一种求解每个热源功率损耗的新方法

　　每次我们都使用简单的直流技术给一个热源供电，这样就可以以非侵入式方式测量热敏感度的系数。我们对被测器件（IC，MOSFET和电感器）施加直流电压和电流，迫使器件开始消耗能量，然后测出Pj。然后我们使用热成像摄像机测量表面温度的？Ti，接着就可以用上面的等式（6）计算出Sij。

　　我们使用了新的方法学计算两个降压拓扑的主热源：一个使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率级，和一个使用两个MOSFET的分立式功率级，在分立式功率级中，Si7382DP在高边，Si7192DP在低边。

　　A.集成式降压转换器

图1

　　图1显示了用于集成式降压转换器的EVB前端。这里有4个热源：电感器（HS1），驱动IC（HS2），高边MOSFET（HS3）和低边MOSFET（HS4）。SiC739 DrMOS是一个单芯片解决方案，其内部包含的HS2、HS3和HS4靠得非常近。由于这里有4个热源，因此S是一个4x4矩阵。

　　图2显示了当低边MOSFET的体二极管是前向偏置时（AR0x Avg. => HSx），4个热源的温度。

　　如果 TA 为 23.3 ?C，那么，

（8）

　　测得的电流I4和电压V4分别是2.14A和0.6589V。

　　P4 = I4?V4 = 1.41W （8）

　　使用公式（7）中的温度信息，我们可以得到Si4，（i=1，2，3，4）

　　S14 = 5.82 （9）

　　S24 = 9.29

　　S34 = 9.5

　　S44 = 16.2

重复上述过程，可以得到如下的S矩阵。

然后解出S^-1,

　　试验结果：集成式降压转换器

　　现在我们可以给SiC739 EVB上电，并使用等式（5）和（11）来计算每个热源的功率损耗。

　　P1 = 0.224W, 电感器 （12）

　　P2 = 0.431W, 驱动 IC

　　P3 = 0.771W, 高边MOSFET

　　P4 = 0.512W, 低边 MOSFET