SiC 市场高速增长

来源：Qorvo 半导体

据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。

报告指出，继特斯拉采用 SiC 后，2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用SiC。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助 SiC 器件在 2021 年达到 10 亿美元的规模。他们指出，为了满足长续航的需求，800V EV 是实现快速直流充电的解决方案，这也就是 1200V SiC 器件发挥重要作用的地方。

Yole 在报告中表示，除汽车外，工业和能源应用市场将成为 SiC 营收增长超过 20% 的市场。为此 Yole 预测，预计到 2027 年，SiC 器件市场将从 2021 年的 10 亿美元业务增长到 60 亿美元以上。

作为一家在宽禁带方面有多年积累经验的企业，Qorvo 去年通过收购 UnitedSiC，加强了公司在这方面的投入。

UnitedSiC 前总裁兼首席执行官、Qorvo 现任电源设备解决方案部门总经理 Chris Dries 之前在接受 EETIMES的采访时强调，Dries 表示，Qorvo 对 Active-Semi 的收购触发了其对功率电子设备领域的兴趣。如今，Qorvo 的目标就是，利用 UnitedSiC 的化合物半导体制造技术来实现伟大的多元化战略。

“可编程电源管理业务发展迅速，Qrovo 希望在电力市场占有更大的份额。此次收购有助于加快其进军该市场领域的步伐，进而创建将我们可编程性、灵活性和模拟控制 IP 与 UnitedSiC 产品组合在一起的解决方案，以便为客户打造端到端解决方案。”Qorvo 可编程电源管理业务部门高级总监 David Briggs 在同一个采访中补充说。

据采访所说，UnitedSiC 已开发出一种共源共栅布局的 SiC，适用于需要常闭器件的功率电子设备应用。在共源共栅配置中，功率 MOSFET 置于 JFET 顶部，而且两者被封装在一起，以实现极低热阻。

UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二极管设备等产品。JFET 结构是最基本的 SiC 开关。因为它没有栅极氧化物，并且是单极传导装置，所以可以避免一些与 MOSFET 相关的缺陷。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V, RDS (on) 为 5.9 毫欧姆，可将各行各业的效率提升至新高度。

改进开关性能和 RDS(on) 可在电动汽车领域实现更强大的新应用，如牵引驱动、车载和车外充电器以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和 AC/DC 或 DC/DC 功率转换等所有阶段的功率转换。

Dries 表示：“我们刚刚发布了第四代器件，其芯片尺寸缩小了 30-50%，从而进一步降低了解决方案成本。当您考虑碳化硅逆变器所带来的效率优势时，就更应该把握住这一机会。我认为，在这个十年结束之时，碳化硅可能会开始占主导地位，尤其是在更大功率的汽车领域。”

Briggs 补充道：“IGBT 仍将继续存在，它们不会轻易地被 SiC 取代，但由于其效率、性能和可靠性，碳化硅迟早会占据大部分市场份额并最终取代 IGBT。”

SiC FET 通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。据 UnitedSiC 的研究，所述众多应用的一个特点就是，栅极驱动器特性与其他器件（如 MOSFET 和 IGBT）兼容，这样就可以轻松地将其集成到现有设计中。

在 Qorvo 产品组合中整合 UnitedSiC 解决方案将涵盖新兴市场的许多应用，主要与能源相关。UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会，以加快 SiC 的采用，从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。