台湾积体电路制造股份有限公司今(17)日宣布领先专业积体电路制造服务领域，成功开发28纳米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米工艺，使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。此一工艺技术的优势还包括高密度与低Vcc_min六电晶体静态随机存取记忆体(SRAM)元件、低漏电电晶体、已通过验证的传统类比/射频/电子熔线(analog
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台积电 SRAM 28纳米 低耗电 氮氧化硅 多晶硅
2008年10月9日 IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司宣布将在high-k metal-gate (HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统(SoC)设计平台。
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ARM SoC 32纳米 28纳米
台积电日前宣布，将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程，同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料两种选择，以支持不同产品的应用及效能需求。此一28纳米制程预计于2010年第一季开始生产。
台积公司28纳米系列制程同时具备了高介电层/金属闸以及氮氧化硅闸晶体管两种选择的弹性制造能力，而28纳米制程将是此一系列中的全世代制程。目前有多个客户正使用台积公司28纳米制程进行产品设计，藉由与客户密切的协同合作，可以让客户选用最佳化的晶体管材料
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台积电 28纳米
28纳米介绍
就是指制造工艺，比如说CPU，以前的制造工艺是130nm，后来又出现了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是显卡的制造工艺。
28纳米工艺，指的是手机主板芯片里面的半导体沟道之间的距离，现在做到28纳米了，之所以卖家要说这点，是科技进步的表现，能做到越小，这方面的技术工艺越先进，越小集成度越高，但是随之而来会出现负面的效应，耗能散热的问题，电子通过的通道越窄，一来是工艺越难 [
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