ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机,业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究,寻找合适的解决方案,计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道,Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元,甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元,High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元,是EUV光刻机的两倍多
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台积电2纳米先进制程产能将于2025年量产,设备厂正如火如荼交机,尤以先进制程所用之EUV(极紫外光曝光机)至为关键,今明两年共将交付超过60台EUV,总投资金额上看超过4,000亿元。在产能持续扩充之下,ASML2025年交付数量成长将超过3成,台厂供应链沾光,其中家登积极与ASML携手投入次世代High-NA EUV研发,另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。 设备业者透露,EUV机台供应吃紧,交期长达16至20个月,因此2024年订单大部分会于后年开始交付;据法人估计,今年台积电EUV订
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最新 EUV 设备的销售情况对 ASML 的市值产生了明显影响。
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日前,日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线,开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品(保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品)。据悉,此种CNT薄膜可以实现92%以上的高EUV透射率和超过1kW曝光输出功率的光阻能力。三井化学预期年产能力为5000张,生产线预计于2025年12月完工,可为ASML将推出的下一代高数值孔径、高输出EUV光刻机提供支持。
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光刻机 纳米管薄膜 ASML
6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm,再往后就得加入多重曝光,预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
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IT之家 6 月 12 日消息,光刻机巨头 ASML 公司 6 月 11 日在社交媒体发文,悼念 ASML 创始人之一维姆・特鲁斯特(Wim Troost)离世。另据《埃因霍温日报》,Wim 于上周五(6 月 8 日)上午逝世,享年 98 岁。ASML 称,“Wim Troost 去世了。Wim 是我们的创始元老之一,也是 1987 年至 1990 年期间的 CEO,那时 ASML 正努力争取其第一个客户。退休后,Wim 一直是 ASML 和高科技产业的真正大使。他激励了一代又一代的后人。我们感
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快科技6月7日消息,近日,ASML公司CEO公开表示,美国严厉的芯片管控规定,只会倒逼中国厂商进步更快。ASML CEO表示,多年来,公司都不用担心设备的去向会受到政治限制,但突然之间,这却变成了全世界最重要的话题之一。过去一段时间,美国一直在向荷兰施压,以阻止中国获得关键的半导体技术。去年,荷兰政府宣布了新的半导体设备出口管制措施,主要针对先进制程的芯片制造技术,阿斯麦首当其冲。根据ASML今年1月1日发布的声明,荷兰政府撤销的是2023年颁发的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系统的出口许可证
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美国芯片管控 ASML 光刻机
ASML首席财务官达森(Roger Dassen)表示,EUV技术路线发展受欧美限制,且光刻机已接近技术极限,此一技术路线前景不明。积极寻求突破的中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随?还是将资源另辟蹊径寻找新的技术路径?将面临艰难的抉择。 据《芯智讯》报导,台积电已经订购了High NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻机,ASML与台积电的商业谈判即将结束,预计在第2季度或第3季度开始获得大量 2nm芯片制造相关设备订单。ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年,这主要是受益于各国
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ASML EUV 光刻机
6月6日消息,据外媒报道称,ASML将在今年向台积电交付旗下最先进的光刻机,单台造价达3.8亿美元。报道中提到,ASML首席财务官Roger Dassen在最近的一次电话会议上告诉分析师,公司两大客户台积电和英特尔将在今年年底前获得所谓的高数值孔径(高NA)极紫外(EUV)光刻系统。英特尔此前已经订购了最新的高NA EUV设备,第一台设备已于12月底运往俄勒冈州的一家工厂。目前尚不清楚ASML最大的EUV客户台积电何时会收到设备。据悉,这些机器每台造价3.5亿欧元(3.8亿美元),重量相当于两架空中客车A
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6月6日消息,荷兰光刻机制造商ASML今年将向台积电交付其最新款光刻机。据公司发言人莫尼克·莫尔斯(Monique Mols)透露,首席财务官罗杰·达森(Roger Dassen)在近期的分析师电话会议中表示,包括台积电和英特尔在内的ASML两大客户都将在今年年底前拿到高数值孔径极紫外线(high-NA EUV)光刻机。英特尔已经下单购买了这款最新的光刻机,并于去年12月底将第一台机器运至其位于俄勒冈州的工厂。目前尚不清楚台积电何时会收到这些设备。台积电代表表示,公司一直与供应商保持密切合作,但拒绝对此事
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自ASML官网获悉,6月3日,比利时微电子研究中心(imec)与阿斯麦(ASML)宣布在荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)开设联合High-NA EUV光刻实验室(High NA EUV Lithography Lab),由ASML和imec共同运营。声明中称,经过多年的构建和集成,该实验室已准备好为领先的逻辑和存储芯片制造商以及先进材料和设备供应商提供第一台原型高数值孔径EUV扫描仪(TWINSCAN EXE:5000)以及周围的处理和计量工具。据悉,该联合实验室的开放是High-NA EUV大批量生
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阿斯麦 ASML EUV
5月26日,台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动,台积电CEO魏哲家罕见的没有出席,原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部,以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品,包括High-NA EUV设备将如何实现未来
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台积电 ASML High-NA EUV 光刻机
台积电晶圆代工事业遥遥领先,但高层显然一点也没有掉以轻心。据韩媒报导,台积电总裁魏哲家23日没有出席在台北举行台积电2024年术论坛,是因为他已经前往欧洲秘密造访艾司摩尔(ASML)荷兰总部以及德国工业雷射大厂「创浦」(TRUMPF)。美国芯片大厂英特尔冲刺晶圆代工事业,目前已成为ASML首台最新型「High-NA EUV」(高数值孔径极紫外光微影系统)的买家。台积电高层原本表示,台积电A16先进制程节点并不一定需要这部机器,原因是价格太贵了。但据南韩媒体BusinessKorea报导,台积电总裁魏哲家这
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4月上旬,全球光刻机龙头企业ASML发布了其最新一代极紫外线(EUV)光刻设备Twinscan NXE:3800E,该工具投影透镜拥有0.33的数值孔径,旨在满足未来几年对于尖端技术芯片的制造需求,包括3nm、2nm等小尺寸节点。ASML还计划进一步推出另一代低数值孔径(EUV)扫描仪Twinscan NXE:4000F,预计将于2026年左右发布。近日,据外媒消息,ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV(High-NA EUV)设备订单由英特尔全部包揽,据悉,英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先
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ASML 半导体设备 EUV光刻机
IT之家 4 月 19 日消息,英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 研发晶圆厂完成世界首台商用 High NA(0.55NA) EUV 光刻机的组装工作,目前已进入光学系统校准阶段。▲ 图源英特尔新闻稿这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000,为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机,价值约 3.5 亿美元(IT之家备注:当前约 25.38 亿元人民币)。就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功
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