中芯国际进军闪存，自主研发38nm NAND来了
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虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头，不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错，28nm工艺年初也正式量产了，还从TSMC手中抢到了部分高通处理器订单，现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存，而且是中芯国际自主研发的技术。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/263284.htm
NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合资的IMFT这四大豪门中，剩下的则由台系半导体厂商等瓜分，挤进NAND市场可不容易。
中芯国际以往发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，不过NOR闪存现在属于过时的产品了，转向NAND闪存也是自然而然的事了。中芯国际推出的NAND闪存制程为38nm，与目前主流的20/19nm差了一代，而且东芝、美光新一代的16/15nm制程年底就会量产，所以中芯国际与国际大厂还有一定的差距。
据官网所说，这种NAND制程完全是中芯国际自主研发的，38nm工艺对于降低NAND成本、提高产量来显然不如更先进的25、20nm，不过制程低了也有好处，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦写次数更高，只不过现在还不清楚中芯国际的38nm NAND的细节。
对中芯国际来说，38nm NAND其实也是个过渡，官方新闻中也提到了这是他们升级到更先进的2x/1xnm及3D闪存的基础，由此看来新工艺其实也是在研发中了。
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