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模电设计的九个级别,你到哪个段位了?

  • 模拟电路设计的九个级别,类似下围棋的段位。请从一段到九段仔细阅读,看看自己处于什么水平,值得一看哦~
  • 关键字: 模电  模拟电路  MOS  

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

  • 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
  • 关键字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

超低静态功耗、内置高压MOS电流型副边反馈控制芯片 — SCM1733ASA

  • 继分别推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC电源控制芯片后,为满足客户更广的应用范围及更低的价格需求,金升阳推出超低静态功耗、内置高压MOS且性价比更高的新产品—SCM1733ASA。一、芯片介绍SCM1733ASA 是应用于中小功率AC/DC反激式开关电源的高性能电流模式PWM控制器,内置高压功率MOS,最大输出功率达20W,待机功耗<75mW,具有极低的启动电流和工作电流,可在实现低的损耗的同时保证可靠启动。芯片满载工作时,PWM开关频率固定;降低负载后,进入绿色模式,开关频率降低;在空载和轻载时,
  • 关键字: EMI  PWM  MOS  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

发光二极管与MOS中为何要添加多余的电流?

  • 发光二极管就是俗称的LED,由于较容易入门且普及率高,很多新手在进行入门学习时经常会选择发光二极管来入手。本文将对发光二极管与MOS之间的特定关系
  • 关键字: 发光二极管  MOS  电流  

同步整流器与开关MOS在功率电源的耗散

  • 在大功率电源当中,MOS器件的消耗至关重要。其很有可能关系到电源的整体效率。在之前的文章中,小编为大家介绍了一些功率耗散的方法,在本文中,小编将
  • 关键字: 同步整流器  MOS  功率  

如何设计防反接保护电路?

  • 如何设计防反接保护电路?-利用MOS管的开关特性,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
  • 关键字: mos  

揭秘高效电源如何选择合适的MOS管

  • 揭秘高效电源如何选择合适的MOS管-在当今的开关电源设备中,MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
  • 关键字: MOS  电源  

MOS器件的发展与面临的挑战

  • 随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。
  • 关键字: MOS  FinFET  

拯救EMI辐射超标,开关电源能做点啥?

  • 作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的干扰强度较大;干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的位置较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹),主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰;而印刷线路板(PCB)走线通常采用手工布线,具有更大的随意性,这增加了PCB分布
  • 关键字: EMI  开关电源  MOS  

DC-DC电路当中同步与非同步的差异讲解

  • 在开关电源电路设计当中,电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换,是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见,也是新手接触比较多一种电路设计,本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
  • 关键字: DC-DC  MOS  同步  开关电源  非同步  

为IC设计减少天线效应

  • 如同摩尔定律所述,数十年来,芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知,这种高速成长的趋势总有一天会结束,只是不知道当这一刻来临时,芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展,芯片密度不断增加,而闸级氧化层宽度不断减少,超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制,天线效应便是其中之一。
  • 关键字: IC设计  天线  天线效应  充电损害  MOS  

高手详解,MOS及MOS驱动电路基础总结

  •   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。   MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,
  • 关键字: MOS  MOS驱动电路  

恩智浦将分立器件与功率MOS业务出售给中国公司

  •   半导体行业的重组还在继续。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将把经营分立器件、逻辑芯片、功率MOS半导体等产品的标准产品业务部门出售给中国的投资公司(英文发布资料)。   标准产品业务部门2015年财年的销售额为12亿美元,约占恩智浦总销售额(61亿美元)的2成。该部门约有员工1.1万名,约为恩智浦总员工数量(4.5万)的2.5成。   出售金额约为27.5亿美元,购买方是北京建广资产管理有限公司(简称“建广资产”)与Wise Road Capital两家
  • 关键字: 恩智浦  MOS  

【E问E答】MOS管为什么会被静电击穿?

  •   MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。  静电放电形成
  • 关键字: MOS  击穿  
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mos介绍

MOS 金属氧化物半导体 MOS metal-oxide semiconductor 以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。 [ 查看详细 ]

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