- 据日本经济新闻报道，围绕东芝半导体计划出售的存储器业务，美国投资基金科尔伯格·克拉维斯(Kohlberg Kravis Roberts)和日本官民合资基金产业革新机构将携手参与招标手续。由于《反垄断法》等的制约较少且拥有丰富的资金实力，围绕东芝潜力业务的招投标预计以这两家公司为核心推进。现有投标企业也在摸索合作，日美基金联盟的凝聚力正在提高。二次招标预计进行到5月中旬，各公司的意图仍处在相互交错的状态。
“日美同盟”浮出水面
作为世界最大规模并购基金的
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东芝 SK海力士
- 封测厂当心!韩国存储器大厂三星电子和SK海力士，研发业界首见的涂布式(Spray)的“电磁波屏蔽”(EMIshielding)技术，打算自行吃下此一封装程序，省下外包费用。
韩媒Investor和etnews5日报导，去年苹果iPhone7芯片开始采用电磁波屏蔽技术，当时韩厂选择把此一封装程序外包。如今消息人士透露，三星电子和SK海力士都研发出涂布式技术，比传统方法更有投资效益、成本也有优势，两厂正在试产，预计6月起与产线整合。
不具名的内情人士说，韩厂克服困难，研
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SK海力士 EMI屏蔽
- 大陆存储器正在迅猛发展，去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引起全球关注，韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。有消息指出，为避免再度上演类似过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK海力士近期特意与专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研究学习大陆商业法、专利法等相关法律。
据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息称，SK海力士的大陆专利分析小组将采取无固定编制、相关成员可自由参与研究学习大陆专利法等相关法律的模式。因大陆半导体技术暂时还
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SK海力士 DRAM
- 大陆存储器正在迅猛发展，去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引起全球关注，韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。有消息指出，为避免再度上演类似过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK海力士近期特意与专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研究学习大陆商业法、专利法等相关法律。
据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息称，SK海力士的大陆专利分析小组将采取无固定编制、相关成员可自由参与研究学习大陆专利法等相关法律的模式。因大陆半导体技术暂时还
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SK海力士 DRAM
- 很多人在朋友圈微信里转发各种各样的帖子，号召中国人不进“韩国超市”，不用“韩国产品”。可是当我们冷静下来思考，限制韩国产品，对我们的行业影响究竟有多大，我们真能“男儿当自强”吗?我们应该清醒地看到，中国虽然是后起之秀，但技术水平与世界先进水平差距还很大。
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SK海力士 半导体
- SK海力士(SKHynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化，但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划，是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效，外界出现不同评价。
据韩媒MoneyToday报导，东芝为了弥补核能事业亏损，日前已决定全数出售半导体事业部股份。业界推算，依照100%股份市价再加20～30%的经营权移转贴水，总规模应在24兆～26兆韩元之间，可望打破韩国购并史上的最高纪录。
市调机构IHS的资料显示，2016年SK海力士在全球DRAM
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SK海力士 东芝
- 据报道，东芝计划分拆半导体业务，已引起包括南韩SK海力士及鸿海集团、威腾多组人马抢亲，东芝的储存型闪存事业这么抢手，是因为他是该公司最赚钱的部门，占总营收仅15%，却贡献一半以上的获利，成为大家相中的目标。
但市场人士分析，不过因为东芝只开放入股近二成，不是直接买断，预料将以威腾出线的机会较高。
由于东芝的储存型闪存(NAND Flash)加计合作伙伴威腾合计35%，仅次三星的36%，三星若参与，恐因市占过半涉及市场垄断，因而参与机率不高。
日本东芝考虑分拆和出售旗下部分芯片事业的计
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东芝 SK海力士
- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 据海外媒体报道，由三星电子及SK海力士领导的韩国半导体产业可望首次挑战营业利益破256亿美元(约30兆韩元)大关纪录。
韩国半导体业可望在营业利益创下新纪录，主要受惠于存储器价格快速上扬，以及在晶圆代工领域也可能持续增长。因此，预估2017年几乎是不费吹灰之力，便可轻易超越了2015年半导体营业利益的153亿美元(约18兆韩元)，尽管当年半导体产业正处于繁荣成长阶段。
据券商及半导体业预估，三星光是在2017年的半导体业务营业利益，就可达179亿~188亿美元(约21兆~22兆韩元)左右。
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三星 SK海力士
- 众所周知，美光在韩国双雄三星和SK海力士的攻击下，DRAM和Flash业务发展都不如预期，于是从早几年开始，这个美国存储的仅存硕果之一就和Intel一起开发3D Xpoint技术。这种新型的存储技术将会在未来给Intel和美光带来新的成长激励。 尤其是对美光来说，在现状和未来的表现都不够好的环境下，这似乎是美光的最后救命稻草。
回顾存储的发展历程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者：
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三星 SK海力士
- SK集团(SK Group)日前发布定期人事异动公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事调整意味SK集团将以SK海力士为中心，加速发展汽车事业。据报导，SK集团似乎有意将SK海力士调整为直属于集团的子公司，内部正准备将SK电信(SK Telecom;SKT)转换为中间持股公司进行结构调整。加上SK集团会长崔泰源先前已宣示过公司应尽快求新求变，跟上工业4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士 半导体
- SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产，韩联社周一引述知情人事消息报导指出，SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行，SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温，SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破，但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于
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SK海力士 存储器
- 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨
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DRAM SK海力士
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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- 传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产，这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后，第二家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发，同时着手开发1y奈米，并组成1z奈米研发团队，持续追求更高的技术竞争力。
据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行最后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量
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