讨论在PFC中应用的新型超级结MOSFET器件的特点 作者： 时间：2013-02-25 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 的芯片尺寸和更高效率的性能。具有极快开关速度的超级结MOSFET是实现较高效率的基本选择，但相比先前数代产品，难以控制。新型超级结MOSFET，即SuperFET II MOSFET能够优化开关性能，在启动或过载状况最大化使用了开关性能等大电流运行中减少栅极振荡、EMI噪声并改进稳定工作。 电荷放大器相关文章:电荷放大器原理 电容传感器相关文章:电容传感器原理 lc振荡电路相关文章:lc振荡电路原理 上一页 1 2 下一页
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