台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。
据悉,早前台积电曾宣布将在明年前三个季度分别开始试产28纳米高性能高K金属栅极、28纳米低功耗高K金属栅极和28纳米低功耗氮氧化硅三种新工艺产品。
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芯片代工 28纳米
ARM和芯片代工厂商GlobalFoundries达成协议,支持客户利用后者的28纳米高K金属栅极工艺生产Cortex-A9架构处理器.
据国外媒体报道称,一周前就有消息称,两家公司在进行相关谈判.ARM首席执行官华伦·伊斯特在一份声明中说,“与GlobalFoundries合作表 明了我们的商业价值,以及向客户提供最优秀处理器产品的战略.GlobalFoundries是加速28纳米工艺ARM架构处理器普及的理想合作伙伴.”
GlobalFoundri
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ARM 28纳米
据国外媒体报道,两名东芝内部消息人士透露,该公司正在就外包部分新一代系统芯片制造业务与新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)和Globalfoundries洽谈,以降低成本。
东芝发言人Hiroko Mochida表示,该公司计划在位于大分的工厂生产采用28纳米工艺的芯片,但由于产能无法满足需求,将考虑外包部分芯片制造业务。
上述消息人士称,东芝在与特许半导体和Globalfoundries洽谈开发用于游戏机和数码相机等电子产品的新一代系统芯片。Globalfo
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东芝 28纳米 芯片制造
日本富士通微电子株式会社与台湾积体电路制造股份有限公司27日宣布,双方同意以台积电先进的技术平台为基础,针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能工艺。在这之前,富士通微电子与台积电已经就40纳米工艺进行合作。这项协定代表富士通微电子将延伸已经在台积电生产的40纳米产品,双方将共同发展最佳化的28纳米高效能工艺,而首批28纳米工程样品预计于2010年年底出货。
这项先进技术的合作将富士通微电子在先进高速工艺与低耗电设计技术的专长及优势,以及台积电节能的高效能逻辑
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富士通 28纳米 40纳米
台积电28纳米制程再迈大步,预计最快2010年第1季底进入试产,2011年明显贡献营收,台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单,目前28纳米制程技术最大竞争对手,仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered),双方竞争更趋激烈。
台积电表示,已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图,预计2010年第3季进行试产,至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
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台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。
台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言,低耗电氮氧化硅(简称28LP)工艺预计于2010年第一季底进行试产,高效能高介电层/金属闸(简称28HP)工艺则预计于2010年第二季底开始试产,而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)工艺的试产时程
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台积电 28纳米 HKMG
台积电24日宣布率业界之先,不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率,而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的良率。
台积电研究发展副总经理孙元成博士表示:“所有三种28纳米系列工艺皆已由64Mb SRAM芯片完成良率验证,是一项傲人的成就。更值得一提的是,此项成果亦展现我们两项高介电层/金属闸(High-k Metal Gate)工艺采用gate-last
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台积电 28纳米 SRAM
外界关心台积电40纳米制程良率进展,台积电30日法说首次破例现场联机至Fab 12,请先进制程事业副总刘德音说明。刘德音表示,40纳米制程良率已从30%进展到60%,预期10月其缺陷密度将达0.2左右,同时,台积电本季40纳米制程产能也将冲上3万片。台积电董事长张忠谋则认为,台积电32、28纳米制程,未来承接CPU订单的机会将愈来愈多。
过去台积电法说会多现场问答,这次破例进行现场与Fab 12即时联机,并由先进制程副总刘德音身著无尘衣,亲自对外界40纳米制程进度说明释疑并接受提问。刘德音说,目
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台积电 40纳米 32纳米 28纳米
芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,Talus® IC实现系统已被纳入台积电(TSMC)Reference Flow 10.0。采用微捷码软件和最新台积电参考流程(Reference Flow),设计师可使用“Fastest Path to Silicon™”进行针对台积电28纳米工艺的设计。
“台积电28纳米工艺提供了制造10亿门IC的希望,但同时也带来应对更多的物理效应、更棘手的功耗要求和困难的时序收敛
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据国外媒体报道,从AMD独立出来的芯片制造公司GlobalFoundries,周五开始在纽约州北部马耳他镇的一块丛林地建造一家总投资为42亿美元的芯片工厂。
虽然美国的制造行业在继续裁员,不过AMD及其竞争对手都在投资新建工厂。分析师认为,科技公司的投资是为经济复苏做准备,由于美国政府限制芯片技术向海外转移,因此芯片行业看到了在美国建厂的重要性。
或许更重要的是,芯片公司想从美国政府那里获得巨额奖励。纽约州已经表示,将向GlobalFoundries马耳他镇工厂提供12亿美元资金。In-S
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台湾积体电路制造股份有限公司22日推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积公司开放创新平台(Open Innovation Platform)的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28纳米工艺所面临的新设计挑战,并有多项创新以促成系统级封装设计(System in Package, SiP)的应用。
应用于28纳米芯片设计
台积公司的开放创新平台使EDA电子设计自动化工具可以
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台积电 28纳米 芯片设计 封装设计
自AMD独立分出的Globalfoundries,将在本周五(7月24日)以盛大的破土仪式,向全球最大的芯片制造商对手宣战。
前身为AMD芯片制造单位的Globalfoundries,耗资42亿美元於纽约州Malta兴建的晶圆厂,将于24日破土动工。
这是Globalfoundries挤身全球一流芯片制造商的关键。该公司的公关经理Jon Carvill表示,未来30天内将公布一个以上的大客户名单。
初期客户可能包括为消费电子市场设计低功率和无线芯片的公司,他说:在那个领域担任重要的角
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Globalfoundries 晶圆 28纳米
台积电先进制程晶圆出货正式突破500万片大关,达到535万片,若将这些晶圆堆迭起来,厚度将是台北101大楼的8倍高!这还是不包括目前正加紧量产的40纳米制程,同时台积电预计2009年第4季将量产32纳米泛用型制程,2010年第2季正式量产28纳米低功耗制程,首要瞄准智能型手机芯片市场。
台积电目前在晶圆代工市场占有率约50%,不过单就先进制程技术,市占率更高,外界推估90、65纳米制程基本市占率都超过7~8成以上。台积电内部统计,采用先进制程技术的客户包括将近200家业者,所设计的产品约2,50
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台积电 晶圆 40纳米 28纳米
晶圆代工业者Global Foundries来势汹汹,除积极与台积电争抢两大绘图芯片客户超微(AMD)与NVIDIA订单,在技术上亦强调其将是目前晶圆代工厂最领先者,继台积电日前发表28纳米制程技术,Global Foundries亦不甘示弱,对外发表22纳米制程,预计最快2012年进行生产,与台积电互别苗头意味浓。
台积电日前在京都VLSI大会上发表28纳米制程,是首代正式采用高k金属栅(High-k Metal Gate;HKMG)制程技术,并将取代32纳米成为全世代制程,多数晶圆厂包括Gl
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NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议,允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。
这三家公司18日表示,两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂,该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。
东芝公司2007年12月加
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28纳米介绍
就是指制造工艺,比如说CPU,以前的制造工艺是130nm,后来又出现了90nm、45nm、30nm、22mn等,28nm好像是显卡的制造工艺。
28纳米工艺,指的是手机主板芯片里面的半导体沟道之间的距离,现在做到28纳米了,之所以卖家要说这点,是科技进步的表现,能做到越小,这方面的技术工艺越先进,越小集成度越高,但是随之而来会出现负面的效应,耗能散热的问题,电子通过的通道越窄,一来是工艺越难 [
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