东芝将领先三星推出64层3D NAND Flash

　　据海外媒体报道，东芝(Toshiba)计划领先三星电子(Samsung Electronics)于2016财年开始量产64层3D NAND Flash存储器芯片。日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)报导，东芝于7月15日举办日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂启用仪式，未来将在此工厂生产64层NAND Flash。

　　64层NAND Flash较东芝和三星目前生产的48层NAND Flash容量高30%，虽然价格较高，但每单位容量会比48层版的便宜。若应用于智能型手机，这种芯片不仅能扩充数据储存容量，还能提高处理速度。东芝更锁定持续大增的数据中心数据储存需求。

　　东芝和西部数据(WD)计划未来3年将在四日市工厂投资1.4兆日圆(132亿美元)。东芝已于2016年春开始生产48层NAND Flash，并规划2017财年3D NAND Flash将占Nand Flash芯片总产量的50%，到2018财年将占逾80%。

　　而三星可能会在2017年下旬于韩国京畿道平泽市启用半导体工厂，开始生产64层3D NAND Flash芯片。

　　堆叠更多层会增加各层未对准的风险，而且常会降低产量。东芝已改进定位技术，因此能堆叠64层。随着研发取得进展，东芝决定投入重资，购买造价高昂的3D NAND Flash制造设备，抢先三星将此技术推向市场。

　　东芝总裁纲川智表示，东芝为赢得市场竞争须勇于投资必要资金。他还表示，东芝将借此世界一流的生产线展现在快闪存储器的领导地位。

　　东芝经会计丑闻业务精简后，半导体为目前三大业务之一。纲川智表示半导体是东芝的成长动力。该公司2018年财年营业利益目标为2,700日圆，其中将有1,300亿日圆来自半导体业务。