
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三星 内存
HBM 商机稍纵即逝，需要抓紧时间。
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内存
IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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HBM 内存 三星
就人工智能（AI）装置的硬件来看，关键的零组件共有四大块，分别是逻辑运算、内存、PCB板、以及散热组件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角，更是使用者体验能否优化的重要辅助。而随着AI大势的来临，中国台湾业者也已做好准备，准备在这些领域上大展拳脚。逻辑组件扮枢纽 中国台湾IC设计有商机对整个AI运算来说，最关键就属于核心处理组件的部分。尽管中国台湾没有强大的CPU与GPU技术供货商，但在AI ASIC芯片设计服务与IP供应方面，则是拥有不少的业者，而且其中不乏领头羊的先进业者。在AI ASIC芯片设计方面，
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IC设计 PCB 散热 处理器 内存 AI
6月5日，美光科技宣布出样业界容量密度最高的新一代GDDR7显存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，速率高达32Gb/s。性能上，GDDR7的系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升高达60%，并配备四个独立通道以优化工作负载，从而实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超过50%，实现了更优的散热和续航；全新的睡眠模式可将待机功耗降低高达70%。美光GDDR7还具备领先的可靠性、可用性及适用性（RAS），在不影响性
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美光 GDDR7 内存
据JEDEC（固态技术协会）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明确会以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。DDR6内存最低频率8800MHz，可提高至17.6GHz，理论最高可以推进至21GHz，远超DDR4和DDR5内存。CAMM2是一种全新内存标准，同样支持DDR6标准内存，也就是适用于台式PC等大型PC设备。JEDEC预计，将在今年内完成DDR6内存标准的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具体产品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。从LPDDR6来看，该内存产
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DDR6 内存 存储
6月2日消息，台北电脑展2024的展前主题演讲上，NVIDIA CEO黄仁勋宣布了下一代全新GPU、CPU架构，以及全新CPU+GPU二合一超级芯片，一直规划到了2027年。黄仁勋表示，NVIDIA将坚持数据中心规模、一年节奏、技术限制、一个架构的路线，也就是使用统一架构覆盖整个数据中心GPU产品线，并最新最强的制造工艺，每年更新迭代一次。NVIDIA现有的高性能GPU架构代号"Blackwell"，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游
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NVIDIA Rubin GPU Vera CPU 3nm工艺 HBM4 内存
IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
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南亚科技 内存 DRAM
IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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SK海力士 内存 HBM4E
近期，日媒报道美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，美光计划投入约51亿美元。上述新厂有望于2026年动工，并安装EUV设备，最快2027年投入运营。据悉，美光曾计划该工厂能在2024年投入使用，然而由于当前市场环境的挑战和不确定性，美光调整了原定的时间表。近年日本积极出台补贴政策吸引半导体大厂赴日建厂，美光同样可以获得补贴。2023年10月，日本经济产业省正式宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1920亿日元的补贴，以支持在日研发下一代芯片。
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美光 存储 内存
有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。外媒Tom′s Har
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三星 内存 HBM
当前低功耗问题仍是业界关心重点。根据国际能源署(IEA)最近报告显示，考虑到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次请求消耗2.9Wh，每天进行90亿次搜索，每年需要额外消耗10太瓦时(TWh)的电力。从预计销售的AI服务器需求来看，到2026年，AI行业可能会呈指数级增长，消耗的电力需求至少是去年的十倍。德州仪器首席技术官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服务还转向移动和PC设备，这导致功耗激增，因此这是一个关键的讨论话题。因应市场需求，目前业界正积极致力于
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内存 存储技术
IT之家 5 月 22 日消息，在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上，SK 海力士带来了多款存储领域新品，涵盖内存、固态硬盘品类。在消费级固态硬盘领域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固态硬盘。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 规格，支持 M.2 2230/2242/2280 三种物理规格，可选 256GB~1TB 容量。限于图片分辨率，IT之家无法确认 PVC10 的具体读写性能，预计将强于此前推出的 BC901。而在企业级固态硬盘方面，SK 海力
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SK海力士 固态硬盘 内存
IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示，美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。美光预计 HBM 内存将在其截至 2024 年 9 月的本财年中创造数亿美元量级的营收，而在 25 财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。美光预测，未来数年其 HBM 内存位元产能的复合年增长率将达到 50%。为了应对 HBM 领域的强劲需求，美光调升了本财年资本支出的预计规模，从 75~80 亿美
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美光 HBM 内存
内存 介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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