- TSMC 将在欧洲建立其第一个设计中心，并正在寻求汽车应用内存技术的重大飞跃。欧盟设计中心 （EUDC） 将设在慕尼黑，预计将专注于汽车，但也将支持工业应用、人工智能 （AI）、电信和物联网 （IoT） 的芯片设计。考虑到这一点，台积电已对其 28nm 电阻式 RRAM 存储器进行了汽车应用认证，预计 12nm 版本将满足同样严格的汽车质量要求，并计划推出 6nm 版本。它还计划推出 5nm MRAM 磁性存储器。与 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工艺技术上闪存的关键替代品。台积电的 22
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台积电 5纳米 MRAM
- 在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等方面更进一步。现代应用需要更先进的功能1.更高的耐用性和可靠性：高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用
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闪存 MRAM FPGA 莱迪思
- 不只是 imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好 MRAM。
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MRAM
- 大阪大学的研究人员介绍了一项创新技术，可以降低现代存储设备的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
- Source:Getty/kaptnal专注于磁阻随机存取存储器（MRAM）解决方案的美国企业Everspin Technologies日前宣布将与Lucid Motors合作，在Lucid即将推出的Gravity电动运动型多用途车中使用其PERSYST MRAM产品。Everspin旗下PERSYST产品线中的一款256Kb串行MRAM产品——MR25H256A，将被集成至Lucid的Gravity SUV车型中。Lucid之所以选择Everspin的MR25H256A MRAM型号，是因为它能够在较宽
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Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV车型
- 1956 年，IBM 推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如相
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磁变存储器 MRAM
- 最新一代人工智能或将开启新一轮科技革命，全面提升各种人机交互体验。人工智能日益融入人们的日常生活，在方方面面带来深刻变化。基于人工智能的文本和图像生成工具可以创建出令人难以置信的内容。不仅如此，人工智能的触角已从视觉和文字媒介，伸向语音转文字（STT）和自然语言处理（NLP）等音频应用，展现出巨大潜力。然而，音频应用质量大幅提高是否仅仅归功于最新一代基于大语言模型的生成式人工智能？还是说硬件依然功不可没？就拿高信噪比（SNR）微机电系统（MEMS）麦克风来说，它为实现这种必将改变人们日常生活的新质人机交互
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NLP STT SNR MEMS 麦克风
- 台积电利用其自身先进的制程优势，正在积极推动新型存储产业的发展。
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MRAM
- M 是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于 DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利第一，2002 年三星宣布研发 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对 MRAM 的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的 MRAM 研发逐渐走向低调。20
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MRAM
- 多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
- 据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
- 近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。新一代嵌入式内存具有小体积、大容量、高效能等特性，可以满足庞大运算需求，
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工业储存 MRAM
- 在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
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