- 面对美国的护栏最终规则，韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道，随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）资金分配和限制的国家安全护栏，韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务，并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响，人们有不同的意见。但有一点是肯定的：希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件，并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示，补贴接受者在
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CHIPS法案 韩国半导体 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
- 消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。固定BOM的重要性消费类 DRAM 模块没有固定的 BOM（物料清单）；这意味着模块中使用的材料可能会发生变化，而且经常会在用户未知的情况下发生变化，另外用户可能会在一月份订购两个 DIMM 用于测试，在三月份再订购五百个用于生产，但无法保证一月份订购的模块与三月份订购的模块包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
- 内存大厂美光即将于27日盘后公布最新财报，鉴于美光对DRAM的订价能力提升，市场高度期待美光获利进一步改善，预期产业最坏情况已过。由于内存大厂近期积极减产，部分市场需求转强，AI服务器需求尤为强劲，致使DRAM报价逐渐改善。美光财务长Mark Murphy先前透露，若供应链持续保持自制力、预测价格有望于2023年下半转强。美光营运有望改善，带动股价逐渐走强，该公司年初迄今股价已上涨近4成。包括巴克莱、德银等券商，纷纷上调美光投资评等及目标价。巴克莱券商巴克莱给予美光「加码」投资评等，目标价从75美元调高到
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美光 DDR5 DRAM
- 受高通货膨胀、消费电子需求疲软等因素影响，存储市场发展“遇冷”，铠侠、美光等原厂陆续于去年第四季度启动减产，2023年三星宣布加入减产行列。不过，由于市场需求持续衰弱，2023年存储市况仍未复苏，价格不断下跌，厂商业绩承压。这一背景下，部分存储厂商期望通过继续减产维稳价格，推动市场供需平衡。近日，台湾地区《工商时报》等媒体报道，DRAM厂商南亚科将跟进大厂减产策略，调整产能、降低稼动率、弹性调整产品组合和资本支出，根据客户需求和市场变化动态调整，以应对市场疲软，预计产能将动态调降20％以内。此前，全球市场
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存储厂商 DRAM TrendForce
- 3D DRAM 的使用在未来或许是可能的。
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DRAM
- 一路暴跌的半导体行业在 8 月终于传来了好消息。TrendForce 集邦咨询研究发布最新数据，第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元，环比增长 20.4%，终结连续三个季度的跌势。存储作为行业的风向标，止跌是大家喜闻乐见的。这样的好消息背后，不知道还有多少变数，又何时传递给整个半导体行业呢？经历低谷根据 TrendForce 发布报告，2022 年第三季度 DRAM 行业营收为 181.9 亿美元，环比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供应商库存快速堆积，为抢占第四季度的出货市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，据台湾 《中央通讯社》 报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产，这是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术。据悉，美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂，1-gamma 制程势必会先在台中厂量产，日本厂未来也会导入 EUV 设备。卢东晖强调，台湾和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多达 65% 的动态随机存取记忆体（DRAM
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美光 DRAM
- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
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三星 12纳米 DDR5 DRAM
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高启全是全球 DRAM 领域最资深的人士之一。
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DRAM
- 在上一期的芝识课堂中，我们和大家一起了解了CMOS逻辑IC可以分为组合逻辑和时序逻辑，并以几种典型电路单元的对应逻辑关系详细解读了组合逻辑电路的原理。这一期芝识课堂中，我们将继续和大家分享CMOS逻辑IC的基础知识，并通过实际电路单元来帮助大家分析组合逻辑和时序逻辑中各自所对应的输入和输出之间暗藏的逻辑关系。多路复用器多路复用器也是一种典型的组合逻辑电路，比如东芝的74VHC157和74VHC153，多路复用器将从多个输入信号中选择一个信号并将其转发到单个输出线。图1所示的时序图显示了如何从两个输入中选择
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东芝 CMOS
- IT之家 7 月 5 日消息，据多个韩国媒体报道，三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工（DS）部门和 DRAM 部门负责人，被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先，三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰（Jegae Jeong）被任命为事业部最高技术负责人（CTO），而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时，负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换，由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊（Hwang Sang-jun）接管，被业界解读为对 HB
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三星 DRAM
- 2023年6月7日，第十六届安博会在北京新首钢会展园区开幕，本届安博会以“自主创新、数智融合、赋能安防、服务社会”为主题。在本届安博会上，集中展示了视频监控、防盗报警、出入口控制、安检防爆、实体防护、数据应用与安全等安防技术和产品，同时突出了今年来热门的无人化、AI智能化，加上近期大热的生成式人工智能（AIGC），本届安博会可以说是充满了创新的一届安博会，极大地展示了近期我国在安防上的最新应用成果。 安博会作为安全行业的盛会，一直以来被行业内视为发展的风向标。在本届安博会上，作为CIS图像传感器
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安博会 芯视达 CMOS
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