2022年已经接近尾声，3nm制程的竞争似乎也进入到了白热化阶段，台积电和三星谁先真正实现3nm制程的量产，一直都是产业的焦点。虽然需要用到3nm芯片的厂商少之又少，但这并不妨碍它是巨头争相追逐的对象，毕竟对于整个半导体产业来说，抢先掌握先进工艺是占领市场最关键的部分。
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当前全球半导体市场的状况并不乐观，在消费电子产品需求下滑的影响下，存储芯片的价格与需求双双下滑，三星、SK海力士等存储芯片厂商均受到了影响。但在不利的市场状况下，并未影响三星的投资决心，他们在半导体工厂方面仍在大力投资。外媒最新的报道显示，三星今年前三季度在工厂方面已完成329632亿韩元的投资，其中半导体工厂方面的投资高达291021亿韩元，折合约219.55亿美元，占到了全部工厂投资的88%。不过从数据来看，虽然三星电子在半导体工厂方面仍在大力投资，但他们今年前三季度的投资，其实不及去年同期。去年前三
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IT之家11月15日消息，三星 SDI 正在推动与两家全球汽车制造商分别在美国建立合资电动汽车电池厂。这两个合资项目的总成本估计为 80 亿美元，其中三星 SDI 预计将投资 40 亿美元。有分析认为，三星集团的这一大规模投资计划表明，三星集团对电动汽车电池事业的保守态度正在发生变化。他们计划建设一家年产能 50GWh 的工厂，从而满足为 67 万辆续航 500 公里的电动汽车提供动力电池的需求。为此，三星 SDI 和通用汽车将各自投资约 20 亿美元。三星 SDI 的锂电池IT之家了解到，通用汽车此前已
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据报道，随着智能手机市场的持续下滑，全球第一大智能手机厂商三星计划大幅调降明年智能手机出货量的预期，内部规划其明年智能手机生产目标将落在2.7亿部，虽然与今年调整后的目标2.6亿略有增长，但是相比之前的预期的2.9亿部则减少了2000万部，与今年的原本出货目标相比则减少了3000万部。其中，高端S系列旗舰机型产量维持与今年相当，砍单机型主要是原本为销售主力的A系列与M系列中低端机型，联发科、大立光、双鸿、晶技等供应链恐承压。根据披露财报，三星第三季度营业利润为10.85万亿韩元（约合人民币550亿元），同
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经历生产计划推迟的LG显示经过技术补充程序后，已经获得了苹果的最终批准，在上月底就已开始供应iPhone 14 Pro Max所需的LTPO OLED面板，由三星显示垄断的iPhone Pro系列面板供应有望重新变为多方供应。
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IT之家 11 月 9 日消息，根据最新的报告，三星电子在全球 DRAM 市场的份额已跌至八年来的最低点。据 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日发布的报告，第三季度全球 DRAM 市场销售额为 179.73 亿美元（当前约 1301.25 亿元人民币），较第二季度的 254.27 亿美元下降 29.3%。三星电子的 DRAM 销售额从第二季度的 111.21 亿美元下降到第三季度的 73.71 亿美元（当前约 533.66 亿元人民币
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作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
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据业内消息，近期三星电子宣布已经开始大规模量产236层3D NAND闪存芯片(第八代V-NAND闪存)。据悉，三星第八代V-NAND闪存芯片拥有高达2400MTps的传输速度，搭配高端主控使用可以让消费级SSD的传输速度达到直接越级的12GBps。三星电子表示，第八代V-NAND闪存会提供128GB+1TB的搭配方案，具体的细则比如芯片的大小和实际密度等数据并没有做详细介绍，但是三星电子表示其拥有业界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND闪存芯片相比于现阶段相同容量的闪存芯片可提高大约1/5的单晶生
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据外媒报道，三星Galaxy S23系列手机将于2023年2月的首周正式推出。虽然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手机。但在今年推出Galaxy S22系列手机时，却提前了几周发布。因此S23系列或许也会跟今年的S22系列一样，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系标配骁龙8 Gen 2据消息人士最新透露，与此前曝光的消息基本一致，三星将在其即将推出的Galaxy S23系列旗舰将全系标配高通骁龙8 Gen 2处理器。高通公司首席财务官的一份文件中，相关人士表示Galaxy S
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IT之家 11 月 7 日消息，据 BusinessKorea，随着全球对电动汽车用高性能半导体的需求的迅速增加，三星电子和 SK 海力士已逐渐将目光投向了汽车半导体领域。IT之家了解到，这两家公司虽然在世界存储器半导体市场上占据了第一和第二的位置，但在汽车半导体市场上并没有太大的影响力。Strategy Analytics 数据显示，以 2019 年的销售额为标准，韩国在全球汽车半导体市场的占有率仅为 2.3%。在油车领域，车用半导体价格普遍较低，因此收益性较低，而且油车更换周期也普遍更长，可
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IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
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加利福尼亚州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，在双方的长期合作中，三星晶圆厂（以下简称"三星"）已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片，从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极（GAA）技术被采用于对功耗、性能和面积（PPA）要求极高的应用中。此外，新思科技还获得了三星的"最先进工艺"认证。与三星SF5E工艺相比，采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功
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俄罗斯和乌克兰是氖、氩、氪、氙等半导体原料气体供应大国，其中氖气由乌克兰供应全球近七成产量，而俄罗斯惰性气体供应量占全球供应总量的30%。随着俄乌冲突爆发后，全球氖气、氙气等产量大减，全球芯片市场的供应短缺问题加剧。为降低对进口产品的依赖，韩国存储器大厂三星和SK海力士都表示将大幅增加韩国本土生产的气体。据韩国经济新闻报道，近日，三星表示，公司将与浦项钢铁（POSCO）一起推进半导体核心材料氙气的本土生产，目前该材料全部依赖进口。目前，大多数韩国芯片制造商和微电子设备制造商依赖进口气体，这些气体是生产3D
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据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ
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台积电10月27日宣布，成立开放创新平台（OIP）3D
Fabric联盟以推动3D半导体发展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯电子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、创意电子、IBIDEN、西门子、Silicon
Creations、矽品精密工业、Teradyne、Unimicron19个合作伙伴同意加入。据悉，3DFabric联盟成员能够及早取得台积电的3DFabric技术，使得他们能够与台积电同步开发及优化解决方案，也
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