提高MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命的方法

2.2 划分子页方案

在Flash 中划分出至少2 个页(Page)用作模拟EEPROM，根据应用需求将需写入EEPROM 进行保存的变量数据划分成一个定长的数组(子页)，例如16 个字节或者32 字节，将页划分成若干子页后，需对Flash 中的所有子页按照地址顺序进行逐次编号。每个子页的第一个字节通常用来指示该子页的状态，子页状态可以为：空、已写入或者失效。

在芯片上电初始化时，首先查找出第一个尚未写入数据的子页，并进行标识，在进行写EEPROM操作时，应用程序需将待写入EEPROM 子页的所有数据按照事先约定好的顺序整理好，再一次性将所有变量数据写入空的子页中，最后将模拟EEPROM 的操作指针指向下一个空闲的子页，等待下一次写入。待将一个页的数据写满后，再进行一次擦除操作。需要处理好指向子页的指针的跳转。

每个页存在3 种可能状态：

擦除态：该页是空的。

已写满数据状态：该页已经写满数据。

有效页状态：该页包含着有效数据并且该页尚未写满，仍可向子页写入数据。

图三介绍了使用子页的方式实现Flash 模拟EEPROM的数据处理方法。

2.2.1 软件描述

在软件实现上，为了便于软件处理，建议定义一些关键宏定义和结构体，指定Flash 模拟EEPROM 的起始、结束地址、页的大小、子页的大小、每个页的子页数目等参数，同时将需要操作的参数封装起来，便于软件操作和管理，不建议定义许多离散的标志变量。

在软件操作上，Flash 模拟EEPROM模块需要提供几个API 接口给应用程序调用。

• 通过typedef 关键字定义设备类型，typedef unsigned char u8;

• ChkFstPowerOnInfo()用于检测芯片是否为第一次上电并初始化EEPROM 参数到内存，原型如下。

Void ChkFstPowerOnInfo(void);

• FlashWrite()用于写Flash，传递的形参包括指向待写入数据的指针，待写入数据在子页中的起始字节编号，写入数据的长度，原型如下。

void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );

• FlashErase()用于擦除Flash，传递的形参是子页的编号，在擦除函数中需要根据子页的编号判断是否需要执行页的擦除操作，原型如下。

void FlashErase(u8 seg_sn);

2.2.2 软件流程图

软件启动后，初始化模拟EEPROM流程图描述如下。

调用API，向模拟EEPROM 写入数据的软件流程如图五所示。在软件处理中，要特别注意目标指针的切换和保证写入数据的正确性，在代码空间允许的情况下，可以增加一些校验算法来保证。