嵌入式系统中存储器性能研究
加入技术交流群
2．6 Waltz数据
前面介绍了使用行带状数据检测Word线之间的泄漏，为了检测相隔行的微弱的影响，可以使用Waltz数据。如图7所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/149522.htm
3 测试用读写方式
为了检测内存潜在的问题，除了设计一些测试用的数据，还设计了一些读写方式，和数据相结合来检测。
3．1 MSCAN
MSAN读写方式是按地址递增顺序，首先写入0，然后仍然按照此顺序读出校验。MSCAN用来检测内存单元。
3．2 MARCH
MARCH读写方式的检测对象是地址译码器。如果地址译码器有问题，就会产生多重选择的问题，即同一个地址对应多个内存单元，或者多个地址对应同一个内存单元。可以采用如下的读写方式来检测这种问题。如图8，首先顺序写入“0”，然后顺序校验，校验一个数据后立即将数据改为“1”，然后逆序校验，校验后立即将数据改为“0”。
3．3 MASEST
MASEST读写方式的检测对象也是地址译码器。不过侧重于地址译码器的翻转噪声。按照图8中的顺序写入行带状数据，此顺序的目的是让地址译码器译码每次输出都尽可能多的翻转。然后在按此顺序校验，校验同时把数据翻转。最后顺序读取数据校验。
3．4 CMD
CMD读写方式检测内存单元间的相互干涉。如图9，首先写入棋盘数据。然后按照如图9顺序校验。
3．5 ROW／COL组合
ROW／COL组合测试的对象是内存控制电路。内存单元阵列分为行和列，某一个行地址有效时，对某一个单元进行读／写组合的操作，由于内存单元需要定时刷新，这种操作可能对刷新造成影响。ROW／COL组合读取方式固定某一行，对一个单元进行读／写组合操作，验证刷新的影响。然后对同一行的下一列进行相同的操作。
评论