GaN基量子阱红外探测器的设计
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通过逐步调节量子阱势垒的组分，最终发现In0.1Ga0.9N／In0.2Al0.3Ga0.5N多量子阱结构中的极化电荷基本可以抵消，也就是说，做到了极化匹配。极化匹配的GaN基多量子阱结构的能带结构如图3所示。
从图中可以看出，在极化匹配的情况下，GaN基量子阱结构与传统的GaAs基或InP基量子阱类似，在没有外加电场时，都是矩形势阱结构。在这样的能带结构下，通过改变势阱的厚度，可以设计不同探测波长的量子阱红外探测器。另外，通过改变势垒和势阱的成分，并在这个过程中保持极化匹配，将来还可以设计出不同深度的量子阱结构，实现不同探测波段的量子阱红外探测器。
3 结语
利用自发极化和压电极化的相互抵消作用，通过对GaN基多量子阱结构的能带结构进行研究，找到了可以极化匹配的GaN基多量子阱结构，完成了GaN基量子阱红外探测器的设计，为下一步实现GaN基量子阱红外探测器做好了准备。
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