- 据报道，东芝计划分拆半导体业务，已引起包括南韩SK海力士及鸿海集团、威腾多组人马抢亲，东芝的储存型闪存事业这么抢手，是因为他是该公司最赚钱的部门，占总营收仅15%，却贡献一半以上的获利，成为大家相中的目标。
但市场人士分析，不过因为东芝只开放入股近二成，不是直接买断，预料将以威腾出线的机会较高。
由于东芝的储存型闪存(NAND Flash)加计合作伙伴威腾合计35%，仅次三星的36%，三星若参与，恐因市占过半涉及市场垄断，因而参与机率不高。
日本东芝考虑分拆和出售旗下部分芯片事业的计
- 关键字：
东芝 SK海力士
- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
- 关键字：
SK海力士 NAND
- 据海外媒体报道，由三星电子及SK海力士领导的韩国半导体产业可望首次挑战营业利益破256亿美元(约30兆韩元)大关纪录。
韩国半导体业可望在营业利益创下新纪录，主要受惠于存储器价格快速上扬，以及在晶圆代工领域也可能持续增长。因此，预估2017年几乎是不费吹灰之力，便可轻易超越了2015年半导体营业利益的153亿美元(约18兆韩元)，尽管当年半导体产业正处于繁荣成长阶段。
据券商及半导体业预估，三星光是在2017年的半导体业务营业利益，就可达179亿~188亿美元(约21兆~22兆韩元)左右。
- 关键字：
三星 SK海力士
- 众所周知，美光在韩国双雄三星和SK海力士的攻击下，DRAM和Flash业务发展都不如预期，于是从早几年开始，这个美国存储的仅存硕果之一就和Intel一起开发3D Xpoint技术。这种新型的存储技术将会在未来给Intel和美光带来新的成长激励。 尤其是对美光来说，在现状和未来的表现都不够好的环境下，这似乎是美光的最后救命稻草。
回顾存储的发展历程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者：
- 关键字：
三星 SK海力士
- SK集团(SK Group)日前发布定期人事异动公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事调整意味SK集团将以SK海力士为中心，加速发展汽车事业。据报导，SK集团似乎有意将SK海力士调整为直属于集团的子公司，内部正准备将SK电信(SK Telecom;SKT)转换为中间持股公司进行结构调整。加上SK集团会长崔泰源先前已宣示过公司应尽快求新求变，跟上工业4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
- 关键字：
SK海力士 半导体
- SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产，韩联社周一引述知情人事消息报导指出，SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行，SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温，SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破，但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于
- 关键字：
SK海力士 存储器
- 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨
- 关键字：
DRAM SK海力士
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
- 关键字：
NAND Flash SK海力士
- 传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产，这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后，第二家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发，同时着手开发1y奈米，并组成1z奈米研发团队，持续追求更高的技术竞争力。
据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行最后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量
- 关键字：
SK海力士 DRAM
- 继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM，在 1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发 1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报
- 关键字：
SK海力士 DRAM
- 继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM，在 1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发 1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报
- 关键字：
SK海力士 DRAM
- 随着2017年固态硬碟(SSD)占NAND Flash应用比重将挑战40%，全球储存领域异业整合风潮将迈向另一个高峰，继硬碟龙头厂西部数据(Western Digital;WD)购并NAND Flash存储器大厂闪迪(SanDisk)，近期传出SK海力士(SK Hynix)将与希捷(Seagate)策略联盟成立合资公司，专攻企业云端SSD市场，成为握有HDD和SSD两大储存产品的新阵营，挑战既有霸主三星电子(Samsung Electronics)及英特尔(Intel)，未来云端SSD可望是NAND
- 关键字：
SK海力士 希捷
- 硬盘大厂争相与Flash厂商结盟，全球存储器产业链供货、版图又将迎来什么样的变化?
- 关键字：
希捷 SK海力士
- 据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。
- 关键字：
SK海力士 NAND
- 据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
- 关键字：
SK海力士 DRAM
sk海力士介绍
您好，目前还没有人创建词条sk海力士!
欢迎您创建该词条，阐述对sk海力士的理解，并与今后在此搜索sk海力士的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
