磁盘式存储技术还有十年风光：闪存硬盘前景不容乐观
加入技术交流群
相变内存技术(phase change random access memory (PCRAM)):
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/99277.htm
据文章的作者解释，PCRAM相变内存技术基于相变化材料的相变属性。对这种材料适当加热后，相变化材料的形态将在结晶和非结晶两种相上发生变化，从而衍生出不同的电阻值，这样便可以用于记录“1”“0”两种数值。这种技术的存储单元体积小，每个存储单元能存储多位数据，因此存储密度以及容量成本方面均比磁盘式硬盘优越，不过这种技术的劣势在于功耗较大。目前，Intel与Microelectronics的合资公司Numonyx已经将基于这种技术的产品推向了市场，因此在实际应用方面相变内存技术比STTRAM技术要优越许多。
自旋极化内存技术(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).
评论