- 过去的一年半以来，主要NAND快闪记忆体制造商已经开始销售1x奈米等级的平面快闪记忆体;根据我们调查开放市场上所销售元件的供应来源，美光(Micron)是从2014年2月开始供应1x奈米元件的第一家记忆体厂商，随后是在同年10月推出产品的SK海力士(Hynix)。在近六个月之后，TechInsights实验室才出现三星(Samsung) 16奈米与东芝(Toshiba) 15奈米产品。
针对平面NAND快闪记忆体的微影尺寸终点，在文献中已经有很多讨论;其替代方案是垂直堆叠式的快闪记忆体，例如三星
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NAND SK海力士
- 南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )又传公安意外，造成三人丧命!SK海力士施工中的新厂氮气外泄，有三名工人窒息死亡，上个月该厂才有13名工人因气体外泄送医。
etnews、 韩国先驱报(The Korea Herald)、路透社报导，SK海力士的M14仁川工厂十楼，30日发生氮气外泄事故。该公司称，工人正在测试刚安装好的湿式空气清净系统，可能因此窒息死亡。氮气没有毒性，但是密闭空间中氮气外泄，会导致含氧量会迅速减少，危险性极高。
M14仁川厂三月份才发生过类似意外，当时有13
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SK海力士 M14
- 中国扶植自有DRAM供应链计划浮上台面，业界透露中国将分三个阶段着手，包括扶植大型集团建立自有技术、高关税逼迫国际大厂合作、强制品牌系统厂采用， 由于上一轮全球DRAM市场崩盘是在2008年发生，业界直指十年一劫的DRAM淘汰赛恐将在2017年再度引爆，对于既有DRAM业者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小冲击。
半导体业者表示，中国建立DRAM产业最难解问题，似乎是如何取得被三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大厂所把持的DRAM技术，然事实上，中
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SK海力士 DRAM
- 南韩业者来势汹汹，在半导体产业实力日益壮大!外传三星电子(Samsung Electronics)靠着先进制程抢走台积电 (2330)不少大单，如今IHS Technology数据又显示，南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology)，晋身全球第四大晶片制造商。
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SK海力士 美光
- SK海力士(SK Hynix)中断生产30纳米级DRAM，全面进入20纳米级生产时代。据了解，SK海力士在4年前才首度采用38纳米制程生产DRAM，不过到2015年第1季，生产效率比30纳米级制程更高的25纳米DRAM制程比例，已高达全体生产的82%。
韩媒Digital Times报导，日前业界消息传出，SK海力士的38纳米制程到2014年第4季为止，约占全体DRAM生产比例的8%，但从2015年第1季开始已全面转进20纳米级制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30纳米级
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)抢进20奈米级制程进展迅速!韩媒报导，SK海力士引进38奈米制程，已在四年后停止30奈米级生产，全数转为20奈米级制程。
韩媒BusinessKorea 13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计今年下半改为2z DRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。
相较之下，30奈米制程仍占美光
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SK海力士 20nm
- SK海力士(SK Hynix)抢进20奈米级制程进展迅速!韩媒报导，SK海力士引进38奈米制程，已在四年后停止30奈米级生产，全数转为20奈米级制程。
韩媒BusinessKorea 13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计今年下半改为2z DRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。
相较之下，30奈米制程仍占美光
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三星 SK海力士
- 韩系半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将扩大非存储器领域的晶圆代工事业。三星电子(Samsung Electronics)采14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程推动晶圆代工事业发展，SK海力士将把焦点放在8吋90纳米制程，以架构少量生产多元系统芯片的生产系统。
据ET News报导，为扩大专门提供晶圆代工服务的清州M8厂可生产的芯片种类，SK海力士着手重新调整产线。
M8厂主要生产CMOS影像传感器(CIS)、电源管理芯片(PMIC)、显示器驱动芯片(DDI)等。过去也曾生产N
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物联网 SK海力士
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便进入营业利益5兆韩元具乐部(约45.3亿美元)，成为SK集团(SK Group)的当红炸子鸡。目前正着手系统芯片研发，同时积极购并企业以掌握必要的技术力。中长期目标便是成为综合半导体企业。
根据韩媒AsiaToday的报导，SK海力士的业绩已经超越SK集团的传统主力企业SK Innovation与SK电信(SKT)，将2家公司2014年的营业利益合并计算后，得到的数值只有SK海力士营业利益的4分之1。
SK海力士在成立第1年虽然有超过2,000亿韩元
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SK海力士 存储器
- 面对竞争激烈的半导体市场，SK海力士(SK Hynix)为了维持存储器事业持续成长，2015年将面临三大课题：成功量产22纳米DRAM、建构利川M14新厂的量产系统，以及强化三阶储存单元(Triple-Level Cell;TLC)与3D V-NAND竞争力。
根据韩媒E-Daily报导，SK海力士社长朴星昱日前在京畿道利川总部举行的定期股东大会上表示，2015年下半初期将开始量产22纳米DRAM，意即最快在7月SK海力士就会开始量产22纳米DRAM。
SK海力士近2年业绩屡创新高，主力产
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SK海力士 20纳米
- 三星集团(Samsung Group)和SK集团(SK Group)正迅速拓展半导体事业领域。移动装置和炼油等主力事业成长停滞不前，半导体事业俨然成为集团金鸡母。
据Digital Times报导，SK海力士(SK Hynix)独家对乐金电子(LG Electronics)供应固态硬碟(SSD)，搭载在2015年1月上市的超轻量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后较前一代产品销售量提升约30%，SK海力士的SSD获乐金热门机种搭载，对SK海力士相对表现较不出色的NAND F
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三星 SK海力士
- SK 海力士 20日举行股东会，社长朴星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米级DRAM最快可能在今年7月迈入量产，将可在高阶产品赶上三星与美光等竞争者。
海力士目前最先进的制程为25与29奈米，而三星已在去年第四季抢先迈入20奈米制程领域，且预估今年下半年，半数PC用记忆体都会以20奈米制程打造。
据科技网站kitguru.net报导，20奈米制程在300mm 晶圆上塞进的晶粒数量较25奈米多三成，可降低每单位IC生产成本，并提高利润空间。随着8GB DDR4记忆体时代来临，
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)决定采取选择与集中策略，聚焦于20纳米(nm)微细制程DRAM、三阶储存单元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技术，以及固态硬盘(SSD)等优势领域。较弱势的系统芯片方面，将集中发展CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor;CIS)。
据ET News报导，日前SK海力士社长朴星昱在创下史上最高业绩纪录之际，反而在组织内部强调危机意识，透过员工电子邮件与公司内部电视等管道，不断提醒现在不是放心的时刻，应透过强化根本竞争
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)决定采取选择与集中策略，聚焦于20纳米(nm)微细制程DRAM、三阶储存单元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技术，以及固态硬碟(SSD)等优势领域。较弱势的系统芯片方面，将集中发展CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor;CIS)。
据ET News报导，日前SK海力士社长朴星昱在创下史上最高业绩纪录之际，反而在组织内部强调危机意识，透过员工电子邮件与公司内部电视等管道，不断提醒现在不是放心的时刻，应透过强化根本竞争
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SK海力士 CMOS
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