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3d封装 文章

3D封装技术突破 台积电、英特尔引领代工封测厂

  • 针对HPC芯片封装技术,台积电已在2019年6月于日本VLSI技术及电路研讨会(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中,提出新型态SoIC(System on Integrated Chips)之3D封装技术论文;透过微缩凸块(Bumping)密度,提升CPU/GPU处理器与存储器间整体运算速度。
  • 关键字: 3D封装  台积电  英特尔  

台积电完成首颗3D封装,继续领先业界

AMD公布3D封装技术:处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

  • 在Rice Oil&Gas高性能计算会议上,AMD高级副总裁Forrest Norrod介绍,他们正跟进3D封装技术,目标是将DRAM/SRAM(即缓存等)和处理器(CPU/GPU)通过TSV(硅穿孔)的方式整合在一颗芯片中。
  • 关键字: AMD  3D封装  

2023年2.5D/3D封装产业规模达57.49亿美元

  •   根据产业研究机构YoleDéveloppement(Yole)的研究指出,像HBM和CIS这样的硬件创造了TSV的大部分收入。2023年整体堆叠技术市场将超过57亿美元,年复合成长率(CAGR)为27%,2.5D/3DTSV和晶圆级封装技术中,消费市场是最大的贡献者,市场比重超过65%。高效能运算(HPC)是立体构装技术的真正驱动力,并且将呈现高度成长到2023年,市场占有率从2018年的20%增加到2023年的40%。汽车、医疗和工业等领域的应用将是主力。    而消费性、高效能运算与网络(HPC&
  • 关键字: 2.5D  3D封装  

3D封装技术英特尔有何独到之处

  • 在半导体领域,3D技术带来的革命更叹为观止,早些年的FinFET和3D NAND只是个开始。从去年12月初英特尔公布新架构路线,到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整台电脑,这样的速度,你不得不更上!
  • 关键字: 3D封装  英特尔  

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了 什么是“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,英特尔答案在这里

  • 在近日举行的英特尔“架构日”活动中,英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统,支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构,还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
  • 关键字: 架构  数据   3D封装  

什么3D封装,立体“多层”芯片才是下一代芯片出路

  •   斯坦福大学工程师开发出的四层“多层芯片”原型。底层和顶层是逻辑晶体管,中间是两层存储芯片层。垂直的管子是纳米级的电子“电梯”,连接逻辑层和存储层,让它们能一起工作解决问题。   左边是目前的单层电路卡,逻辑与存储芯片分隔在不同区,通过电线连接。就像城市街道,由于数据在逻辑区和存储区来来回回地传输,常会产生拥堵。右边是多层的逻辑芯片和存储芯片,形成一种“摩天大楼”式的芯片,数据通过纳米“电梯”实现立体传输,
  • 关键字: 3D封装  晶体管  

3D封装是国内封测业绝佳机会

  •   近几年来,“中国空芯化”问题引起社会关注。据统计,芯片年进口额近2000亿美元。芯片是手机、电脑、汽车、家用电器等产品的“大脑”,而以芯片为主的集成电路80%的需求量依赖进口。如果“大脑”的控制权不在我们手中,将存大巨大隐患。为此,解决“中国空芯化”问题显得更加迫在眉睫。   当前中国集成电路产业面临诸多考验:一是与国际水平的差距较大。摩尔定律虽接近极限,但仍在推动工艺制程提升,业界专家预计工艺制程将
  • 关键字: 3D封装  封测  

3D封装材料技术及其优点简介

  • 随着移动电话等电子器件的不断飞速增长,这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。3D封装对减少装配面积非常有效。此外,系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速
  • 关键字: 3D封装  材料    

3D封装材料技术及其优点

  • 随着移动电话等电子器件的不断飞速增长,这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。3D封装对减少装配面积非常有效。此外,系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速
  • 关键字: 3D封装  材料    

3D封装TSV技术仍面临三个难题

  •   高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出,业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。   
  • 关键字: 高通  3D封装  

3D封装TSV技术仍面临三个难题

  •   高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出,业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。   
  • 关键字: 高通  3D封装  

IBM与3M开发新材料 芯片提速1000倍

  •   据国外媒体报道,IBM和3M公司计划联合开发粘合剂把半导体封装为密集地叠放的芯片塔,即所谓3D封装。使用这种芯片将提高智能手机、平板电脑、计算机和游戏设备的速度。   这两家公司的目标是创建新一类的材料。这种材料可能制造有100层单独的芯片组成的商用微处理器。  
  • 关键字: 3M  3D封装  

IBM与3M联手研发3D半导体粘接材料

  •   据科技资讯网站CNET报道,IBM和3M公司于当地时间7日宣布将共同开发一种新的粘接材料。该材料可以帮助芯片塔密集叠放,进而实现半导体的3D封装。   IBM是半导体的万事通,而3M是粘接材料的专家。两者强强联合的目的就在于通过研发新粘接材料制造出商用的3D芯片。  
  • 关键字: IBM  3D封装  

赛灵思堆叠硅片互联技术深度解密

  • 1.赛灵思今天宣布推出什么产品?赛灵思采用了称之为“堆叠硅片互联技术”的3D封装方法,该技术采用无源芯...
  • 关键字: 3D封装  堆叠硅片互联  赛灵思  
共17条 1/2 1 2 »

3d封装介绍

  3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括:多功能、高效能;大容量高密度,单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。  一:封装趋势是叠层封(PoP);低产率芯片似乎倾向于PoP。  二:多芯片封 [ 查看详细 ]

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