SK海力士(SK hynix)追上记忆体龙头三星电子(Samsung Electronics)进度，9日宣布量产LPDDR 4，已经供货给LG电子(LG Electronics)的旗舰智慧机。
韩联社9日报导，SK海力士表示，该公司的8 gigabit LPDDR 4已经用于LG 1月底开卖的曲型智慧机LG G Flex 2。LPDDR 4采用20奈米制程，数据处理速度为前代LPDDR 3的两倍，能源效益也节省30%。
三星去年12月量产LPDDR 4，SK海力士只用两个月就赶上三星，代表
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三星 SK海力士
受惠于2014年DRAM市场好转，南韩两大半导体厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也创下了亮眼的成绩。两者相较，三星半导体部门虽然在营收、营利规模上赢过SK海力士，不过SK海力士营利率表现则是优于三星。
韩媒Money Today报导，三星半导体部门从2014年第3季开始，连2季取代了负责主力智能型手机事业的IM(Information technology & Mobile Communications)部门，拿下三星获利金鸡母头衔。S
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三星 SK海力士 DRAM
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷认为，在需求面不弱、新一代产品DDR4与LPDDR4比重增加价格提升下，2015年DRAM整体跌幅有限，从各DRAM厂的竞争态势来看，三星在各领域中制程转进进度最快，成本下降比其他竞争厂商明显，台系厂商部分，南亚科(2408-TW)转型为利基型记忆体公司，仍将有不错的获利空间。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，1月标准型记忆体价格大部分还在议定当中，目前看来月跌幅不超过6%
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DRAM 南亚科 SK海力士
韩国业界高层向韩国时报透露，今年新订单畅旺，芯片业者可望荷包满满，然而SK海力士制程发展较慢，若追上三星，今年下半或许会有新一波“懦夫博弈”(game of chicken)，意味业者可能会流血竞争，扩产抢市占。
相关人士说，三星电子添购设备，生产更多服务器和计算解决方案用的DRAM，并扩增第17线厂产能。据传三星接获大单，会增产企业服务器用的20纳米内存。业界高层说，不是所有内存商都能开心度过今年，三星和SK海力士的制程技术拉大至两年，可能会有新一轮的生存大战。
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三星电子自打嘴巴，先前口口声声说没必要扩产破坏市场，不料近来却一再传出扩产DRAM消息!继高盛之后，韩媒也爆料称市场可能会掀起新一波厮杀血战，报导称SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微缩制程不够先进，可能会遭受重创。
韩国时报(Korea Times)14日报导，南韩业界高层向该报透露，今年新订单畅旺，晶片业者可望荷包满满，然而SK海力士制程发展较慢，若追上三星，今年下半或许会有新一波「懦夫博弈」(game of chicken)，意味业者可能会流
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美国市场调查公司IHS于2014年12月22日发布调查报告称，预计2014年全球半导体销售额将比上年增长9.4%，达到3532亿美元，实现自2010年以来的最高增长率。IHS副总裁兼首席分析师Dale Ford称：“2014年的市场是最近几年里最为健全的。2013年的市场扩大(增长率6.4%)主要得益于存储器领域的增长，而2014年整体表现都很出色，在年末假日季，各个领域的供应商都能因此而受益。”
IHS将半导体市场分为28个小领域进行了调查。在2013年，这28个领域中
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据《华尔街日报》网络版报道，市场调研公司Gartner发布的初步数据显示，随着传统PC产能的回升，2014年全球芯片销售额同比增长7.9%。内存芯片制造商引领了这轮增长。
数据显示，去年全球芯片销售额增长至3398亿美元，前25大半导体公司占据了总销售额的72.1%，高于2013年的69.7%。
英特尔继续保持其第一大半导体公司的地位，2014年芯片营收预计在508.4亿美元，同比增长4.6%，在经历了两年的下滑后重新恢复增长。三星电子排在第二，预计营收在352.8亿美元，同比增长10%。
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英特尔 SK海力士 美光
韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持续扩大尖端DRAM和NAND Flash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。
据ET News报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NAND Flash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17产线将于201
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三星电子和世界顶级的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片，此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金。据美国一位对冲基金负责人表示，三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元的投资，改善产品结构，适应市场状况，调整市场的供求平衡。
据悉，一些对冲基金和市场投资机构都纷纷看好三星电子和SK海力士的未来发展。按照投资计划，三星电子计划投资3.5万亿韩元，SK海力士计划投资5.5万亿韩元。三星一位官员表示，三星的销量增长将在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。
慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
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全球存储器产业恐将再爆震撼弹，面对三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市场抢尽风头，东芝(Toshiba)为取得稳定的DRAM货源将大举反攻，业界传出其向南亚科提出10亿美元的策略联盟投资案，将再度开启台、日存储器结盟新里程碑，合作案是否会成局，2015年第1季底前可望确定。不过，南亚科未证实该项消息。
全球存储器产业甫经历大洗牌，全球三大DRAM厂版图底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均拥有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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随三星宣布20奈米制程正式产出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及华亚科(3474)也预定第2季导入20奈米量产，让今年DRAM产业主流技术，将正式推进至20奈米世代。
不过，20奈米需要投入庞大的资本支出，各DRAM考量必须在获利的基础上进行扩充，也让今年各家20奈米制程推进趋于缓慢。集邦科技出具今年DRAM产业趋势报告，预告今年DRAM产业持续维持寡占格局，支持DRAM持稳不坠，今年各家DRAM厂仍处于全面获利的一年。
集邦预估，今年DARM产值达541亿元，年增16%。
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东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。
据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。
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苹果(Apple)预计2015年推出的新一代iPhone和iPad，传出搭载的DRAM容量将较目前产品倍增，占苹果DRAM供应量7成以上比重的三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望扩大供货量。
据南韩经济日报报导，在Mobile DRAM市场上，三星和SK海力士的市占率约达75%。近来使用智能型手机的人口增加，穿戴式装置市场也逐渐扩大，让DRAM需求扶摇直上。
据南韩证券业者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事业获利各约6兆韩元(约5
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TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在 2014年第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体(Samsung)不意外仍稳居第三季行动式记忆体龙头，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式记忆体价格小幅度下滑，但因位元产出增加，全球行动式记忆体总产值仍向上提升
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