- 消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。固定BOM的重要性消费类 DRAM 模块没有固定的 BOM（物料清单）；这意味着模块中使用的材料可能会发生变化，而且经常会在用户未知的情况下发生变化，另外用户可能会在一月份订购两个 DIMM 用于测试，在三月份再订购五百个用于生产，但无法保证一月份订购的模块与三月份订购的模块包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 芯片已经无处不在：从手机和汽车到人工智能的云服务器，所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。创建更先进的芯片通常涉及缩小晶体管和其他组件并将它们更紧密地封装在一起。然而，随着芯片特征变得更小，现有材料可能无法在所需厚度下实现相同性能，从而可能需要新的材料。 泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPAR
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SPARC 先进逻辑 DRAM 沉积技术
- 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DR
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DRAM 微结构
- 前言人工智能/机器学习（AI/ML）改变了一切，影响着每个行业并触动着每个人的生
活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到
2019年，人工智能训练集增长了30万倍，每3.43个月翻一番，这就是最有力的证
明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进，摩尔定律在任何情况下都在放缓，这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今，训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
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ADAS ML DRAM 内存
- 从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
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DRAM GIDL
- HBM处理数据的速度较一般DRAM有显著提升，业界预料，HBM市场将以每年2倍以上的速度扩大，不过目前HBM市场仍远小于一般DRAM。
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HBM2 DRAM
- 2017年，整体内存产业不论DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就
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DRAM NAND
- RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
- 浅谈存储器体系结构的未来发展趋势-对存储器带宽的追求成为系统设计最突出的主题。SoC设计人员无论是使用ASIC还是FPGA技术，其思考的核心都是必须规划、设计并实现存储器。系统设计人员必须清楚的理解存储器数据流模式，以及芯片设计人员建立的端口。即使是存储器供应商也面临DDR的退出，要理解系统行为，以便找到持续发展的新方法。
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存储器 SOC DRAM
- DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-随着系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。本文将对不同的组织方式及其效果进行简单介绍。
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DRAM
- 次世代记忆体换当家？关于新当家的那点事-据韩媒BusinessKorea报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会（IEEE）发布研究论文宣称，两家公司携手研发的STT-MRAM 的生产技术，成功实现10 奈秒（nanosecond）的传输速度和超省电架构，理论上表现超越DRAM。韩国半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限，包括FRAM在内的多种次世代存储（其它包括MRAM）备受期待。
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dram fram
- DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章节中，介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中，将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。
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DRAM Memory Cells
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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