MAXQ构架上闪存和SRAM存储器的分配
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MAXQ架构是一种基于标准Harvard结构、功能强大的单周期RISC微控制器，程序和数据存储总线相互独立。这种组织形式要求每个存储器具有专用总线(图1)，所以可同时读取指令和操作数。由于不存在单条数据总线的冲突问题，MAXQ指令的执行时间仅需要单个周期。
图1. Harvard结构
每个MAXQ器件采用以下存储器类型：
SRAM
固定用途ROM
MAXQ器件也可从闪存、固定用途ROM或SRAM执行程序代码。从某个存储器段执行程序代码时，其它两个存储器段可作为数据存储器(更多详细信息，请参阅从闪存执行程序和执行固定用途ROM函数部分)。这是因为程序和数据存储器总线不能同时存取同一存储器段。
有人可能认为采用Harvard结构的MAXQ微控制器也不能在非易失闪存中储存数据。然而，MAXQ器件内嵌固定用途ROM函数，允许读、写非易失闪存数据。
从闪存执行程序
MAXQ器件中，从闪存执行应用程序时，数据存储器为SRAM(读和写)和固定用途ROM(只读)。从闪存执行代码时，数据存储器映射请参见表1，存储器映射参见图2。
SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字寻址模式下)。
固定用途ROM在存储器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字节模式)或地址0x8000至0x8FFF (字寻址模式下)。
| 表1. 从闪存执行应用代码时的数据存储器映射 | ||||
| Addressing Mode | SRAM | Utility ROM | ||
| Start Address | End Address | Start Address | End Address | |
| Byte Mode | 0x0000 | 0x07FF | 0x8000 | 0x9FFF |
| Word Mode | 0x0000 | 0x03FF | 0x8000 | 0x8FFF |
图2. 从闪存执行应用代码时的存储器映射
执行固定用途ROM函数
执行固定用途ROM函数时，数据存储器为SRAM(读和写)和闪存(读和写)。从闪存执行应用程序且变量或数据对象位于闪存时，可通过固定用途ROM函数读或写这些变量或数据对象。通过跳转至执行固定用途ROM函数，即可将闪存作为数据进行存取。从固定用途ROM执行代码时，数据存储器映射请参见表2，存储器映射参见图3。
SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字寻址模式下)。
字节寻址模式下，CDA0 = 0时，闪存的低半部分在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1时，闪存的高半部分在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字寻址模式下，闪存在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。
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