相对通用的电路电路图如下：图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里只针对NMOS...
关键字：
MOS 驱动电路
现在的MOS驱动，有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于...
关键字：
MOS
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很...
关键字：
MOS
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。...
关键字：
mos
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
关键字：
mos/开关损耗
对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做
关键字：
吸收 回路 RCD 管反峰 设计 MOS 开关电源
MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
关键字：
MOS-FET 开关电路
电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
关键字：
驱动 电路 脉冲 发光二极管 C-MOS 与非门 采用
电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
关键字：
C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
关键字：
电路 定时 C-MOS 时间 设定
2008年，受到全球半导体市场衰退的影响，中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长，但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新，知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式，集成电路布图设计登记应得到更多的关注。
最近，中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告，本期刊登部分节选，供业界研究参考。
本报告数据
关键字：
NEC MOS 集成电路布图设计
美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。
一些Mac计算机网站指出，《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。
虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机，但是，他和他的团队研制的这种计算机
关键字：
PC 廉价 处理器 MOS 6502
0 引言
很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样，在更换维护插件板时，通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时，一般会产生很大的启动电流和电压波动，这些现象将影响设备的正常工作，甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时，插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗，此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件，或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。
所谓热插拔(Hot
关键字：
电路 热插拔 MOS 电源
1 AB类功放驱动电路设计目标
在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放大器的线性度好，功率传递能力差，效率最大值为50%，导通角为360
关键字：
模拟技术 电源技术 驱动电 放大器 MOS
34063一种用于DC－DC电源变换的集成电路，应用比较广泛，通用廉价易购。
关键字：
升压 降压 功率 MOS
mos介绍
MOS
金属氧化物半导体
MOS
metal-oxide semiconductor
以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说，绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
[
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473