MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能

　　就芯片电阻等无源元件而言，微型化已经造就了在单个元件中结合多个电阻的电阻阵列元件，以及采用极小的0402、0201或01005 SMD封装的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑战;MOSFET的设计参照了几项相互冲突的参数;在物理尺寸小、能进行快速高能效开关的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。

　　移动设备用MOSFET的微型化

　　通常情况下，有多种设计手段可行。功率MOSFET设计人员倾向于使用超结(super junction)、深沟槽(deep trench)或其它先进的沟槽技术来提供低导通电阻及高压能力和小裸片尺寸。在小信号MOSFET中，如那些用于在移动设备中采用2.5 V或1.8 V低电压工作的负载开关及接口的小信号MOSFET，必须追寻其它技术来减小封装尺寸和每个裸片尺寸的导通电阻。事实上，每个裸片尺寸的导通电阻是主导用于负载开关型应用的MOSFET的真正关键的评判标准。

　　最新世代小信号MOSFET被设计为提供低阈值电压，规定的闸极驱动电压低至1.5 V，使元件能够提供极低导通电阻，用于采用锂离子电池提供的低电压工作的便携应用。

　　为了将这些元件能够提供的小裸片尺寸的优势提升至最多，它们提供宽广超小型封装选择来供货，涵盖从尺寸为1.6 x 1.6 x 0.5 mm的SOT-563封装到尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封装等。最新的器件，如安森美半导体的N沟道NTNS3193NZ 及P沟道NTNS3A91PZ充分利用极纤薄导线架平面网格阵列(XLLGA)亚芯片级封装技术的优势，进一步推进了小信号MOSFET的微型化。