韩国NAND Flash大厂SK海力士(SK Hynix)积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部
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SK海力士 银灿eMMC部门
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单 价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给增长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿 美元，季增长6.3%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相 关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此DRAM三大厂也同步调整产品类别，持续向行动式内存
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SK海力士 DRAM
DRAM三足鼎立的格局持续至今，然而随着中国军团的加入一定程度上搅乱了这一潭太久没有新鲜血液注入的浑水，DRAM市场三足鼎立的局面究竟是否还能继续维持？未来的DRAM市场是一家独大、三足鼎立还是百家争鸣？或许关键就在于国产DRAM的表现。
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三星 SK海力士
Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，受到需求放缓、汇率剧烈变动影响，总产值呈现下滑，然半导体老大哥英特尔，即便在接下来先进制程竞逐，可能落后台积电与三星，2015 年仍稳坐半导体龙头宝座，而两大韩厂三星与 SK 海力士在该年度则分居二、三名。
Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，需求减缓加上汇率较剧烈的变动，使得半导体整体营收下滑，全年总产值 3,348 亿美元，较去年同期衰退 2.3%，前 25 大厂商占整体半导体厂营收比重来到 73.5%，较 2014
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三星 SK海力士
继三星电子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量产64GB UFS 2.0芯片，尽管东芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS领域有具体成果，然随着全球NAND Flash市场龙头及第四大厂纷开始量产UFS芯片，可望加速智慧型手机存储器规格升级，业界预估2016年下半便可看到搭载UFS芯片的高阶手机陆续上市。
根据韩国电子新闻(ET
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三星 SK海力士
随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数
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SK海力士 HBM2
随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数
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SK海力士 HBM2
日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元(125亿美元)，再盖一座新存储器工厂。
新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录(MOU)，新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。
新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。
此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3
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SK海力士 存储器
2016年展望并不乐观，PC市场成长已停滞好几年，连智能型手机市场也出现成长趋缓的迹象，DRAM、NAND Flash的价格也因此持续下跌，这个时候逆势上扬也是下了多大的决心。
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SK海力士
大陆紫光集团入股南韩SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集团已专注与美光(Micron)洽商入股，预料很快可明朗化，让同属美光集团的华亚科战略地位大大提升。
消息人士透露，紫光集团将以不坚持在大陆设DRAM厂为条件，争取入股美光。紫光董事长赵伟国证实，紫光正和美一芯片厂洽商合作，虽然紫光不愿透露对象，但市场推估应该就是美光。
据了解，美光若获紫光入股，紫光未来将借重美光提供庞大的DRAM货源，美光获财力雄厚的紫光集团提供金援，将可快速推进DRAM制程脚步，让美光从
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紫光 SK海力士
韩国半导体产业营收在三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)两大厂之外，正逐渐减少。三星和SK海力士各居存储器市场第一、二名，营收每年大幅成长，韩国半导体产业出现基础强化的错觉。然事实上除两大厂外，韩国半导体产业规模正逐渐缩减。
Digital Times引用市调机构IHS资料指出，2015年上半韩国半导体营收中，三星以199.63亿美元占66.9%，SK海力士以85.56亿美元占28.7%。两企业营收比重合计达95.6%，以最近期第2季资料来看，比重更
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三星 SK海力士
韩国政府2016年未编列半导体预算，使韩国半导体业界不满声浪高涨。在韩国引以为傲的存储器市场上，大陆和美国迅速追击，韩国半导体业者危机感提升，而列为未来成长动能的IC设计，也未受到韩国政府重视。
据Digital Times报导，韩国政府对半导体、显示器等核心产业，以及电子情报装置新事业等，均未编列预算。自2016年起，将不会有由韩国政府主导的新半导体相关研发。
目前正在进行的系统芯片扶植相关研发事业也陷入危机。韩国产业通商资源部关系人员指出，产业委员会对于预算方面提出质疑，并主张增资30
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市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange观察指出，受到市况供过于求影响，DRAM平均销售单价持续下降，然而各家厂商策略性地将跌幅最大的标准型存储器产能转往毛利较高、价格较稳定的服务器存储器及移动存储器领域，配合位元颗粒仍持续成长，整体DRAM营收规模尚未出现大幅的缩减。
DRAMeXchange最新报告显示，第三季DRAM总产值小幅衰退1.2%，移动存储器占总营收比重从第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第
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现在是2016年半导体设备投资应稍有雏形的时间点，但韩系半导体大厂经营计划不明朗，变动性大，半导体设备业者难以拟定事业计划。
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SK海力士终于赶上三星电子，成为全球第二家成功量产20奈米DRAM的厂商。该公司也力拼3D NAND Flash研发，期盼能在明年量产48层3D NAND。
BusinessKorea 15日报导，SK海力士人员受访表示，该公司引入20奈米DRAM制程，过程虽有困难，但已经稳定，开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言，SK海力士是世界第二家量产20奈米DRAM的业者。三星首开先例，去年3月就量产20奈米DRAM。
SK海力士也宣布3D NAND研发计画，社长朴星昱(Park Sung-wo
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