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V-MOS管测试

罗姆与APEI联合开发出SiC沟槽MOS模块

  • 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计,由于最大限度地利用了SiC器件的特点,从而大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化、高效化,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
  • 关键字: 罗姆  SiC  MOS  

MOS场效应管逆变器自制

  • 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程:     图1  工作原理  一、方波的产生  这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而
  • 关键字: 自制  逆变器  效应  MOS  

高性能、可高压直接驱动MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B为NCP1395的改进型。它包括一个最高500kHZ的压控振荡器,在必需悬浮驱动功能时龅控制模式有很大...
  • 关键字: 光耦  可调  死区时间  MOS  

MOS管短沟道效应及其行为建模

  • 1 引 言  目前,实现微电路最常用的技术是使用MOS晶体管。随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性
  • 关键字: 行为  建模  及其  效应  管短沟  MOS  

电源变压器的MOS场效应管逆变器制作

  • 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
  • 关键字: 逆变器  制作  效应  MOS  变压器  电源  

舞台功放MOS管改装方法

  • 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变,要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
  • 关键字: 方法  改装  MOS  功放  舞台  

基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题,通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径,制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案,最终实现了重复频率80kHz,4kV脉冲源,实验验证了电磁兼容措施的
  • 关键字: 电磁兼容  问题  研究  脉冲  高压  MOS  开关  高频  基于  

MOS-FET与电子管OTL功放的制作

MOS—FET末级无负反馈蓄电池供电甲类6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙类功率放大器

MOS管驱动电路综述连载(三)

  • 相对通用的电路电路图如下:图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里只针对NMOS...
  • 关键字: MOS  驱动电路  

MOS管驱动电路综述连载(二)

  • 现在的MOS驱动,有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于...
  • 关键字: MOS  

MOS管驱动电路综述连载(一)

  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很...
  • 关键字: MOS  

MOSFET分析:选择一款节能、高效的MOSFET

  • 前不久,能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求,同时进一步降低待机功耗要求。...
  • 关键字: mos  
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mos介绍

MOS 金属氧化物半导体 MOS metal-oxide semiconductor 以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。 [ 查看详细 ]

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