三星电子自打嘴巴，先前口口声声说没必要扩产破坏市场，不料近来却一再传出扩产DRAM消息!继高盛之后，韩媒也爆料称市场可能会掀起新一波厮杀血战，报导称SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微缩制程不够先进，可能会遭受重创。
韩国时报(Korea Times)14日报导，南韩业界高层向该报透露，今年新订单畅旺，晶片业者可望荷包满满，然而SK海力士制程发展较慢，若追上三星，今年下半或许会有新一波「懦夫博弈」(game of chicken)，意味业者可能会流
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三星 SK海力士 DRAM
美国市场调查公司IHS于2014年12月22日发布调查报告称，预计2014年全球半导体销售额将比上年增长9.4%，达到3532亿美元，实现自2010年以来的最高增长率。IHS副总裁兼首席分析师Dale Ford称：“2014年的市场是最近几年里最为健全的。2013年的市场扩大(增长率6.4%)主要得益于存储器领域的增长，而2014年整体表现都很出色，在年末假日季，各个领域的供应商都能因此而受益。”
IHS将半导体市场分为28个小领域进行了调查。在2013年，这28个领域中
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据《华尔街日报》网络版报道，市场调研公司Gartner发布的初步数据显示，随着传统PC产能的回升，2014年全球芯片销售额同比增长7.9%。内存芯片制造商引领了这轮增长。
数据显示，去年全球芯片销售额增长至3398亿美元，前25大半导体公司占据了总销售额的72.1%，高于2013年的69.7%。
英特尔继续保持其第一大半导体公司的地位，2014年芯片营收预计在508.4亿美元，同比增长4.6%，在经历了两年的下滑后重新恢复增长。三星电子排在第二，预计营收在352.8亿美元，同比增长10%。
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韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持续扩大尖端DRAM和NAND Flash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。
据ET News报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NAND Flash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17产线将于201
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三星电子和世界顶级的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片，此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金。据美国一位对冲基金负责人表示，三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元的投资，改善产品结构，适应市场状况，调整市场的供求平衡。
据悉，一些对冲基金和市场投资机构都纷纷看好三星电子和SK海力士的未来发展。按照投资计划，三星电子计划投资3.5万亿韩元，SK海力士计划投资5.5万亿韩元。三星一位官员表示，三星的销量增长将在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。
慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
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全球存储器产业恐将再爆震撼弹，面对三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市场抢尽风头，东芝(Toshiba)为取得稳定的DRAM货源将大举反攻，业界传出其向南亚科提出10亿美元的策略联盟投资案，将再度开启台、日存储器结盟新里程碑，合作案是否会成局，2015年第1季底前可望确定。不过，南亚科未证实该项消息。
全球存储器产业甫经历大洗牌，全球三大DRAM厂版图底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均拥有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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随三星宣布20奈米制程正式产出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及华亚科(3474)也预定第2季导入20奈米量产，让今年DRAM产业主流技术，将正式推进至20奈米世代。
不过，20奈米需要投入庞大的资本支出，各DRAM考量必须在获利的基础上进行扩充，也让今年各家20奈米制程推进趋于缓慢。集邦科技出具今年DRAM产业趋势报告，预告今年DRAM产业持续维持寡占格局，支持DRAM持稳不坠，今年各家DRAM厂仍处于全面获利的一年。
集邦预估，今年DARM产值达541亿元，年增16%。
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东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。
据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。
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苹果(Apple)预计2015年推出的新一代iPhone和iPad，传出搭载的DRAM容量将较目前产品倍增，占苹果DRAM供应量7成以上比重的三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望扩大供货量。
据南韩经济日报报导，在Mobile DRAM市场上，三星和SK海力士的市占率约达75%。近来使用智能型手机的人口增加，穿戴式装置市场也逐渐扩大，让DRAM需求扶摇直上。
据南韩证券业者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事业获利各约6兆韩元(约5
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TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在 2014年第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体(Samsung)不意外仍稳居第三季行动式记忆体龙头，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式记忆体价格小幅度下滑，但因位元产出增加，全球行动式记忆体总产值仍向上提升
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三星、SK海力士及美光三大DRAM厂明年制程进入20纳米世代，尽管市场忧心恐造成供给大增、压抑价格走势，但DRAM业者强调，制程微缩并非一、两天可以完成，期间将遭遇技术瓶颈与整量产能缩减等问题，因此尽管资本支出庞大，明年DRAM价格仍可望持稳，业者仍会稳定获利。
集邦协理吴雅婷表示，三星及SK海力士在制程推进至25纳米期间，都吃足苦头，预料美光借重华亚科从30纳米制程直接切入20纳米制程，同样也将面临极大的挑战。三星首次进入28纳米制程时，因良率无法有效提升，黯然宣告中止，部分产能转回35纳米，
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随着DRAM三大阵营的确立，今年DRAM各大阵营的获利与营收，都可说是连连报捷，这也使得在先进制程的投入也更加积极。但是否又会再次面临价格下跌的压力?答案似乎是有可能的。
根据TrendForce表示，今年以来DRAM市场一直呈现供货吃紧、价格持续走扬的市况来规划未来需求，DRAM厂纷纷决定自2014年第四季开始增加产能。按照DRAM厂现有的规划，2015年制程微缩与新增产能贡献产出年增率将逼近30%，现有的DRAM产业的寡占架构将面临重大挑战，若明年总体经济状况不如预期，此举恐怕导致DRA
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三星电子和SK海力士在今年第2季共占有全球DRAM市场份额68%，遥遥领先美国企业占有的25.7%，和台湾业者的6.3%。
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2014年上半SK海力士(SKHynix)业绩告捷，在次世代存储器技术竞争中也占据优势，未来可望带动版图变化。
SK海力士的次世代存储器获全球系统芯片业者搭载在2016年以后上市产品，并进行性能测试，未来将有机会超越三星电子(SamsungElectronics)和美国美光(Micron)等竞争对手，在市场竞争中也将居优势。
据韩国每日经济报导，SK海力士的次世代超高速存储器(HBM)将优先供应给AMD、NVIDIA等全球性系统芯片业者，搭载于次世代产品中进行测试。
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