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3d封装 文章 进入3d封装技术社区

3D封装TSV技术仍面临三个难题

  •   高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出,业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。   
  • 关键字: 高通  3D封装  

3D封装TSV技术仍面临三个难题

  •   高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出,业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。   
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IBM与3M开发新材料 芯片提速1000倍

  •   据国外媒体报道,IBM和3M公司计划联合开发粘合剂把半导体封装为密集地叠放的芯片塔,即所谓3D封装。使用这种芯片将提高智能手机、平板电脑、计算机和游戏设备的速度。   这两家公司的目标是创建新一类的材料。这种材料可能制造有100层单独的芯片组成的商用微处理器。  
  • 关键字: 3M  3D封装  

IBM与3M联手研发3D半导体粘接材料

  •   据科技资讯网站CNET报道,IBM和3M公司于当地时间7日宣布将共同开发一种新的粘接材料。该材料可以帮助芯片塔密集叠放,进而实现半导体的3D封装。   IBM是半导体的万事通,而3M是粘接材料的专家。两者强强联合的目的就在于通过研发新粘接材料制造出商用的3D芯片。  
  • 关键字: IBM  3D封装  

赛灵思堆叠硅片互联技术深度解密

  • 1.赛灵思今天宣布推出什么产品?赛灵思采用了称之为“堆叠硅片互联技术”的3D封装方法,该技术采用无源芯...
  • 关键字: 3D封装  堆叠硅片互联  赛灵思  

3D封装材料技术

  • 随着移动电话等电子器件的不断飞速增长,这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。3D封装对减少装配面积非常有效。此外,系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速
  • 关键字: 3D封装  材料    

许居衍院士:中国半导体产业应逆市而进

  •   中国的半导体产业,在2000年18号文件出来后,发展很快,但2008年受金融危机影响下降幅度很快,如何在危机中求进并且寻机发展,8月20日,由中国半导体行业协会主办,分立器件分会、华强电子网等联合承办的“2009中国半导体分立器件市场年会”上,中国工程院院士许居衍就半导体发展的过去与未来,及其与全球宏观经济环境的关系,与参会嘉宾进行了详细的探讨。   2008和2009年的衰退期和以前半导体行业由于产能过剩引起的原因大不一样,纯粹由于外部经济引起的行业萧条。此次连续两年的负增
  • 关键字: 半导体  模拟电路  存储器  3D封装  
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3d封装介绍

  3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括:多功能、高效能;大容量高密度,单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。  一:封装趋势是叠层封(PoP);低产率芯片似乎倾向于PoP。  二:多芯片封 [ 查看详细 ]

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