1 引 言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展, CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
2 ESD保护原理
ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路
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CMOS ESD MOS
1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是考虑更好的
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LED MOS 变压器
因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连,或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准,于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是:在栅极和源极之间加上足够大的固定电压,以形成反型层,输入信号加在衬底和源极之间,这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管,也就是一个耗尽型器件,它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
脉冲电源是脉冲制式供电方式装备必不可少的供电电源。本文对脉冲电源特点及主要参数的影响原因进行分析,给出了一种脉冲电源的电路方案。重点分析输出脉冲电压跌落幅度产生原因及解决方法,总结了实用的脉冲电源工程设计方法。
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电源 MOS 脉冲电压 跌落幅度 脉冲电源 201405
为了解决现有浪涌保护电路可靠性差、专用模块体积庞大以及效率低的问题,提出一种抗机载80V浪涌、高效恒流源电路解决方案。其设计思路从以下几个方面考虑:(1)能够承受航空供电系统中80V/50ms过压浪涌且能正常工作;(2)外围电路较为简单,通过分离元器件可实现抗浪涌功能;(3)构建的电路占用体积仅为专用模块的50%~60%左右;(4)正常工作时,电路转换效率能达到90%以上;80V/50ms的高压浪涌电压时,电路转换效率能达到80%以上
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PCB MOS 恒流源
引言: 鉴于目前网络上移动电源方案知识甚少,而移动电源最核心的技术恰恰就在方案,从今开始特在移动电源网开设移动电源方案技术篇连载,对目前市面主流品牌,畅销产品等移动电源方案一一深度剖析,与移动电源设计师和技术迷们一起分享!我们首款产品就选目前最热门的小米10400mAh移动电源吧。 正文: 移动电源网独家撰稿,转载请保留出处链接。 大家好!我是来福,移动电源资深技术爱好者,鉴于目前网络上移动电源方案知识甚少,而移动电源最核心的技术恰恰就在方案,从今开始特在移动电源网开设移动电源方案技术篇连载,
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小米 10400 BQ24195 ABOV MOS
在下面的两个帖子当中,我将简短地介绍构成CPU的零件,一种晶体管。我将展示如何完成最简单的设计,这相当于IC设计中的Hello world,并且略微提到Hello world的几种变体。
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CPU IC设计 单晶硅 MOS 硅
此电源有两种,输入电压不同分为12V和24V两种,输出电压均为19V。一、12V转19V电路电路如上图,此电路属升压型...
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车载笔记本 MOS IC器件
引言:为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约,半导体物理学界提出的一种新型MOS结构,称为...
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SJ-MOS VDMOS
X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018,世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上,大幅减少了印刷电路板的组件数量,也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变,要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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介绍 改装 MOS 功放 舞台
英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能,可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
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英飞凌 MOS
以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变,要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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电路图 方法 改装 MOS 功放 舞台
电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代,因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当,容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
mos介绍
MOS
金属氧化物半导体
MOS
metal-oxide semiconductor
以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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