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电子制造业增速落榜尾 回暖受困单一发展思维

作者: 时间:2009-09-04 来源:通信信息报 收藏

  突破技术瓶颈是关键

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/97796.htm

  对中国业来说,除了需要大量资金以外,更重要的是技术——资金易得,但技术难求。中国是大国,但不是强国,要成为电子制造强国就要在的开发上探索更加积极有效的模式。

  例如,IGBT作为一种主流器件,在国际上已经发展到了商业化的第五代,而我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装,而且尚未形成规模化生产。我国在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT封装领域的技术更是一片空白。因此,探索更加积极、有效的模式,促成企业的技术融合、取长补短,实现IGBT的产业化,才能尽快填补我国基础工业中先进电力电子器件的空白。

  同时,在高端传统型器件的国产化方面,我国还要进一步加快进程。传统型的电力电子器件主要指晶闸管,其在许多关键领域仍具有不可替代的作用,我国对高压大电流的高端传统型器件等产品的需求巨大,而我国仅有少数几家优势企业通过自主创新掌握了高端器件的制造技术,大部分企业还停留在中低端器件的制造上。


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