目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝杀入敌营，如今美光也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，3D NAND flash大战即将开打!
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美光 3D NAND
全球业界首选光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批准对近期扩建的中国上海厂的下一阶段投资计划;该厂由TPI独资子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 运营。TPI将对此工厂再投资8000万美元以展现其对中国快速成长的半导体产业及客户之长期承诺。TPI先前已投资2000万美元扩建上海二厂(TPCS Shanghai II);该厂现已量产并且为中国唯一提供全方位技术及产品的商业光掩模厂。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出了首项适用于移动设备的 3D NAND 存储技术，并推出了基于通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准的首批产品。美光的首项移动 3D NAND 32GB 解决方案主要面向中高端智能手机细分市场，这一细分市场大约占据全球智能手机总量的 50%[1]。随着移动设备替代个人电脑成为消费者的主要计算设备，用户行为对设备的移动内存和存储要求产生了极大影响。美光的移动 3D NAND 解决了这些问题，实现了无与伦比的用户体验，包括流畅传输高分辨率视频、更高的游戏带宽、更快的启动时间、更好的
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美光 NAND
近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上，镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道，镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。
镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年
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镁光 NAND
中中国下决心做存储器芯片，是个特别重大，而又十分艰难的决定，国存储器业要取得成功，总体上产业发展有三条路径，研发，兼并及合资，合作都是十分有效，然而经过一段时间的实践，有一定进展，但是情况也有些变化，这一切唯有通过研发的早日成功，才能扭转被动的局面。
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存储器 NAND
据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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三星 NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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东芝 NAND
我们获取和存储数据的方式发生了巨大转变，这是近年来半导体行业出现并购潮的原因所在。
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半导体 NAND
陶氏电子材料是陶氏化学公司的一个事业部，本日推出 OPTIPLANE™ 化学机械研磨液 (CMP) 平台。OPTIPLANE 研磨液系列的开发是为了满足客户对先进半导体研磨液的需求：能以有竞争力的成本，符合减少缺陷的要求和更严格的规格，适合用来製造新一代先进半导体装置。
全球 CMP 消耗品市场持续成长，部分的成长驱动力来自新的 3D 逻辑、NAND 快闪记忆体和封装应用，这些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合无数先进电子装置的性能需求。
「生产先进半导体晶圆
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陶氏 NAND
经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储制造新项目7月初实现提前投产。7月25日，记者在英特尔半导体(大连)有限公司厂区内看到，1000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工，正井然有序地忙碌着，他们的共同目标只有一个：全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。
去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资，也是大连市乃至辽宁省改革开放以来最大的外资项目。此前的2010年，作为英特尔在亚洲
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英特尔 NAND
NAND快闪记忆体受惠固态硬盘(SSD)销售热络，加上智能手机搭载容量提高，带动近月价格持续上涨，创见、威刚等模组厂营运受惠，市场预期苹果将推出的iPhone 7拉货动能如何，将攸关NAND快闪记忆体价格续涨力道。
市场指出，上半年非苹阵营智能手机产品销售强劲，产品功能提升带动记忆体需求大增，加上6月三星西安厂因变电厂爆炸导致停工，带动NAND快闪记忆体价格上涨，主流产品在1个月内涨幅超过2成。
市况变化带动记忆体模组厂营运增温，创见表示，在涨价预期心理带动下，通路拉货力道明显回升，DRA
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NAND DRAM
因中国大陆、中国台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能、带动记忆体需求大增，加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。
报道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb NAND价格扬升至每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升，其中也有部分交易价格超过3美元，且进入7月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
据海外媒体报道，东芝(Toshiba)计划领先三星电子(Samsung Electronics)于2016财年开始量产64层3D NAND Flash存储器芯片。日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)报导，东芝于7月15日举办日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂启用仪式，未来将在此工厂生产64层NAND Flash。
64层NAND Flash较东芝和三星目前生产的48层NAND Flash容量高30%，虽然价格较高，但每单位容量会比48层版的便宜。若应用于智能型手机
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东芝 NAND
有关中国半导体业发展的讨论已经很久了，似乎路径已经清晰，关键在于执行，以及达成何种效果。受现阶段产业大环境的影响，仍由政府资金主导，因此非市场化的因素尚在，产业的波浪式前进似乎不可避免，中国半导体业发展需要采用研发、兼并及合资与合作的三驾马车，这三者都十分重要，需要齐头并进。
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半导体 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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