- 赛灵思公司今天所发布的消息“赛灵思采用28 纳米高性能、低功耗工艺加速平台开发，推进可编程势在必行”凸显了功耗在目前系统设计中所起的重要作用，也充分显示了在赛灵思考虑将 28 纳米工艺技术作为其新一代 FPGA 系列产品的技术选择时， 功耗如何在一定程度上影响到了最终的决策。。
众所周知，FPGA 在摩尔定律作用下不断发展，每一代新产品的推出，都提高了系统功能，加强了计算能力。不过，也存在着自相矛盾的地方。随着 FPGA 按照摩尔定律不断发展，设计和构建 FPGA 的工程
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Xilinx 28纳米 FPGA
- 全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，为推进可编程势在必行之必然趋势，正对系统工程师在全球发布赛灵思新一代可编程FPGA平台。和前代产品相比， 全新的平台功耗降低一半，而性能提高两倍。通过选择一个高性能低功耗的工艺技术，一个覆盖所有产品系列的、统一的、可扩展的架构，以及创新的工具，赛灵思将最大限度地发挥 28 纳米技术的价值， 为客户提供具备 ASIC 级功能的 FPGA，以满足其成本和功耗预算的需求。同时还能通过简单的设计移植和 IP 再利用，
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Xilinx 28纳米 FPGA
- 晶圆代工在龙头台积电带领下再掀投资热潮，台积电28日宣布2010年资本支出将创下历史新高达48亿美元，较2000年次高纪录的33亿美元大增45%，亦较2009年暴增70%，令市场咋舌!同时据统计，目前台积电在45/40奈米制程高达9成市占，制程愈先进市占率愈高，面对竞争对手联电、全球晶圆(Global Founfries)来势汹汹，台积电老神在在。
台积电展望第1季营收较2009年第4季持平符合市场预期，不过公布的2010年资本支出高达48亿美元却超出市场原预期的40亿~45亿美元区间，令市场惊
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
- TSMC今(28)日公布2009年第四季财务报告，合并营收为新台币920.9亿元，税后纯益为新台币326.7亿元，每股盈余为新台币1.26元(换算成美国存托凭证每单位为0.19美元)。
与2008年同期相较，2009年第四季营收增加42.6%，税后纯益增加162.5%，每股盈余则增加了162.7%。与前一季相较，2009年第四季营收增加了2.4%，税后纯益增加6.9%，每股盈余则增加了7.2%。这些财务数字皆为合并财务报表数字，并依照中国台湾一般公认会计准则所编制。
2009年第四季毛利率
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
- 两岸经济合作架构协议(ECFA)25日展开第1次协商，业界传出台积电董事长张忠谋日前亲赴上海会见当地重量级官方代表，张忠谋前往上海当日，正巧华虹NEC与宏力半导体宣布合资兴建12寸厂，张忠谋应大陆官方之邀，以两岸半导体产业大老身分给予产业建言。不过，台积电对于张忠谋行程不予置评，中芯国际亦否认张忠谋此行与执行长王宁国会面。
张忠谋上周紧急飞往上海，业界传出张忠谋可能与上海重量级官方代表会面，半导体业者指出，张忠谋此行受到瞩目且颇为敏感，主要系因两岸经济合作架构协议25日首次展开协商，由于过去张忠
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
- 台积电新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式举行上梁典礼，台积电营运资深副总刘德音表示，phase 5预计2010年第3季投入28纳米制程量产，此外，南科Fab 14第4期厂房过完农历年后亦将开始动工兴建，以加速扩充40纳米制程产能。他并透露，未来新竹亦规划投入phase 6用来投资22纳米制程。因此，根据台积电目前建厂规画估算，2年内台积电12寸厂数将高达10座之多，堪称业界之冠!
台积电新竹Fab 12第5期19日举行上梁典礼，典礼主持人刘德音表示，预计2010年第3季迅速完工装
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- 台积电董事长张忠谋说，这一波金融风暴不仅让亚洲的机会浮现，也凸显企业竞争的重点。政府应创造一个公平竞争经营环境的角色，走向开放，让企业成为世界经贸的一员，政府该做的事情绝对不是减税，特别在今天的环境下，减税根本是一个错的事情。。
张忠谋说，企业应该靠自己，不应该依赖政府，企业应该重拾70年代、80年代的乐观态度，以办大事、办难事的态度与精神面对企业经营。张忠谋强调，在金融方面，政府的监督会增加，政府的控制会增加，但是，新机会也是新挑战，企业的竞争不会停，市场经济最重要的定理─竞争并不会改变，反而
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台积电 晶圆 28纳米
- TSMC今日表示，该公司位于台湾新竹科学园区的晶圆十二厂第五期厂房于今日上午完成上梁典礼，并预计于今年第三季开始量产。
今日的上梁典礼由TSMC营运资深副总经理刘德音主持。他表示，一直以来，TSMC不断努力提升「先进技术」、「卓越制造」以及「客户伙伴关系」的能力，期为客户提供坚实的后盾，并共同组成半导体产业中坚强的竞争团队。
刘德音资深副总指出，「晶圆十二厂第五期厂房完成上梁，并预计将于今年第三季迅速完工装机并且开始量产，就是我们展现竞争优势，为客户提供坚实后盾的又一例证。」
晶圆十
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- 外电引用分析师资讯指出，联电大客户赛灵思(Xilinx)3月可能宣布与台积电展开28纳米制程合作;台积电28纳米已确定取得富士通微电子、高通订单，若再与赛灵思合作，将对联电等同业的先进制程构成极大压力。
外电引用BroadpointAmTech分析机构的消息指出，可程式逻辑晶片大厂赛灵思正积极与台积电接触中，3月可望宣布相关合作事宜。赛灵思是全球最大可程式逻辑晶片供应商，也是联电前五大客户与12寸晶圆投片量最大的IC设计公司之一。
外电指出，赛灵思竞争对手阿尔特拉(Altera)在网通市场
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- 外电报导，富士通旗下富士通微电子近期派遣10到15名工程与台积电合作开发28纳米芯片，台积电预计今年底出货富士通相关产品。
台积电28纳米去年已与富士通微电子宣布，双方同意以台积电先进的技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC 产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能制程，首批28 纳米工程样品预计于今年底出货。
台积电先进制程火力全开，40纳米目前拥有晶圆代工市场九成以上占有率，本季将率先释产28纳米低功率制程，接着28 高速(HP)制程于第二季底试产，台积电日前也与手机芯片
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富士通 40纳米 28纳米
- GlobalFoundries公司日前公开展示了一片采用28nm制程技术制作的不知名芯片硅圆。这家公司的人员不愿意透露硅圆上芯片的具体型号，但他们表示这绝对 不是去年6月份他们曾经展示过的试验用28nmSRAM芯片样品。从外表上看，这些芯片非常古怪，有可能是某款CPU或GPU产品，也有可能是用于测试的 芯片产品.根据计算，这些芯片的面积似乎超过了300平方毫米，因此估计不可能是ARM处理器的芯片，而有可能是采用了ARM处理器核心的某款SOC产 品。
不管怎么样，看起来Global Foundri
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GlobalFoundries 28纳米
- 近期半导体业界传出GlobalFoundries端出大降价策略，锁定无晶圆厂IC设计大客户积极抢单，祭出光罩、晶圆双重价格折让措施，目前包括台积电既有多家大客户都颇为心动，由于GlobalFoundries合并新加坡特许(Chartered)正式生效后，已接收特许过去多家大客户订单，这次GlobalFoundries再度主动出击，未来恐将使得晶圆代工高阶制程报价再度面临割喉竞争。
GlobalFoundries攻势一波接一波，近期半导体业界传出GlobalFoundries为争取更多大客户订单青
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GlobalFoundries 晶圆代工 32纳米 28纳米
- 新年刚过全年代工两强，台湾的台积电及联电已分别公布其09年12月和全年的业绩。由于它们都有海外分公司，所以业绩有非合并及合并计两类。
台积电依合并计，2009年12月的销售额为9.9亿美元，比11月增加4.1%，而比去年同期增加118.7%。而2009全年销售额为92.7亿美元，比2008年下降11.2%。
在非合并计，2009年12月后销售额9.55亿美元，比11月增加3.8%，而相比去年同期增加131.5%。而2009全年销售额为89.6亿美元，相比2008年下降11.2%。
在
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台积电 28纳米 fabless
- 高通与台积电1月7日共同宣布，双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此先进工艺世代可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯片上，加速无线通讯产品在新市场上的扩展。
小尺寸与低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案之重要特色。奠基于双方长久的合作关系，高通与台积电正携手将产品从45纳米工艺直接推进至28纳米工艺。
台积电全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示，台积电一向致力于提供客户先进技术平台及设计生态系统，我们的28纳米工艺平台可以为崭新世代的产品带来
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TSMC 28纳米 Snapdragon
- 超微(AMD;AMD-US)旗下晶圆代工厂Global Fundries(GF) 8日宣布与高通签下45/40纳米与28纳米代工合约，台积电(TSMC;TSM-US;2330-TW)稍后同时宣布，正与高通携手推进28纳米，预计今年中投产，显示态度积极不畏战;台积电订单遭分食，或是激励台积电今年营运再创奇迹的最大推手。
Global Foundries由超微与先进科技投资公司(ATIC)合资成立，去年底并掉特许半导体(Chartered Semiconductor)后，加上IBM芯片研发计划联盟的
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28纳米介绍
就是指制造工艺，比如说CPU，以前的制造工艺是130nm，后来又出现了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是显卡的制造工艺。
28纳米工艺，指的是手机主板芯片里面的半导体沟道之间的距离，现在做到28纳米了，之所以卖家要说这点，是科技进步的表现，能做到越小，这方面的技术工艺越先进，越小集成度越高，但是随之而来会出现负面的效应，耗能散热的问题，电子通过的通道越窄，一来是工艺越难 [
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