三星之前制定计划在2030年成为全球最先进的半导体制造公司之一，3nm节点是他们的一个杀手锏，之前一直被良率不行等负面传闻困扰，日前三星公司终于亮出首个3nm晶圆，按计划将在今年Q2季度量产，比台积电还要早一些。 日前美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。 对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键，因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术，三
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三星 3nm
经查，三星官网确认，针脚速度20Gbps（K4ZAF325BC-SC20）和24Gbps（K4ZAF325BC-SC24）的GDDR6显存芯片已经出样。其它规格方面，单片容量达到16Gb（2GB）。当前，AMD的RDNA2显卡主要采用三星GDDR6显存，然而最高也不过RX 6900 XT水冷版的18.5Gbps，位宽仍是256bit。相较而言，由于NVIDIA和美光的GDDR6X“厮混”，最高摸到19.5Gbps/384bit，导致两者带宽差距明显。三星的产品更新显然让AMD RDNA3很有底气。当然，N
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前段时间网上曝光了Intel Arc(锐炫)品牌的Alchemist(DG2)移动显卡的PPT，根据PPT显示未来Intel在移动平台的独立显卡共被划分为5个SKU、4种显存配置。近日该系列显卡其中之一的显存芯片布局照片也被曝光，从照片上来看，其型号为DG2-512EU，共有6个三星K4ZAF325BM-HC16内存模块。从三星的产品目录来看，这款GDDR6内存模块的容量为2GB，速率为16Gbps，也就是说这款显卡的显存容量为12GB，显存位宽为192，并且有384GB/s的带宽。根据Intel的规划来
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曾经有传言称三星会制造自己的电动车，然而三星高管表态否决了这种可能。 据《韩国时报》报道，未透露姓名的三星高管称，三星不会生产自己的电动汽车品牌。主要原因是三星认为其在成品电动汽车领域不会有长期的利润。 他指出，三星只会做电动汽车行业领先的零部件供应商，同时也希望避免与这些客户发生任何冲突。 有消息人士表示，“从三星的角度来看，造车花费太高，并且可能无法保证有所回报。” 消息人士还称，三星在手机业务面临更加激烈的竞争以及利润下滑的压力，使得三星更加依赖于其零部件业务来带来利润。 据悉，三星目
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前不久，当前全球规模最大、制程工艺最先进、市场份额最高的晶圆代工商台积电，已经通知客户明年全面涨价，代工价格上调5%-9%，新价格在明年1月份开始实施；联电也将要在今年7月1日上调其28nm晶圆代工价格。而从外媒最新的报道来看，在制程工艺方面能跟上台积电节奏的全球第二大晶圆代工商三星电子，也在准备提高晶圆代工价格。在全球多领域芯片供应紧张，芯片代工原材料价格上涨的大背景下，三星电子的晶圆代工价格在2021年依旧相对稳定，并没有像其他代工商那样多次上调，不断推升代工价格。但随着新的影响因素不断出现，三星电子
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2022年5月10日 ，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比，新开发的CXL内存容量为其4倍，从而让服务器扩展至数十TB，而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本，以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
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三星 内存扩展器 CXL DRAM
据国外媒体报道，三星电子同2020年获得移动通信服务牌照的美国运营商DISH网络公司，达成了包括5G在内的电信设备供应协议。从外媒的报道来看，DISH目前是美国第四大无线通信服务提供商，三星电子与DISH达成的是一份多年的协议，不过三星方面并未公布合同的金额，但有产业链方面的人士预计，两家公司达成的协议，价值可能超过1万亿韩元（约合人民币52亿元）。根据两家公司达成的协议，三星电子将向DISH供应5G网络设备和其他的电信设备，支持DISH提供5G商用服务。根据协议，DISH是计划他们的5G宽带网络，在20
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据国外媒体报道，在7nm和5nm制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电节奏的三星电子，在更先进的3nm制程工艺上有望先于台积电量产，有报道称他们正推进在二季度量产。三星电子在二季度的展望中提到，他们的技术领先将通过首个大规模量产的全环绕栅极晶体管3nm工艺进一步加强，他们也将扩大供应，确保获得全球客户新的订单，包括美国和欧洲客户的订单。外媒的报道显示，三星电子方面已经宣布，他们早期3nm级栅极全能（3GAE）工艺将在二季度量产。三星电子宣布的这一消息，也就意味着业界首个3nm制程工艺即将量产，将是首个采用全
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三星 3nm 台积电
台积电在4月中的法说会曾透露，预计今年下半年量产3纳米，2纳米制程的量产时间则落在2025年，没想到三星上周公开表示，公司将在未来几周内量产3纳米。若此事成真，三星将抢先台积电量产3纳米，然而三星在制程利率的问题仍是外界关注焦点，先前有外媒披露，三星3纳米的良率最高仅2成，迫使部分IC 设计大厂选择转单至台积电。科技网站Tom's Hardware报导，三星上周发出一份公开声明，内容提到公司将透过世界上首次大规模生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位，有望在本季，即未来几周内开始量产。另一
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晶圆代工产业竞争激烈，近期三星屡被传出因先进制程良率低而丢掉大订单的消息，对此，三星驳斥此事，强调与客户关系紧密，同时三星也透露，剩余晶圆代工订单的价值上看200兆韩元（约新台币4.6兆），且产能已确保至2027年。Korea IT News报导，业界盛传三星大客户高通、辉达已经将晶圆代工的订单转移至劲敌台积电手上，对此，三星驳斥市场对其业务能见度不清的担忧，三星晶圆代工事业部副总裁Moon-soo Kang表示，「最近市场上有太多的纷扰，我们与主要客户建立稳定的合作关系，不仅与智慧手机的厂商合作，还与高
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许多精彩、珍贵的回忆及数据，仰赖储存装置为人们记录保存。全球先进内存技术领导品牌三星电子，以长年深耕的半导体经验及业界领先技术，推出众多优异产品。回应当今消费者对于耐用性及高效能储存装置的殷切期盼，台湾三星宣布引进强悍与行动性兼具的Samsung T7 Shield移动固态硬盘，及现行三星记忆卡阵容中使用寿命最长的PRO Endurance MicroSD记忆卡，满足消费者不同需求。Samsung T7 Shield移动固态硬盘及PRO Endurance MicroSD记忆卡，预计5月9日起于三星商城、
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三星的电池和能源部门三星SDI计划利用其目前用于制造电动汽车（EVs）的第五代电池生产技术来制造用于平板电脑和智能手机的电池。在相同体积下，使用堆叠电池技术的手机电池容量可以进一步提升，或者可以让手机在保持相同电池容量下，机身做的更为轻薄。三星EV电池技术利用堆叠方法取代智能手机电池现有圆柱卷绕式（Jelly Roll），提升电池密度电量，不占更多空间下，可提升超过10%电量。而且堆叠设计还可解决平卷电池由于无法紧密包装，导致电池充、放电时发生的自然膨胀使得电极弯曲的问题，同时还能填充电池内部的死区。动力
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据国外媒体报道，在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题，可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路线图之后，又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。另外，三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意，仅为30%-35%。三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺，并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商，与台积电继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构不
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市面上已经有多款采用骁龙8 Gen1处理器的手机，按照高通的说法，这颗芯片目前由三星4nm全权代工。 不过，关于骁龙8 Gen1 Plus的爆料同样层出不穷，其中最核心的一点变化在于，换用台积电4nm。 那么背后的原因到底是什么呢？ PA报道中提到了一点，三星4nm的工厂良率仅35%，台积电则高达70%，这意味着，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。 至于发热，最新的说法是，和代工厂无关，台积电版预计也好不到哪儿去，最本质的原因是AMR Cortex-X超大
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据报道，三星显示正在开发更薄的QD-OLED面板。消息人士称，新面板或将减少玻璃基板的使用量，从之前的两层减少到一层，从而让面板厚度大大减少。如果新面板研发成功，也可实现卷曲屏设计。三星显示在去年年底开始生产其第一款商用版QD-OLED面板，前文提到的两层玻璃基板主要用于薄膜晶体管和QD颜色转换层。而全新的面板将去除顶部的QD颜色转换层玻璃基板，从而节省材料成本并简化面板的生产过程。据消息人士称，业界普遍认为三星显示的QD-OLED面板生产过程要比LG Display的OLED面板生产过程更复杂，这可能也
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