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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: mos/开关损耗  

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在讨论前我们先做
  • 关键字: 吸收  回路  RCD  管反峰  设计  MOS  开关电源  

MOS-FET开关电路

  • MOS-FET虽然与JFET结构不同,但特性极为相似,N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型,可在许多电路中代替J-FET,如图5.4-97所示,电路用MOS-FET代替J-FET更简单,如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
  • 关键字: MOS-FET  开关电路    

采用C-MOS与非门的发光二极管脉冲驱动电路

  • 电路的功能如使用发光二极管直流发光,正向偏流只能在数10MA以下,允以获得大的发光输出,若采用缩小导通时的占空比,则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ,脉冲载频为38KHZ,受发光电路很容易分辩外来光。电
  • 关键字: 驱动  电路  脉冲  发光二极管  C-MOS  与非门  采用  

采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路

  • 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代,因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当,容易停振或
  • 关键字: C-MOS  转换器  石英晶体  振荡电路    

可设定10~100秒的长时间C-MOS定时电路

  • 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路,R用高阻值,便可加长CR时间常数,但是,由于内部比较器的输入偏流较大,难以充电到门限电压,比较器无法驱动,为此,本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片,选用高阻
  • 关键字: 电路  定时  C-MOS  时间  设定  

集成电路布图设计登记:数量持续上升 中国企业占优

  •   2008年,受到全球半导体市场衰退的影响,中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长,但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新,知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式,集成电路布图设计登记应得到更多的关注。   最近,中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告,本期刊登部分节选,供业界研究参考。   本报告数据
  • 关键字: NEC  MOS  集成电路布图设计  

麻省理工学院计划为发展中国家开发12美元PC

  •   美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。   一些Mac计算机网站指出,《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。   虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机,但是,他和他的团队研制的这种计算机
  • 关键字: PC  廉价  处理器  MOS 6502  

基于LT1641的双路热插拔电路设计

  •   0 引言   很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样,在更换维护插件板时,通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时,一般会产生很大的启动电流和电压波动,这些现象将影响设备的正常工作,甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时,插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗,此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件,或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。   所谓热插拔(Hot
  • 关键字: 电路  热插拔  MOS  电源  

AB类功率放大器驱动电路的研究与设计

  •   1 AB类功放驱动电路设计目标   在实用电路中,往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率,以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路,简称功放。经典功率放大器有4种类型:A类,AB类,B类和C类,他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。      A类功率放大器的线性度好,功率传递能力差,效率最大值为50%,导通角为360
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  驱动电  放大器  MOS  

34063用于DC-DC电源变换的电路

  • 34063一种用于DC-DC电源变换的集成电路,应用比较广泛,通用廉价易购。
  • 关键字: 升压  降压  功率  MOS  

日立瑞萨开发低功耗转换存储器单元

  • 新型单元是一种用于嵌入式系统的下一代微控制器片上非易失存储器的颇具前途的解决方案,它可以在1.5V电源电压条件下进行编程,且只需100μA的编程电流。 日立有限公司与瑞萨科技公司近日发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在
  • 关键字: MOS  日立  瑞萨  存储器  

1994年6月,无锡微电子工程在中国华晶电子集团公司全面通过国家验收

  •   1994年6月,我国“七五”电子工业的头号工程———无锡微电子工程在中国华晶电子集团公司全面通过国家验收。该工程的重点2微米、3微米MOS超大规模集成电路生产线正式建成投产,代表了我国当时微电子工业大生产的最高水平。
  • 关键字: 华晶电子  集成电路  MOS  
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mos介绍

MOS 金属氧化物半导体 MOS metal-oxide semiconductor 以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。 [ 查看详细 ]

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