MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能

　　亚芯片级封装

　　XLLGA封装在封装底部提供可焊接的金属触点(类似于DFN型封装)，采用创新的内部设计，使整体封装尺寸小于任何类似芯片级封装。

　　安森美半导体的NTNS3193NZ及NTNS3A91PZ使用最新XLLGA3 3导线亚芯片级封装(见图3)，尺寸仅为0.62 x 0.62 x 0.4 mm，是业界极其微型化的分立小信号MOSFET，总占位面积仅为0.38mm2。N沟道NTNS3193NZ的典型导通电阻为0.65 Ω @ ±4.5 V闸极至源极电压，而NTNS3A91PZ P沟道元件的典型导通电阻为典型值1.1Ω@±4.5 V。它们是安森美半导体20 V小信号MOSFET系列中最小的元件;此系列元件还包括采用SOT563 (1.6x1.6x0.5 mm)、SOT723 (1.2 x 1.2 x 0.5 mm)、SOT963 (1.0 x 1.0 x 0.5 mm)及SOT883 (1.0 x 0.6 x 0.4 mm)封装的元件。

　　结论

　　随着全球人口中使用移动技术的比例不断提升，不断发展的市场对更高性能及功能的需求预计也将上升。产品设计人员要想在短时间内领先于竞争对手来满足这些要求，必须依靠结合硅技术进步及封装技术改进。虽然大规模集成电路(LSI)持续遵循摩尔定律，在连续多世代的移动芯片组中集成更多功能，毫无疑问，新元件只会在市场需求被确认一段时间后才上市。

　　为了确保透过使用多个标准IC开发成功的设计来尽早上市，设计人员必须充分利用充当关键功能区域“胶合剂”(glue)之小信号分立元件创新的优势。随着每个新芯片组的上市，领先的设计已经应用多芯片，并推动亚芯片级分立MOSFET的进一步需求。