- 据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
- 传闻2017年SK海力士(SK Hynix)将在利川12吋晶圆厂(M10)量产1,300万画素CMOS影像感测器(CIS)，并减少清州8吋晶圆厂(M8) 的低画素CIS产量，M8厂空出的产能将进行代工生产显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等系统半导体，全力发展非存储器半导体事业。
据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段;SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon F
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- 韩国第二大存储器厂SK 海力士周二公布第三季获利尽管大减近五成，但仍优于市场预期，激励股价盘中走扬。
海力士7-9月营业利润赚进7,259亿韩圈(6.41亿美元)，虽然较去年同期降低47.5%，但高于路透社调查预估的6,720亿韩圈。如与前季相比，营业利润跳增60.3%，较能反映存储器近期价格回涨。 当季营收来到4.2兆韩圈，较去年同期衰退13.8%。受财报利多消息激励，海力士早盘于韩股盘中劲扬3.11%、暂报41,400韩圈，今年迄今累计涨幅达34.8%。
海力士在声明稿上表示，电脑存储
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SK海力士 存储器
- SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作，将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件，期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度，加速人工智能(AI)时代来临。
据韩国经济报导，日前SK海力士与美国史丹佛大学签约，将合作研发利用铁电材料(Ferroelectrics)的人工神经网路半导体元件(Artificial Neural Network Devices)。这项研究计划的参与单位还包括半导体设备业者科林研发(
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SK海力士 半导体
- 据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 (SK Hynix )已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。
巴伦(Barronˋs)14日报导，DRAM价格上涨，带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估，第三季DRAM价格将季增9%，第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估计，SK海力士股价可望续涨20%。
大摩报告称，时序迈向Q4，DRAM和NAND价格表现都优于预期，也胜过SK海力士的预估。DRAM投
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SK海力士 存储器
- 据海外媒体报道，SK海力士(SK Hynix)计划在韩国利川12吋晶圆厂M10上投产CMOS影像传感器(CIS)一事备受外界关注。分析指出，SK海力士将能强化自家CIS事业竞争力，并有望在目前正在更迭的市场版图上取得甜头。
韩媒ETNews报导指出，SK海力士此举代表着，想要正式挑战非存储器市场的企图心。过去这段期间，SK海力士不断苦恼着，在利川12吋新厂M14启动后，该如何使用M10厂。因为如果将M10 DRAM生产量移转至M14，M10里的产线将会闲置。虽然SK海力士曾经表示过，M10之后可
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SK海力士 CIS
- 南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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- 全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示， 2014年第二季全球 DRAM 产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三
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第二季 全球 三星 SK海力士
- 东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决
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SK海力士 东芝
- 韩国NAND Flash大厂SK海力士(SK Hynix)积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部
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SK海力士 银灿eMMC部门
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单 价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给增长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿 美元，季增长6.3%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相 关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此DRAM三大厂也同步调整产品类别，持续向行动式内存
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- DRAM三足鼎立的格局持续至今，然而随着中国军团的加入一定程度上搅乱了这一潭太久没有新鲜血液注入的浑水，DRAM市场三足鼎立的局面究竟是否还能继续维持？未来的DRAM市场是一家独大、三足鼎立还是百家争鸣？或许关键就在于国产DRAM的表现。
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三星 SK海力士
- Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，受到需求放缓、汇率剧烈变动影响，总产值呈现下滑，然半导体老大哥英特尔，即便在接下来先进制程竞逐，可能落后台积电与三星，2015 年仍稳坐半导体龙头宝座，而两大韩厂三星与 SK 海力士在该年度则分居二、三名。
Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，需求减缓加上汇率较剧烈的变动，使得半导体整体营收下滑，全年总产值 3,348 亿美元，较去年同期衰退 2.3%，前 25 大厂商占整体半导体厂营收比重来到 73.5%，较 2014
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- 继三星电子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量产64GB UFS 2.0芯片，尽管东芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS领域有具体成果，然随着全球NAND Flash市场龙头及第四大厂纷开始量产UFS芯片，可望加速智慧型手机存储器规格升级，业界预估2016年下半便可看到搭载UFS芯片的高阶手机陆续上市。
根据韩国电子新闻(ET
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- 随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数
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