英飞凌CoolSiC MOSFET获选用于丰田bZ4X纯电动车

英飞凌（Infineon）宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体已被丰田（Toyota）新一代纯电动车 bZ4X 采用。具体而言，英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 将用于该车型的车载充电机（OBC）。

对于《eeNews Europe》的读者而言，这一消息具有重要参考价值：它表明碳化硅的应用正加速从主驱逆变器扩展至电动汽车中其他关键的电力转换模块。同时，这也凸显了汽车制造商正越来越多地采用宽禁带（WBG），以实现更快充电速度和更长续航里程等可量化的电动出行优势。

碳化硅深入丰田电动车电力电子系统

根据新闻稿，丰田在 bZ4X 的 OBC 和 DC/DC 转换器中明确采用了英飞凌的 CoolSiC MOSFET。这两个子系统对充电效率、热管理性能和功率密度有着直接影响，是电动车能效优化的关键环节。

英飞凌指出，碳化硅材料本身具备低损耗、高耐热性及高电压耐受能力等固有优势，使其能够在系统层面显著提升整体性能。公司表示，在实际电动车应用中，这意味着更长的续航里程和更短的充电时间。

此外，英飞凌将此次定点视为汽车行业向电动化转型大趋势中的重要一环——电力电子技术正日益成为整车厂（OEM）。

英飞凌汽车电子事业部执行副总裁兼首席销售官 Peter Schaefer 表示：

“我们非常自豪，全球最大的汽车制造商之一丰田选择了英飞凌的 CoolSiC 技术。碳化硅能够显著提升电动汽车的续航、效率与性能，因此是未来移动出行的关键组成部分。凭借我们对创新和‘零缺陷’质量的坚定承诺，我们已做好充分准备，以满足电动出行领域不断增长的功率半导体需求。”

沟槽栅CoolSiC：提升效率并简化驱动电路

英飞凌介绍，其 CoolSiC MOSFET 采用沟槽栅（trench gate）结构，旨在降低单位面积导通电阻（Rds(on)）并缩小芯片尺寸。公司称，这种设计组合可有效减少导通损耗与开关损耗——这是提升车载电力转换效率的核心手段。

新闻稿还强调，该器件在芯片层面进行了多项优化，以支持 OBC 和 DC/DC 应用中对高功率密度与高可靠性的设计要求。例如，通过优化寄生电容和栅极阈值电压，CoolSiC MOSFET 可实现单极性栅极驱动（unipolar gate drive），从而简化汽车电力系统中的栅极驱动电路设计。

凭借在 bZ4X 项目中的成功定点，英飞凌正将 CoolSiC 定位为一个可扩展的碳化硅平台，以服务于越来越多转向宽禁带功率器件的电动化车辆子系统。